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घरउत्पादअसतत सेमीकंडक्टर उत्पादट्रांजिस्टर - एफईटी, एमओएसएफईटी - सिंगलFDB120N10
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FDB120N10 - onsemi

उत्पादक भाग संख्या
FDB120N10
उत्पादक
onsemi
Allelco भाग संख्या
32D-FDB120N10
ईसीएडी मॉडल
भागों का विवरण
MOSFET N-CH 100V 74A D2PAK
विस्तृत विवरण
पैकेज
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
विवरण तालिका
FDB120N10.pdf
RoHs स्थिति
तुलना
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मात्रा

विशेष विवरण

FDB120N10 तकनीकी विनिर्देश
onsemi - FDB120N10 तकनीकी विनिर्देशों, विशेषताओं, मापदंडों और onsemi - FDB120N10 के समान विनिर्देशों के साथ भागों

उत्पाद विशेषता मान बताइए  
उत्पादक onsemi  
वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र 4.5V @ 250µA  
वीजीएस (मैक्स) ±20V  
प्रौद्योगिकी MOSFET (Metal Oxide)  
प्रदायक डिवाइस पैकेज D²PAK (TO-263)  
शृंखला PowerTrench®  
आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस 12mOhm @ 74A, 10V  
शक्ति का अपव्यय (मैक्स) 170W (Tc)  
पैकेज / प्रकरण TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB  
पैकेट Tape & Reel (TR)  
उत्पाद विशेषता मान बताइए  
परिचालन तापमान -55°C ~ 175°C (TJ)  
माउन्टिंग का प्रकार Surface Mount  
इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस 5605 pF @ 25 V  
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस 86 nC @ 10 V  
FET प्रकार N-Channel  
FET फ़ीचर -  
ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन) 10V  
स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss) 100 V  
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ ​​25 डिग्री सेल्सियस 74A (Tc)  
आधार उत्पाद संख्या FDB120  

समान विनिर्देशों के साथ भाग

दाईं ओर के तीन भागों में onsemi FDB120N10 के समान विनिर्देश हैं।

उत्पाद विशेषता FDB120N10 FDB10AN06A0 FDB088N08 FDB110N15A
भाग संख्या FDB120N10 FDB10AN06A0 FDB088N08 FDB110N15A
उत्पादक onsemi onsemi onsemi onsemi
वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र 4.5V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA
प्रौद्योगिकी MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस 86 nC @ 10 V 37 nC @ 10 V 118 nC @ 10 V 61 nC @ 10 V
इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस 5605 pF @ 25 V 1840 pF @ 25 V 6595 pF @ 25 V 4510 pF @ 75 V
शक्ति का अपव्यय (मैक्स) 170W (Tc) 135W (Tc) 160W (Tc) 234W (Tc)
ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन) 10V 6V, 10V 10V 10V
शृंखला PowerTrench® PowerTrench® PowerTrench® PowerTrench®
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ ​​25 डिग्री सेल्सियस 74A (Tc) 12A (Ta), 75A (Tc) 120A (Tc) 92A (Tc)
FET प्रकार N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss) 100 V 60 V 75 V 150 V
परिचालन तापमान -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
पैकेट Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
वीजीएस (मैक्स) ±20V ±20V ±20V ±20V
आधार उत्पाद संख्या FDB120 FDB10 FDB088 FDB110
माउन्टिंग का प्रकार Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
प्रदायक डिवाइस पैकेज D²PAK (TO-263) D²PAK (TO-263) D²PAK (TO-263) D²PAK (TO-263)
पैकेज / प्रकरण TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
FET फ़ीचर - - - -
आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस 12mOhm @ 74A, 10V 10.5mOhm @ 75A, 10V 8.8mOhm @ 75A, 10V 11mOhm @ 92A, 10V

FDB120N10 डेटशीट पीडीएफ

FDB120N10 - onsemi के लिए FDB120N10 PDF DataSheets और onsemi प्रलेखन डाउनलोड करें।

डाटा शीट
FDB120N10.pdf
पर्यावरण सूचना
onsemi RoHS.pdf
पीसीएन पैकेजिंग
Mult Devices 24/Oct/2017.pdf TO263 31/Aug/2016.pdf
पीसीएन डिजाइन/विनिर्देश
Description Chg 01/Apr/2016.pdf SOA curve 01/Jul/2013.pdf
PCN असेंबली/ओरिजिन
Assembly Change 09/May/2023.pdf

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सामान्य देश लॉजिस्टिक टाइम संदर्भ
क्षेत्र देश लॉजिस्टिक टाइम (दिन)
अमेरिका संयुक्त राज्य अमेरिका 5
ब्राज़िल 7
यूरोप जर्मनी 5
यूनाइटेड किंगडम 4
इटली 5
ओशिनिया ऑस्ट्रेलिया 6
न्यूज़ीलैंड 5
एशिया भारत 4
जापान 4
मध्य पूर्व इजराइल 6
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शिपमेंट शुल्क संदर्भ डीएचएल (यूएसडी $)
0.00 किग्रा -1.00 किग्रा USD $30.00 - USD $60.00
1.00 किग्रा -2.00 किग्रा USD $40.00 - USD $80.00
2.00 किग्रा -3.00 किग्रा USD $50.00 - USD $100.00
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