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घरउत्पादअसतत सेमीकंडक्टर उत्पादट्रांजिस्टर - एफईटी, एमओएसएफईटी - सिंगलFCD850N80Z
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FCD850N80Z - onsemi

उत्पादक भाग संख्या
FCD850N80Z
उत्पादक
onsemi
Allelco भाग संख्या
32D-FCD850N80Z
ईसीएडी मॉडल
भागों का विवरण
MOSFET N-CH 800V 6A DPAK
विस्तृत विवरण
पैकेज
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
विवरण तालिका
FCx850N80Z.pdf
RoHs स्थिति
तुलना
स्टॉक में: 33374

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मात्रा

विशेष विवरण

FCD850N80Z तकनीकी विनिर्देश
onsemi - FCD850N80Z तकनीकी विनिर्देशों, विशेषताओं, मापदंडों और onsemi - FCD850N80Z के समान विनिर्देशों के साथ भागों

उत्पाद विशेषता मान बताइए  
उत्पादक onsemi  
वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र 4.5V @ 600µA  
वीजीएस (मैक्स) ±20V  
प्रौद्योगिकी MOSFET (Metal Oxide)  
प्रदायक डिवाइस पैकेज TO-252AA  
शृंखला SuperFET® II  
आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस 850mOhm @ 3A, 10V  
शक्ति का अपव्यय (मैक्स) 75W (Tc)  
पैकेज / प्रकरण TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63  
पैकेट Tape & Reel (TR)  
उत्पाद विशेषता मान बताइए  
परिचालन तापमान -55°C ~ 150°C (TJ)  
माउन्टिंग का प्रकार Surface Mount  
इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस 1315 pF @ 100 V  
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस 29 nC @ 10 V  
FET प्रकार N-Channel  
FET फ़ीचर -  
ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन) 10V  
स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss) 800 V  
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ ​​25 डिग्री सेल्सियस 6A (Tc)  
आधार उत्पाद संख्या FCD850  

समान विनिर्देशों के साथ भाग

दाईं ओर के तीन भागों में onsemi FCD850N80Z के समान विनिर्देश हैं।

उत्पाद विशेषता FCD850N80Z FCD620N60ZF FCD7N60TM FCD9N60NTM
भाग संख्या FCD850N80Z FCD620N60ZF FCD7N60TM FCD9N60NTM
उत्पादक onsemi onsemi onsemi onsemi
परिचालन तापमान -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
प्रौद्योगिकी MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
पैकेट Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
प्रदायक डिवाइस पैकेज TO-252AA TO-252AA TO-252AA TO-252AA
इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस 1315 pF @ 100 V 1135 pF @ 25 V 920 pF @ 25 V 1000 pF @ 100 V
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस 29 nC @ 10 V 36 nC @ 10 V 30 nC @ 10 V 17.8 nC @ 10 V
पैकेज / प्रकरण TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
FET फ़ीचर - - - -
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ ​​25 डिग्री सेल्सियस 6A (Tc) 7.3A (Tc) 7A (Tc) 9A (Tc)
वीजीएस (मैक्स) ±20V ±20V ±30V ±30V
FET प्रकार N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
माउन्टिंग का प्रकार Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस 850mOhm @ 3A, 10V 620mOhm @ 3.6A, 10V 600mOhm @ 3.5A, 10V 385mOhm @ 4.5A, 10V
आधार उत्पाद संख्या FCD850 FCD620 FCD7N60 FCD9N60
ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन) 10V 10V 10V 10V
वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र 4.5V @ 600µA 5V @ 250µA 5V @ 250µA 5V @ 250µA
शक्ति का अपव्यय (मैक्स) 75W (Tc) 89W (Tc) 83W (Tc) 92.6W (Tc)
स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss) 800 V 600 V 600 V 600 V
शृंखला SuperFET® II HiPerFET™, Polar™ SuperFET™ SupreMOS™

FCD850N80Z डेटशीट पीडीएफ

FCD850N80Z - onsemi के लिए FCD850N80Z PDF DataSheets और onsemi प्रलेखन डाउनलोड करें।

डाटा शीट
FCx850N80Z.pdf
पर्यावरण सूचना
onsemi RoHS.pdf
पीसीएन डिजाइन/विनिर्देश
Logo 17/Aug/2017.pdf Description Chg 01/Apr/2016.pdf
पीसीएन पैकेजिंग
Mult Devices 24/Oct/2017.pdf
PCN असेंबली/ओरिजिन
Assembly Change 28/May/2023.pdf

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सामान्य देश लॉजिस्टिक टाइम संदर्भ
क्षेत्र देश लॉजिस्टिक टाइम (दिन)
अमेरिका संयुक्त राज्य अमेरिका 5
ब्राज़िल 7
यूरोप जर्मनी 5
यूनाइटेड किंगडम 4
इटली 5
ओशिनिया ऑस्ट्रेलिया 6
न्यूज़ीलैंड 5
एशिया भारत 4
जापान 4
मध्य पूर्व इजराइल 6
डीएचएल और फेडेक्स शिपमेंट चार्ज संदर्भ
शिपमेंट शुल्क संदर्भ डीएचएल (यूएसडी $)
0.00 किग्रा -1.00 किग्रा USD $30.00 - USD $60.00
1.00 किग्रा -2.00 किग्रा USD $40.00 - USD $80.00
2.00 किग्रा -3.00 किग्रा USD $50.00 - USD $100.00
टिप्पणी:
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