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घरउत्पादअसतत सेमीकंडक्टर उत्पादट्रांजिस्टर - एफईटी, एमओएसएफईटी - सिंगलFDI150N10
onsemi
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FDI150N10 - onsemi

उत्पादक भाग संख्या
FDI150N10
उत्पादक
onsemi
Allelco भाग संख्या
32D-FDI150N10
ईसीएडी मॉडल
भागों का विवरण
MOSFET N-CH 100V 57A I2PAK
विस्तृत विवरण
पैकेज
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
विवरण तालिका
FDI150N10.pdf
RoHs स्थिति
तुलना
स्टॉक में: 28616

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मात्रा

विशेष विवरण

FDI150N10 तकनीकी विनिर्देश
onsemi - FDI150N10 तकनीकी विनिर्देशों, विशेषताओं, मापदंडों और onsemi - FDI150N10 के समान विनिर्देशों के साथ भागों

उत्पाद विशेषता मान बताइए  
उत्पादक onsemi  
वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र 4.5V @ 250µA  
वीजीएस (मैक्स) ±20V  
प्रौद्योगिकी MOSFET (Metal Oxide)  
प्रदायक डिवाइस पैकेज I2PAK (TO-262)  
शृंखला PowerTrench®  
आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस 16mOhm @ 49A, 10V  
शक्ति का अपव्यय (मैक्स) 110W (Tc)  
पैकेज / प्रकरण TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA  
पैकेट Tube  
उत्पाद विशेषता मान बताइए  
परिचालन तापमान -55°C ~ 150°C (TJ)  
माउन्टिंग का प्रकार Through Hole  
इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस 4760 pF @ 25 V  
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस 69 nC @ 10 V  
FET प्रकार N-Channel  
FET फ़ीचर -  
ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन) 10V  
स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss) 100 V  
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ ​​25 डिग्री सेल्सियस 57A (Tc)  
आधार उत्पाद संख्या FDI150  

समान विनिर्देशों के साथ भाग

दाईं ओर के तीन भागों में onsemi FDI150N10 के समान विनिर्देश हैं।

उत्पाद विशेषता FDI150N10 FDI047AN08A0 FDI3632 FDI2532
भाग संख्या FDI150N10 FDI047AN08A0 FDI3632 FDI2532
उत्पादक onsemi Fairchild Semiconductor onsemi onsemi
आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस 16mOhm @ 49A, 10V 4.7mOhm @ 80A, 10V 9mOhm @ 80A, 10V 16mOhm @ 33A, 10V
FET फ़ीचर - - - -
पैकेट Tube Tube Tube Tube
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ ​​25 डिग्री सेल्सियस 57A (Tc) 80A (Tc) 12A (Ta), 80A (Tc) 8A (Ta), 79A (Tc)
आधार उत्पाद संख्या FDI150 - FDI3632 FDI2532
FET प्रकार N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
माउन्टिंग का प्रकार Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन) 10V 6V, 10V 6V, 10V 6V, 10V
वीजीएस (मैक्स) ±20V ±20V ±20V ±20V
प्रौद्योगिकी MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस 69 nC @ 10 V 138 nC @ 10 V 110 nC @ 10 V 107 nC @ 10 V
शक्ति का अपव्यय (मैक्स) 110W (Tc) 310W (Tc) 310W (Tc) 310W (Tc)
वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र 4.5V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA
इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस 4760 pF @ 25 V 6600 pF @ 25 V 6000 pF @ 25 V 5870 pF @ 25 V
प्रदायक डिवाइस पैकेज I2PAK (TO-262) I2PAK (TO-262) I2PAK (TO-262) I2PAK (TO-262)
पैकेज / प्रकरण TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss) 100 V 75 V 100 V 150 V
शृंखला PowerTrench® PowerTrench® PowerTrench® PowerTrench®
परिचालन तापमान -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)

FDI150N10 डेटशीट पीडीएफ

FDI150N10 - onsemi के लिए FDI150N10 PDF DataSheets और onsemi प्रलेखन डाउनलोड करें।

डाटा शीट
FDI150N10.pdf
पर्यावरण सूचना
onsemi RoHS.pdf
पीसीएन डिजाइन/विनिर्देश
Logo 17/Aug/2017.pdf
पीसीएन पैकेजिंग
Mult Devices 24/Oct/2017.pdf Mult Dev Box Chgs 1/Jul/2021.pdf
PCN असेंबली/ओरिजिन
Assembly Change 09/May/2023.pdf

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सामान्य देश लॉजिस्टिक टाइम संदर्भ
क्षेत्र देश लॉजिस्टिक टाइम (दिन)
अमेरिका संयुक्त राज्य अमेरिका 5
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यूरोप जर्मनी 5
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इटली 5
ओशिनिया ऑस्ट्रेलिया 6
न्यूज़ीलैंड 5
एशिया भारत 4
जापान 4
मध्य पूर्व इजराइल 6
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0.00 किग्रा -1.00 किग्रा USD $30.00 - USD $60.00
1.00 किग्रा -2.00 किग्रा USD $40.00 - USD $80.00
2.00 किग्रा -3.00 किग्रा USD $50.00 - USD $100.00
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