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घरउत्पादअसतत सेमीकंडक्टर उत्पादट्रांजिस्टर - एफईटी, एमओएसएफईटी - सिंगलFDJ129P
onsemi
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FDJ129P - onsemi

उत्पादक भाग संख्या
FDJ129P
उत्पादक
onsemi
Allelco भाग संख्या
32D-FDJ129P
ईसीएडी मॉडल
भागों का विवरण
MOSFET P-CH 20V 4.2A SC75-6 FLMP
विस्तृत विवरण
पैकेज
SC-75-6 FLMP
विवरण तालिका
FDJ129P.pdf
तुलना
स्टॉक में: 3990

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मात्रा

विशेष विवरण

FDJ129P तकनीकी विनिर्देश
onsemi - FDJ129P तकनीकी विनिर्देशों, विशेषताओं, मापदंडों और onsemi - FDJ129P के समान विनिर्देशों के साथ भागों

उत्पाद विशेषता मान बताइए  
उत्पादक onsemi  
वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र 1.5V @ 250µA  
वीजीएस (मैक्स) ±12V  
प्रौद्योगिकी MOSFET (Metal Oxide)  
प्रदायक डिवाइस पैकेज SC75-6 FLMP  
शृंखला PowerTrench®  
आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस 70mOhm @ 4.2A, 4.5V  
शक्ति का अपव्यय (मैक्स) 1.6W (Ta)  
पैकेज / प्रकरण SC-75-6 FLMP  
पैकेट Tape & Reel (TR)  
उत्पाद विशेषता मान बताइए  
परिचालन तापमान -55°C ~ 150°C (TJ)  
माउन्टिंग का प्रकार Surface Mount  
इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस 780 pF @ 10 V  
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस 6 nC @ 4.5 V  
FET प्रकार P-Channel  
FET फ़ीचर -  
ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन) 2.5V, 4.5V  
स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss) 20 V  
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ ​​25 डिग्री सेल्सियस 4.2A (Ta)  
आधार उत्पाद संख्या FDJ129  

समान विनिर्देशों के साथ भाग

दाईं ओर के तीन भागों में onsemi FDJ129P के समान विनिर्देश हैं।

उत्पाद विशेषता FDJ129P STP18N65M2 DMN3110S-7 FDJ128N
भाग संख्या FDJ129P STP18N65M2 DMN3110S-7 FDJ128N
उत्पादक onsemi STMicroelectronics Diodes Incorporated onsemi
इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस 780 pF @ 10 V 770 pF @ 100 V 305.8 pF @ 15 V 543 pF @ 10 V
शृंखला PowerTrench® MDmesh™ M2 - PowerTrench®
शक्ति का अपव्यय (मैक्स) 1.6W (Ta) 110W (Tc) 740mW (Ta) 1.6W (Ta)
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस 6 nC @ 4.5 V 20 nC @ 10 V 8.6 nC @ 10 V 8 nC @ 5 V
वीजीएस (मैक्स) ±12V ±25V ±20V ±12V
प्रदायक डिवाइस पैकेज SC75-6 FLMP TO-220 SOT-23-3 SC75-6 FLMP
परिचालन तापमान -55°C ~ 150°C (TJ) 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस 70mOhm @ 4.2A, 4.5V 330mOhm @ 6A, 10V 73mOhm @ 3.1mA, 10V 35mOhm @ 5.5A, 4.5V
FET फ़ीचर - - - -
माउन्टिंग का प्रकार Surface Mount Through Hole Surface Mount Surface Mount
स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss) 20 V 650 V 30 V 20 V
पैकेट Tape & Reel (TR) Tube Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
पैकेज / प्रकरण SC-75-6 FLMP TO-220-3 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 SC-75-6 FLMP
ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन) 2.5V, 4.5V 10V 4.5V, 10V 2.5V, 4.5V
आधार उत्पाद संख्या FDJ129 STP18 DMN3110 FDJ128
प्रौद्योगिकी MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
FET प्रकार P-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र 1.5V @ 250µA 4V @ 250µA 3V @ 250µA 1.5V @ 250µA
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ ​​25 डिग्री सेल्सियस 4.2A (Ta) 12A (Tc) 2.5A (Ta) 5.5A (Ta)

FDJ129P डेटशीट पीडीएफ

FDJ129P - onsemi के लिए FDJ129P PDF DataSheets और onsemi प्रलेखन डाउनलोड करें।

डाटा शीट
FDJ129P.pdf
पर्यावरण सूचना
onsemi RoHS.pdf
पीसीएन डिजाइन/विनिर्देश
Mold Compound 27/March/2008.pdf

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क्षेत्र देश लॉजिस्टिक टाइम (दिन)
अमेरिका संयुक्त राज्य अमेरिका 5
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यूरोप जर्मनी 5
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इटली 5
ओशिनिया ऑस्ट्रेलिया 6
न्यूज़ीलैंड 5
एशिया भारत 4
जापान 4
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0.00 किग्रा -1.00 किग्रा USD $30.00 - USD $60.00
1.00 किग्रा -2.00 किग्रा USD $40.00 - USD $80.00
2.00 किग्रा -3.00 किग्रा USD $50.00 - USD $100.00
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