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घरउत्पादअसतत सेमीकंडक्टर उत्पादट्रांजिस्टर - एफईटी, एमओएसएफईटी - सिंगलFDAF59N30
onsemi
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FDAF59N30 - onsemi

उत्पादक भाग संख्या
FDAF59N30
उत्पादक
onsemi
Allelco भाग संख्या
32D-FDAF59N30
ईसीएडी मॉडल
भागों का विवरण
MOSFET N-CH 300V 34A TO3PF
विस्तृत विवरण
पैकेज
TO-3P-3 Full Pack
विवरण तालिका
FDAF59N30.pdf
तुलना
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मात्रा

विशेष विवरण

FDAF59N30 तकनीकी विनिर्देश
onsemi - FDAF59N30 तकनीकी विनिर्देशों, विशेषताओं, मापदंडों और onsemi - FDAF59N30 के समान विनिर्देशों के साथ भागों

उत्पाद विशेषता मान बताइए  
उत्पादक onsemi  
वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र 5V @ 250µA  
वीजीएस (मैक्स) ±30V  
प्रौद्योगिकी MOSFET (Metal Oxide)  
प्रदायक डिवाइस पैकेज TO-3PF  
शृंखला UniFET™  
आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस 56mOhm @ 17A, 10V  
शक्ति का अपव्यय (मैक्स) 161W (Tc)  
पैकेज / प्रकरण TO-3P-3 Full Pack  
पैकेट Tube  
उत्पाद विशेषता मान बताइए  
परिचालन तापमान -55°C ~ 150°C (TJ)  
माउन्टिंग का प्रकार Through Hole  
इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस 4670 pF @ 25 V  
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस 100 nC @ 10 V  
FET प्रकार N-Channel  
FET फ़ीचर -  
ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन) 10V  
स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss) 300 V  
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ ​​25 डिग्री सेल्सियस 34A (Tc)  
आधार उत्पाद संख्या FDAF59  

समान विनिर्देशों के साथ भाग

दाईं ओर के तीन भागों में onsemi FDAF59N30 के समान विनिर्देश हैं।

उत्पाद विशेषता FDAF59N30 FDAF59N30 FDA8440 FDA70N20
भाग संख्या FDAF59N30 FDAF59N30 FDA8440 FDA70N20
उत्पादक onsemi Fairchild Semiconductor onsemi onsemi
आधार उत्पाद संख्या FDAF59 - FDA84 FDA70
ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन) 10V 10V 4.5V, 10V 10V
माउन्टिंग का प्रकार Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस 4670 pF @ 25 V 4670 pF @ 25 V 24740 pF @ 25 V 3970 pF @ 25 V
FET फ़ीचर - - - -
स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss) 300 V 300 V 40 V 200 V
पैकेज / प्रकरण TO-3P-3 Full Pack TO-3P-3 Full Pack TO-3P-3, SC-65-3 TO-3P-3, SC-65-3
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस 100 nC @ 10 V 100 nC @ 10 V 450 nC @ 10 V 86 nC @ 10 V
शृंखला UniFET™ UniFET™ PowerTrench® UniFET™
आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस 56mOhm @ 17A, 10V 56mOhm @ 17A, 10V 2.1mOhm @ 80A, 10V 35mOhm @ 35A, 10V
परिचालन तापमान -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
प्रदायक डिवाइस पैकेज TO-3PF TO-3PF TO-3PN TO-3PN
वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र 5V @ 250µA 5V @ 250µA 3V @ 250µA 5V @ 250µA
पैकेट Tube Tube Tube Tube
FET प्रकार N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
प्रौद्योगिकी MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
वीजीएस (मैक्स) ±30V ±30V ±20V ±30V
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ ​​25 डिग्री सेल्सियस 34A (Tc) 34A (Tc) 30A (Ta), 100A (Tc) 70A (Tc)
शक्ति का अपव्यय (मैक्स) 161W (Tc) 161W (Tc) 306W (Tc) 417W (Tc)

FDAF59N30 डेटशीट पीडीएफ

FDAF59N30 - onsemi के लिए FDAF59N30 PDF DataSheets और onsemi प्रलेखन डाउनलोड करें।

डाटा शीट
FDAF59N30.pdf
पर्यावरण सूचना
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf

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क्षेत्र देश लॉजिस्टिक टाइम (दिन)
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ओशिनिया ऑस्ट्रेलिया 6
न्यूज़ीलैंड 5
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जापान 4
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1.00 किग्रा -2.00 किग्रा USD $40.00 - USD $80.00
2.00 किग्रा -3.00 किग्रा USD $50.00 - USD $100.00
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