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घरउत्पादअसतत सेमीकंडक्टर उत्पादट्रांजिस्टर - एफईटी, एमओएसएफईटी - सिंगलFDD7N25LZTM
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FDD7N25LZTM - onsemi

उत्पादक भाग संख्या
FDD7N25LZTM
उत्पादक
onsemi
Allelco भाग संख्या
32D-FDD7N25LZTM
ईसीएडी मॉडल
भागों का विवरण
MOSFET N-CH 250V 6.2A DPAK
विस्तृत विवरण
पैकेज
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
विवरण तालिका
FDD7N25LZ.pdf
RoHs स्थिति
तुलना
स्टॉक में: 120360

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मात्रा

विशेष विवरण

FDD7N25LZTM तकनीकी विनिर्देश
onsemi - FDD7N25LZTM तकनीकी विनिर्देशों, विशेषताओं, मापदंडों और onsemi - FDD7N25LZTM के समान विनिर्देशों के साथ भागों

उत्पाद विशेषता मान बताइए  
उत्पादक onsemi  
वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र 2V @ 250µA  
वीजीएस (मैक्स) ±20V  
प्रौद्योगिकी MOSFET (Metal Oxide)  
प्रदायक डिवाइस पैकेज TO-252AA  
शृंखला UniFET™  
आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस 550mOhm @ 3.1A, 10V  
शक्ति का अपव्यय (मैक्स) 56W (Tc)  
पैकेज / प्रकरण TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63  
पैकेट Tape & Reel (TR)  
उत्पाद विशेषता मान बताइए  
परिचालन तापमान -55°C ~ 150°C (TJ)  
माउन्टिंग का प्रकार Surface Mount  
इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस 635 pF @ 25 V  
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस 16 nC @ 10 V  
FET प्रकार N-Channel  
FET फ़ीचर -  
ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन) 5V, 10V  
स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss) 250 V  
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ ​​25 डिग्री सेल्सियस 6.2A (Tc)  
आधार उत्पाद संख्या FDD7N25  

समान विनिर्देशों के साथ भाग

दाईं ओर के तीन भागों में onsemi FDD7N25LZTM के समान विनिर्देश हैं।

उत्पाद विशेषता FDD7N25LZTM FDD7N25LZTM FDD7N60NZTM FDD7N60NZTM
भाग संख्या FDD7N25LZTM FDD7N25LZTM FDD7N60NZTM FDD7N60NZTM
उत्पादक onsemi Fairchild Semiconductor Fairchild Semiconductor onsemi
प्रौद्योगिकी MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
FET फ़ीचर - - - -
शक्ति का अपव्यय (मैक्स) 56W (Tc) 56W (Tc) 90W (Tc) 90W (Tc)
स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss) 250 V 250 V 600 V 600 V
इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस 635 pF @ 25 V 635 pF @ 25 V 730 pF @ 25 V 730 pF @ 25 V
FET प्रकार N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
परिचालन तापमान -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
वीजीएस (मैक्स) ±20V ±20V ±25V ±25V
पैकेज / प्रकरण TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन) 5V, 10V 5V, 10V 10V 10V
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस 16 nC @ 10 V 16 nC @ 10 V 17 nC @ 10 V 17 nC @ 10 V
पैकेट Tape & Reel (TR) Bulk Bulk Tape & Reel (TR)
आधार उत्पाद संख्या FDD7N25 - - FDD7N60
शृंखला UniFET™ UniFET™ UniFET-II™ UniFET-II™
माउन्टिंग का प्रकार Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस 550mOhm @ 3.1A, 10V 550mOhm @ 3.1A, 10V 1.25Ohm @ 2.75A, 10V 1.25Ohm @ 2.75A, 10V
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ ​​25 डिग्री सेल्सियस 6.2A (Tc) 6.2A (Tc) 5.5A (Tc) 5.5A (Tc)
प्रदायक डिवाइस पैकेज TO-252AA TO-252, (D-Pak) TO-252, (D-Pak) TO-252AA
वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र 2V @ 250µA 2V @ 250µA 5V @ 250µA 5V @ 250µA

FDD7N25LZTM डेटशीट पीडीएफ

FDD7N25LZTM - onsemi के लिए FDD7N25LZTM PDF DataSheets और onsemi प्रलेखन डाउनलोड करें।

डाटा शीट
FDD7N25LZ.pdf
पर्यावरण सूचना
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
पीसीएन डिजाइन/विनिर्देश
Logo 17/Aug/2017.pdf Postponed Qualification 27/Dec/2022.pdf
पीसीएन पैकेजिंग
Mult Devices 24/Oct/2017.pdf Tape and Box/Reel Barcode Update 07/Aug/2014.pdf
PCN असेंबली/ओरिजिन
Assembly Change 28/May/2023.pdf

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सामान्य देश लॉजिस्टिक टाइम संदर्भ
क्षेत्र देश लॉजिस्टिक टाइम (दिन)
अमेरिका संयुक्त राज्य अमेरिका 5
ब्राज़िल 7
यूरोप जर्मनी 5
यूनाइटेड किंगडम 4
इटली 5
ओशिनिया ऑस्ट्रेलिया 6
न्यूज़ीलैंड 5
एशिया भारत 4
जापान 4
मध्य पूर्व इजराइल 6
डीएचएल और फेडेक्स शिपमेंट चार्ज संदर्भ
शिपमेंट शुल्क संदर्भ डीएचएल (यूएसडी $)
0.00 किग्रा -1.00 किग्रा USD $30.00 - USD $60.00
1.00 किग्रा -2.00 किग्रा USD $40.00 - USD $80.00
2.00 किग्रा -3.00 किग्रा USD $50.00 - USD $100.00
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