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घरउत्पादअसतत सेमीकंडक्टर उत्पादट्रांजिस्टर - एफईटी, एमओएसएफईटी - सिंगलFCP600N60Z
FCP600N60Z Image
FCP600N60Z Image - 1
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FCP600N60Z - onsemi

उत्पादक भाग संख्या
FCP600N60Z
उत्पादक
onsemi
Allelco भाग संख्या
32D-FCP600N60Z
ईसीएडी मॉडल
भागों का विवरण
MOSFET N-CH 600V 7.4A TO220-3
विस्तृत विवरण
पैकेज
TO-220-3
विवरण तालिका
FCP600N60Z, FCPF600N60Z.pdf
RoHs स्थिति
तुलना
स्टॉक में: 37774

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मात्रा

विशेष विवरण

FCP600N60Z तकनीकी विनिर्देश
onsemi - FCP600N60Z तकनीकी विनिर्देशों, विशेषताओं, मापदंडों और onsemi - FCP600N60Z के समान विनिर्देशों के साथ भागों

उत्पाद विशेषता मान बताइए  
उत्पादक onsemi  
वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र 3.5V @ 250µA  
वीजीएस (मैक्स) ±20V  
प्रौद्योगिकी MOSFET (Metal Oxide)  
प्रदायक डिवाइस पैकेज TO-220-3  
शृंखला SuperFET® II  
आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस 600mOhm @ 3.7A, 10V  
शक्ति का अपव्यय (मैक्स) 89W (Tc)  
पैकेज / प्रकरण TO-220-3  
पैकेट Tube  
उत्पाद विशेषता मान बताइए  
परिचालन तापमान -55°C ~ 150°C (TJ)  
माउन्टिंग का प्रकार Through Hole  
इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस 1120 pF @ 25 V  
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस 26 nC @ 10 V  
FET प्रकार N-Channel  
FET फ़ीचर -  
ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन) 10V  
स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss) 600 V  
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ ​​25 डिग्री सेल्सियस 7.4A (Tc)  
आधार उत्पाद संख्या FCP600  

समान विनिर्देशों के साथ भाग

दाईं ओर के तीन भागों में onsemi FCP600N60Z के समान विनिर्देश हैं।

उत्पाद विशेषता FCP600N60Z FCP600N60Z FCP4N60 FCP9N60N
भाग संख्या FCP600N60Z FCP600N60Z FCP4N60 FCP9N60N
उत्पादक onsemi Fairchild Semiconductor Fairchild Semiconductor onsemi
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस 26 nC @ 10 V 26 nC @ 10 V 16.6 nC @ 10 V 29 nC @ 10 V
पैकेट Tube Bulk Bulk Tube
आधार उत्पाद संख्या FCP600 - - FCP9N60
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ ​​25 डिग्री सेल्सियस 7.4A (Tc) 7.4A (Tc) 3.9A (Tc) 9A (Tc)
स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss) 600 V 600 V 600 V 600 V
FET फ़ीचर - - - -
प्रदायक डिवाइस पैकेज TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
FET प्रकार N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन) 10V 10V 10V 10V
वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र 3.5V @ 250µA 3.5V @ 250µA 5V @ 250µA 4V @ 250µA
आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस 600mOhm @ 3.7A, 10V 600mOhm @ 3.7A, 10V 1.2Ohm @ 2A, 10V 385mOhm @ 4.5A, 10V
पैकेज / प्रकरण TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
वीजीएस (मैक्स) ±20V ±20V ±30V ±30V
शक्ति का अपव्यय (मैक्स) 89W (Tc) 89W (Tc) 50W (Tc) 83.3W (Tc)
शृंखला SuperFET® II SuperFET® II SuperFET™ SuperMOS™
प्रौद्योगिकी MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
माउन्टिंग का प्रकार Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
परिचालन तापमान -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस 1120 pF @ 25 V 1120 pF @ 25 V 540 pF @ 25 V 1240 pF @ 100 V

FCP600N60Z डेटशीट पीडीएफ

FCP600N60Z - onsemi के लिए FCP600N60Z PDF DataSheets और onsemi प्रलेखन डाउनलोड करें।

डाटा शीट
FCP600N60Z, FCPF600N60Z.pdf
पर्यावरण सूचना
onsemi RoHS.pdf
पीसीएन डिजाइन/विनिर्देश
Logo 17/Aug/2017.pdf
पीसीएन पैकेजिंग
Mult Devices 24/Oct/2017.pdf Tape and Box/Reel Barcode Update 07/Aug/2014.pdf
PCN असेंबली/ओरिजिन
Mult Dev Assembly/Mat Chg 16/Jan/2020.pdf

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सामान्य देश लॉजिस्टिक टाइम संदर्भ
क्षेत्र देश लॉजिस्टिक टाइम (दिन)
अमेरिका संयुक्त राज्य अमेरिका 5
ब्राज़िल 7
यूरोप जर्मनी 5
यूनाइटेड किंगडम 4
इटली 5
ओशिनिया ऑस्ट्रेलिया 6
न्यूज़ीलैंड 5
एशिया भारत 4
जापान 4
मध्य पूर्व इजराइल 6
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शिपमेंट शुल्क संदर्भ डीएचएल (यूएसडी $)
0.00 किग्रा -1.00 किग्रा USD $30.00 - USD $60.00
1.00 किग्रा -2.00 किग्रा USD $40.00 - USD $80.00
2.00 किग्रा -3.00 किग्रा USD $50.00 - USD $100.00
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