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घरउत्पादअसतत सेमीकंडक्टर उत्पादट्रांजिस्टर - एफईटी, एमओएसएफईटी - सिंगलFDB029N06
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FDB029N06 - onsemi

उत्पादक भाग संख्या
FDB029N06
उत्पादक
onsemi
Allelco भाग संख्या
32D-FDB029N06
ईसीएडी मॉडल
भागों का विवरण
MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK
विस्तृत विवरण
पैकेज
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
विवरण तालिका
FDB029N06.pdf
RoHs स्थिति
तुलना
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मात्रा

विशेष विवरण

FDB029N06 तकनीकी विनिर्देश
onsemi - FDB029N06 तकनीकी विनिर्देशों, विशेषताओं, मापदंडों और onsemi - FDB029N06 के समान विनिर्देशों के साथ भागों

उत्पाद विशेषता मान बताइए  
उत्पादक onsemi  
वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र 4.5V @ 250µA  
वीजीएस (मैक्स) ±20V  
प्रौद्योगिकी MOSFET (Metal Oxide)  
प्रदायक डिवाइस पैकेज D²PAK (TO-263)  
शृंखला PowerTrench®  
आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस 3.1mOhm @ 75A, 10V  
शक्ति का अपव्यय (मैक्स) 231W (Tc)  
पैकेज / प्रकरण TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB  
पैकेट Tape & Reel (TR)  
उत्पाद विशेषता मान बताइए  
परिचालन तापमान -55°C ~ 175°C (TJ)  
माउन्टिंग का प्रकार Surface Mount  
इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस 9815 pF @ 25 V  
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस 151 nC @ 10 V  
FET प्रकार N-Channel  
FET फ़ीचर -  
ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन) 10V  
स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss) 60 V  
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ ​​25 डिग्री सेल्सियस 120A (Tc)  
आधार उत्पाद संख्या FDB029  

समान विनिर्देशों के साथ भाग

दाईं ओर के तीन भागों में onsemi FDB029N06 के समान विनिर्देश हैं।

उत्पाद विशेषता FDB029N06 FDB024N08BL7 FDB035AN06A0 FDB024N04AL7
भाग संख्या FDB029N06 FDB024N08BL7 FDB035AN06A0 FDB024N04AL7
उत्पादक onsemi onsemi onsemi onsemi
माउन्टिंग का प्रकार Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
प्रदायक डिवाइस पैकेज D²PAK (TO-263) TO-263-7 D²PAK (TO-263) TO-263-7
FET प्रकार N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस 3.1mOhm @ 75A, 10V 2.4mOhm @ 100A, 10V 3.5mOhm @ 80A, 10V 2.4mOhm @ 80A, 10V
आधार उत्पाद संख्या FDB029 FDB024 FDB035 FDB024
शक्ति का अपव्यय (मैक्स) 231W (Tc) 246W (Tc) 310W (Tc) 214W (Tc)
प्रौद्योगिकी MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
पैकेज / प्रकरण TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab) TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)
पैकेट Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ ​​25 डिग्री सेल्सियस 120A (Tc) 120A (Tc) 22A (Ta), 80A (Tc) 100A (Tc)
वीजीएस (मैक्स) ±20V ±20V ±20V ±20V
इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस 9815 pF @ 25 V 13530 pF @ 40 V 6400 pF @ 25 V 7300 pF @ 25 V
वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र 4.5V @ 250µA 4.5V @ 250µA 4V @ 250µA 3V @ 250µA
ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन) 10V 10V 6V, 10V 10V
शृंखला PowerTrench® PowerTrench® PowerTrench® PowerTrench®
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस 151 nC @ 10 V 178 nC @ 10 V 124 nC @ 10 V 109 nC @ 10 V
स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss) 60 V 80 V 60 V 40 V
परिचालन तापमान -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
FET फ़ीचर - - - -

FDB029N06 डेटशीट पीडीएफ

FDB029N06 - onsemi के लिए FDB029N06 PDF DataSheets और onsemi प्रलेखन डाउनलोड करें।

डाटा शीट
FDB029N06.pdf
पर्यावरण सूचना
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
पीसीएन डिजाइन/विनिर्देश
Logo 17/Aug/2017.pdf Description Chg 01/Apr/2016.pdf
पीसीएन पैकेजिंग
Mult Devices 24/Oct/2017.pdf TO263 31/Aug/2016.pdf
PCN असेंबली/ओरिजिन
Assembly Change 09/May/2023.pdf

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सामान्य देश लॉजिस्टिक टाइम संदर्भ
क्षेत्र देश लॉजिस्टिक टाइम (दिन)
अमेरिका संयुक्त राज्य अमेरिका 5
ब्राज़िल 7
यूरोप जर्मनी 5
यूनाइटेड किंगडम 4
इटली 5
ओशिनिया ऑस्ट्रेलिया 6
न्यूज़ीलैंड 5
एशिया भारत 4
जापान 4
मध्य पूर्व इजराइल 6
डीएचएल और फेडेक्स शिपमेंट चार्ज संदर्भ
शिपमेंट शुल्क संदर्भ डीएचएल (यूएसडी $)
0.00 किग्रा -1.00 किग्रा USD $30.00 - USD $60.00
1.00 किग्रा -2.00 किग्रा USD $40.00 - USD $80.00
2.00 किग्रा -3.00 किग्रा USD $50.00 - USD $100.00
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