Name: onsemi 5LN01M-TL-H
Brand: onsemi
SKU: 5LN01M-TL-H

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डिलीवरी का समय

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वितरण लागत

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(अलग -अलग समय सीमा / देश / पैकेज आकार की कीमत अलग है।)

डिलिवरी विधि

डीएचएल / यूपीएस / फेडएक्स / टीएनटी / ईएमएस / एसएफ द्वारा वैश्विक सामान्य शिपमेंट हम समर्थन करते हैं।
अन्य लोग अधिक शिपिंग तरीके, कृपया अपने ग्राहक प्रबंधक के संपर्क में रहें।

सामान्य देश लॉजिस्टिक टाइम संदर्भ
क्षेत्र	देश	लॉजिस्टिक टाइम (दिन)
अमेरिका	संयुक्त राज्य अमेरिका	5
अमेरिका	ब्राज़िल	7
यूरोप	जर्मनी	5
	यूनाइटेड किंगडम	4
	इटली	5
ओशिनिया	ऑस्ट्रेलिया	6
ओशिनिया	न्यूज़ीलैंड	5
एशिया	भारत	4
एशिया	जापान	4
मध्य पूर्व	इजराइल	6

डीएचएल और फेडेक्स शिपमेंट चार्ज संदर्भ
शिपमेंट शुल्क	संदर्भ डीएचएल (यूएसडी $)
0.00 किग्रा -1.00 किग्रा	USD $30.00 - USD $60.00
1.00 किग्रा -2.00 किग्रा	USD $40.00 - USD $80.00
2.00 किग्रा -3.00 किग्रा	USD $50.00 - USD $100.00

टिप्पणी:: उपरोक्त तालिका केवल संदर्भ के लिए है।बेकाबू कारकों के लिए कुछ डेटा पूर्वाग्रह हो सकते हैं।
अगर तुम्हारे पास कोई सवाल है तो हमसे संपर्क करें।

उत्पाद विशेषता	मान बताइए
उत्पादक	onsemi
वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र	-
वीजीएस (मैक्स)	±10V
प्रौद्योगिकी	MOSFET (Metal Oxide)
प्रदायक डिवाइस पैकेज	MCP
शृंखला	-
आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस	7.8Ohm @ 50mA, 4V
शक्ति का अपव्यय (मैक्स)	150mW (Ta)
पैकेज / प्रकरण	SC-70, SOT-323
पैकेट	Tape & Reel (TR)

उत्पाद विशेषता	मान बताइए
परिचालन तापमान	150°C (TJ)
माउन्टिंग का प्रकार	Surface Mount
इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस	6.6 pF @ 10 V
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस	1.57 nC @ 10 V
FET प्रकार	N-Channel
FET फ़ीचर	-
ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन)	1.5V, 4V
स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss)	50 V
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस	100mA (Ta)
आधार उत्पाद संख्या	5LN01

उत्पाद विशेषता
भाग संख्या	5LN01M-TL-H	FDP14AN06LA0	IRFD020PBF	5LN01C-TB-E
उत्पादक	onsemi	onsemi	Vishay Siliconix	onsemi
पैकेट	Tape & Reel (TR)	Tube	Bulk	Tape & Reel (TR)
FET फ़ीचर	-	-	-	-
आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस	7.8Ohm @ 50mA, 4V	11.6mOhm @ 67A, 10V	100mOhm @ 1.4A, 10V	7.8Ohm @ 50mA, 4V
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस	1.57 nC @ 10 V	31 nC @ 5 V	24 nC @ 10 V	1.57 nC @ 10 V
प्रौद्योगिकी	MOSFET (Metal Oxide)	MOSFET (Metal Oxide)	MOSFET (Metal Oxide)	MOSFET (Metal Oxide)
आधार उत्पाद संख्या	5LN01	FDP14	IRFD020	5LN01
वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र	-	3V @ 250µA	4V @ 250µA	-
पैकेज / प्रकरण	SC-70, SOT-323	TO-220-3	4-DIP (0.300", 7.62mm)	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
वीजीएस (मैक्स)	±10V	±20V	±20V	±10V
शक्ति का अपव्यय (मैक्स)	150mW (Ta)	125W (Tc)	1W (Tc)	250mW (Ta)
इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस	6.6 pF @ 10 V	2900 pF @ 25 V	400 pF @ 25 V	6.6 pF @ 10 V
शृंखला	-	PowerTrench®	-	-
प्रदायक डिवाइस पैकेज	MCP	TO-220-3	4-HVMDIP	SC-59-3/CP3
ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन)	1.5V, 4V	5V, 10V	10V	1.5V, 4V
परिचालन तापमान	150°C (TJ)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-55°C ~ 150°C (TJ)	150°C (TJ)
FET प्रकार	N-Channel	N-Channel	N-Channel	N-Channel
माउन्टिंग का प्रकार	Surface Mount	Through Hole	Through Hole	Surface Mount
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस	100mA (Ta)	10A (Ta), 67A (Tc)	2.4A (Tc)	100mA (Ta)
स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss)	50 V	60 V	50 V	50 V

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