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घरउत्पादअसतत सेमीकंडक्टर उत्पादट्रांजिस्टर - एफईटी, एमओएसएफईटी - सिंगलFDD850N10L
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FDD850N10L - onsemi

उत्पादक भाग संख्या
FDD850N10L
उत्पादक
onsemi
Allelco भाग संख्या
32D-FDD850N10L
ईसीएडी मॉडल
भागों का विवरण
MOSFET N-CH 100V 15.7A DPAK
विस्तृत विवरण
पैकेज
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
विवरण तालिका
FDD850N10L.pdf
RoHs स्थिति
तुलना
स्टॉक में: 63020

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मात्रा

विशेष विवरण

FDD850N10L तकनीकी विनिर्देश
onsemi - FDD850N10L तकनीकी विनिर्देशों, विशेषताओं, मापदंडों और onsemi - FDD850N10L के समान विनिर्देशों के साथ भागों

उत्पाद विशेषता मान बताइए  
उत्पादक onsemi  
वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र 2.5V @ 250µA  
वीजीएस (मैक्स) ±20V  
प्रौद्योगिकी MOSFET (Metal Oxide)  
प्रदायक डिवाइस पैकेज TO-252AA  
शृंखला PowerTrench®  
आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस 75mOhm @ 12A, 10V  
शक्ति का अपव्यय (मैक्स) 50W (Tc)  
पैकेज / प्रकरण TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63  
पैकेट Tape & Reel (TR)  
उत्पाद विशेषता मान बताइए  
परिचालन तापमान -55°C ~ 175°C (TJ)  
माउन्टिंग का प्रकार Surface Mount  
इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस 1465 pF @ 25 V  
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस 28.9 nC @ 10 V  
FET प्रकार N-Channel  
FET फ़ीचर -  
ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन) 5V, 10V  
स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss) 100 V  
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ ​​25 डिग्री सेल्सियस 15.7A (Tc)  
आधार उत्पाद संख्या FDD850  

समान विनिर्देशों के साथ भाग

दाईं ओर के तीन भागों में onsemi FDD850N10L के समान विनिर्देश हैं।

उत्पाद विशेषता FDD850N10L FDD8451 FDD850N10L FDD8586
भाग संख्या FDD850N10L FDD8451 FDD850N10L FDD8586
उत्पादक onsemi onsemi Fairchild Semiconductor Fairchild Semiconductor
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ ​​25 डिग्री सेल्सियस 15.7A (Tc) 9A (Ta), 28A (Tc) 15.7A (Tc) 35A (Tc)
आधार उत्पाद संख्या FDD850 FDD845 - -
आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस 75mOhm @ 12A, 10V 24mOhm @ 9A, 10V 75mOhm @ 12A, 10V 5.5mOhm @ 35A, 10V
वीजीएस (मैक्स) ±20V ±20V ±20V ±20V
प्रौद्योगिकी MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस 1465 pF @ 25 V 990 pF @ 20 V 1465 pF @ 25 V 2480 pF @ 10 V
पैकेज / प्रकरण TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
माउन्टिंग का प्रकार Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
शक्ति का अपव्यय (मैक्स) 50W (Tc) 30W (Tc) 50W (Tc) 77W (Tc)
प्रदायक डिवाइस पैकेज TO-252AA TO-252AA TO-252, (D-Pak) TO-252, (D-Pak)
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस 28.9 nC @ 10 V 20 nC @ 10 V 28.9 nC @ 10 V 48 nC @ 10 V
FET प्रकार N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
परिचालन तापमान -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
शृंखला PowerTrench® PowerTrench® PowerTrench® PowerTrench®
FET फ़ीचर - - - -
वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र 2.5V @ 250µA 3V @ 250µA 2.5V @ 250µA 2.5V @ 250µA
पैकेट Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Bulk Bulk
स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss) 100 V 40 V 100 V 20 V
ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन) 5V, 10V 4.5V, 10V 5V, 10V 4.5V, 10V

FDD850N10L डेटशीट पीडीएफ

FDD850N10L - onsemi के लिए FDD850N10L PDF DataSheets और onsemi प्रलेखन डाउनलोड करें।

डाटा शीट
FDD850N10L.pdf
पर्यावरण सूचना
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
पीसीएन डिजाइन/विनिर्देश
Logo 17/Aug/2017.pdf Description Chg 01/Apr/2016.pdf
पीसीएन पैकेजिंग
Mult Devices 24/Oct/2017.pdf Tape and Box/Reel Barcode Update 07/Aug/2014.pdf
PCN असेंबली/ओरिजिन
Assembly Change 28/May/2023.pdf

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सामान्य देश लॉजिस्टिक टाइम संदर्भ
क्षेत्र देश लॉजिस्टिक टाइम (दिन)
अमेरिका संयुक्त राज्य अमेरिका 5
ब्राज़िल 7
यूरोप जर्मनी 5
यूनाइटेड किंगडम 4
इटली 5
ओशिनिया ऑस्ट्रेलिया 6
न्यूज़ीलैंड 5
एशिया भारत 4
जापान 4
मध्य पूर्व इजराइल 6
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0.00 किग्रा -1.00 किग्रा USD $30.00 - USD $60.00
1.00 किग्रा -2.00 किग्रा USD $40.00 - USD $80.00
2.00 किग्रा -3.00 किग्रा USD $50.00 - USD $100.00
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