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घरउत्पादअसतत सेमीकंडक्टर उत्पादट्रांजिस्टर - एफईटी, एमओएसएफईटी - सिंगलFDC5614P
onsemi
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FDC5614P - onsemi

उत्पादक भाग संख्या
FDC5614P
उत्पादक
onsemi
Allelco भाग संख्या
32D-FDC5614P
ईसीएडी मॉडल
भागों का विवरण
MOSFET P-CH 60V 3A SUPERSOT6
विस्तृत विवरण
पैकेज
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
विवरण तालिका
FDC5614P.pdf
RoHs स्थिति
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मात्रा

विशेष विवरण

FDC5614P तकनीकी विनिर्देश
onsemi - FDC5614P तकनीकी विनिर्देशों, विशेषताओं, मापदंडों और onsemi - FDC5614P के समान विनिर्देशों के साथ भागों

उत्पाद विशेषता मान बताइए  
उत्पादक onsemi  
वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र 3V @ 250µA  
वीजीएस (मैक्स) ±20V  
प्रौद्योगिकी MOSFET (Metal Oxide)  
प्रदायक डिवाइस पैकेज SuperSOT™-6  
शृंखला PowerTrench®  
आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस 105mOhm @ 3A, 10V  
शक्ति का अपव्यय (मैक्स) 1.6W (Ta)  
पैकेज / प्रकरण SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6  
पैकेट Tape & Reel (TR)  
उत्पाद विशेषता मान बताइए  
परिचालन तापमान -55°C ~ 150°C (TJ)  
माउन्टिंग का प्रकार Surface Mount  
इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस 759 pF @ 30 V  
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस 24 nC @ 10 V  
FET प्रकार P-Channel  
FET फ़ीचर -  
ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन) 4.5V, 10V  
स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss) 60 V  
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ ​​25 डिग्री सेल्सियस 3A (Ta)  
आधार उत्पाद संख्या FDC5614  

समान विनिर्देशों के साथ भाग

दाईं ओर के तीन भागों में onsemi FDC5614P के समान विनिर्देश हैं।

उत्पाद विशेषता FDC5614P FDC5612 FDC5661N FDC5661N-F085
भाग संख्या FDC5614P FDC5612 FDC5661N FDC5661N-F085
उत्पादक onsemi onsemi Fairchild Semiconductor onsemi
FET फ़ीचर - - - -
ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन) 4.5V, 10V 6V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V
शक्ति का अपव्यय (मैक्स) 1.6W (Ta) 1.6W (Ta) 1.6W (Ta) 1.6W (Ta)
FET प्रकार P-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
माउन्टिंग का प्रकार Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र 3V @ 250µA 4V @ 250µA 3V @ 250µA 3V @ 250µA
प्रौद्योगिकी MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ ​​25 डिग्री सेल्सियस 3A (Ta) 4.3A (Ta) 4.3A (Ta) 4.3A (Ta)
आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस 105mOhm @ 3A, 10V 55mOhm @ 4.3A, 10V 47mOhm @ 4.3A, 10V 47mOhm @ 4.3A, 10V
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस 24 nC @ 10 V 18 nC @ 10 V 19 nC @ 10 V 19 nC @ 10 V
आधार उत्पाद संख्या FDC5614 FDC5612 - FDC5661
स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss) 60 V 60 V 60 V 60 V
पैकेज / प्रकरण SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
शृंखला PowerTrench® PowerTrench® PowerTrench® Automotive, AEC-Q101, PowerTrench®
परिचालन तापमान -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस 759 pF @ 30 V 650 pF @ 25 V 763 pF @ 25 V 763 pF @ 25 V
प्रदायक डिवाइस पैकेज SuperSOT™-6 SuperSOT™-6 TSOT-23-6 SuperSOT™-6
पैकेट Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Bulk Tape & Reel (TR)
वीजीएस (मैक्स) ±20V ±20V ±20V ±20V

FDC5614P डेटशीट पीडीएफ

FDC5614P - onsemi के लिए FDC5614P PDF DataSheets और onsemi प्रलेखन डाउनलोड करें।

डाटा शीट
FDC5614P.pdf
पर्यावरण सूचना
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
पीसीएन पैकेजिंग
Mult Devices 24/Oct/2017.pdf Marking Change 07/Oct/2022.pdf
पीसीएन डिजाइन/विनिर्देश
Marking Change 07/Oct/2022.pdf Marking Change 17/Nov/2021.pdf
PCN असेंबली/ओरिजिन
Mult Dev A/T Chgs 13/Dec/2021.pdf

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सामान्य देश लॉजिस्टिक टाइम संदर्भ
क्षेत्र देश लॉजिस्टिक टाइम (दिन)
अमेरिका संयुक्त राज्य अमेरिका 5
ब्राज़िल 7
यूरोप जर्मनी 5
यूनाइटेड किंगडम 4
इटली 5
ओशिनिया ऑस्ट्रेलिया 6
न्यूज़ीलैंड 5
एशिया भारत 4
जापान 4
मध्य पूर्व इजराइल 6
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0.00 किग्रा -1.00 किग्रा USD $30.00 - USD $60.00
1.00 किग्रा -2.00 किग्रा USD $40.00 - USD $80.00
2.00 किग्रा -3.00 किग्रा USD $50.00 - USD $100.00
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