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घरउत्पादअसतत सेमीकंडक्टर उत्पादट्रांजिस्टर - एफईटी, एमओएसएफईटी - सिंगलFCP190N60E
onsemi
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FCP190N60E - onsemi

उत्पादक भाग संख्या
FCP190N60E
उत्पादक
onsemi
Allelco भाग संख्या
32D-FCP190N60E
ईसीएडी मॉडल
भागों का विवरण
POWER MOSFET, N-CHANNEL, SUPERFE
विस्तृत विवरण
पैकेज
TO-220-3
विवरण तालिका
Datasheet.pdf
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स्टॉक में: 4460

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मात्रा

विशेष विवरण

FCP190N60E तकनीकी विनिर्देश
onsemi - FCP190N60E तकनीकी विनिर्देशों, विशेषताओं, मापदंडों और onsemi - FCP190N60E के समान विनिर्देशों के साथ भागों

उत्पाद विशेषता मान बताइए  
उत्पादक onsemi  
वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र 3.5V @ 250µA  
वीजीएस (मैक्स) ±20V  
प्रौद्योगिकी MOSFET (Metal Oxide)  
प्रदायक डिवाइस पैकेज TO-220-3  
शृंखला SuperFET® II  
आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस 190mOhm @ 10A, 10V  
शक्ति का अपव्यय (मैक्स) 208W (Tc)  
पैकेज / प्रकरण TO-220-3  
पैकेट Bulk  
उत्पाद विशेषता मान बताइए  
परिचालन तापमान -55°C ~ 150°C (TJ)  
माउन्टिंग का प्रकार Through Hole  
इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस 3175 pF @ 25 V  
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस 82 nC @ 10 V  
FET प्रकार N-Channel  
FET फ़ीचर -  
ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन) 10V  
स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss) 600 V  
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ ​​25 डिग्री सेल्सियस 20.6A (Tc)  

समान विनिर्देशों के साथ भाग

दाईं ओर के तीन भागों में onsemi FCP190N60E के समान विनिर्देश हैं।

उत्पाद विशेषता FCP190N60E FCP16N60 FCP16N60N FCP190N60-GF102
भाग संख्या FCP190N60E FCP16N60 FCP16N60N FCP190N60-GF102
उत्पादक onsemi Fairchild Semiconductor onsemi Fairchild Semiconductor
आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस 190mOhm @ 10A, 10V 260mOhm @ 8A, 10V 199mOhm @ 8A, 10V 199mOhm @ 10A, 10V
पैकेट Bulk Bulk Tube Bulk
शक्ति का अपव्यय (मैक्स) 208W (Tc) 167W (Tc) 134.4W (Tc) 208W (Tc)
वीजीएस (मैक्स) ±20V ±30V ±30V ±20V
शृंखला SuperFET® II SuperFET™ SupreMOS™ SuperFET® II
वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र 3.5V @ 250µA 5V @ 250µA 4V @ 250µA 3.5V @ 250µA
परिचालन तापमान -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ ​​25 डिग्री सेल्सियस 20.6A (Tc) 16A (Tc) 16A (Tc) 20.2A (Tc)
प्रदायक डिवाइस पैकेज TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss) 600 V 600 V 600 V 600 V
FET प्रकार N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
पैकेज / प्रकरण TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस 82 nC @ 10 V 70 nC @ 10 V 52.3 nC @ 10 V 74 nC @ 10 V
प्रौद्योगिकी MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
माउन्टिंग का प्रकार Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन) 10V 10V 10V 10V
इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस 3175 pF @ 25 V 2250 pF @ 25 V 2170 pF @ 100 V 2950 pF @ 25 V
FET फ़ीचर - - - -

FCP190N60E डेटशीट पीडीएफ

FCP190N60E - onsemi के लिए FCP190N60E PDF DataSheets और onsemi प्रलेखन डाउनलोड करें।

डाटा शीट
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क्षेत्र देश लॉजिस्टिक टाइम (दिन)
अमेरिका संयुक्त राज्य अमेरिका 5
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यूरोप जर्मनी 5
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ओशिनिया ऑस्ट्रेलिया 6
न्यूज़ीलैंड 5
एशिया भारत 4
जापान 4
मध्य पूर्व इजराइल 6
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0.00 किग्रा -1.00 किग्रा USD $30.00 - USD $60.00
1.00 किग्रा -2.00 किग्रा USD $40.00 - USD $80.00
2.00 किग्रा -3.00 किग्रा USD $50.00 - USD $100.00
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