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घरउत्पादअसतत सेमीकंडक्टर उत्पादट्रांजिस्टर - एफईटी, एमओएसएफईटी - सिंगलFQD11P06TM
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FQD11P06TM - onsemi

उत्पादक भाग संख्या
FQD11P06TM
उत्पादक
onsemi
Allelco भाग संख्या
32D-FQD11P06TM
ईसीएडी मॉडल
भागों का विवरण
MOSFET P-CH 60V 9.4A DPAK
विस्तृत विवरण
पैकेज
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
विवरण तालिका
FQD11P06, FQU11P06.pdf
RoHs स्थिति
तुलना
स्टॉक में: 83460

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मात्रा

विशेष विवरण

FQD11P06TM तकनीकी विनिर्देश
onsemi - FQD11P06TM तकनीकी विनिर्देशों, विशेषताओं, मापदंडों और onsemi - FQD11P06TM के समान विनिर्देशों के साथ भागों

उत्पाद विशेषता मान बताइए  
उत्पादक onsemi  
वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र 4V @ 250µA  
वीजीएस (मैक्स) ±30V  
प्रौद्योगिकी MOSFET (Metal Oxide)  
प्रदायक डिवाइस पैकेज TO-252AA  
शृंखला QFET®  
आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस 185mOhm @ 4.7A, 10V  
शक्ति का अपव्यय (मैक्स) 2.5W (Ta), 38W (Tc)  
पैकेज / प्रकरण TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63  
पैकेट Tape & Reel (TR)  
उत्पाद विशेषता मान बताइए  
परिचालन तापमान -55°C ~ 150°C (TJ)  
माउन्टिंग का प्रकार Surface Mount  
इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस 550 pF @ 25 V  
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस 17 nC @ 10 V  
FET प्रकार P-Channel  
FET फ़ीचर -  
ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन) 10V  
स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss) 60 V  
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ ​​25 डिग्री सेल्सियस 9.4A (Tc)  
आधार उत्पाद संख्या FQD11P06  

समान विनिर्देशों के साथ भाग

दाईं ओर के तीन भागों में onsemi FQD11P06TM के समान विनिर्देश हैं।

उत्पाद विशेषता FQD11P06TM FQD11P06TF FQD10N20TF FQD12N20LTF
भाग संख्या FQD11P06TM FQD11P06TF FQD10N20TF FQD12N20LTF
उत्पादक onsemi onsemi onsemi onsemi
ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन) 10V 10V 10V 5V, 10V
पैकेट Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Bulk
FET फ़ीचर - - - -
स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss) 60 V 60 V 200 V 200 V
वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र 4V @ 250µA 4V @ 250µA 5V @ 250µA 2V @ 250µA
FET प्रकार P-Channel P-Channel N-Channel N-Channel
प्रौद्योगिकी MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
आधार उत्पाद संख्या FQD11P06 FQD1 FQD1 FQD1
पैकेज / प्रकरण TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ ​​25 डिग्री सेल्सियस 9.4A (Tc) 9.4A (Tc) 7.6A (Tc) 9A (Tc)
प्रदायक डिवाइस पैकेज TO-252AA TO-252AA TO-252AA TO-252AA
माउन्टिंग का प्रकार Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
वीजीएस (मैक्स) ±30V ±30V ±30V ±20V
परिचालन तापमान -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस 185mOhm @ 4.7A, 10V 185mOhm @ 4.7A, 10V 360mOhm @ 3.8A, 10V 280mOhm @ 4.5A, 10V
इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस 550 pF @ 25 V 550 pF @ 25 V 670 pF @ 25 V 1080 pF @ 25 V
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस 17 nC @ 10 V 17 nC @ 10 V 18 nC @ 10 V 21 nC @ 5 V
शक्ति का अपव्यय (मैक्स) 2.5W (Ta), 38W (Tc) 2.5W (Ta), 38W (Tc) 2.5W (Ta), 51W (Tc) 2.5W (Ta), 55W (Tc)
शृंखला QFET® QFET® QFET® QFET®

FQD11P06TM डेटशीट पीडीएफ

FQD11P06TM - onsemi के लिए FQD11P06TM PDF DataSheets और onsemi प्रलेखन डाउनलोड करें।

डाटा शीट
FQD11P06, FQU11P06.pdf
पर्यावरण सूचना
onsemi RoHS.pdf
पीसीएन डिजाइन/विनिर्देश
Logo 17/Aug/2017.pdf Postponed Qualification 27/Dec/2022.pdf
पीसीएन पैकेजिंग
Mult Devices 24/Oct/2017.pdf Tape and Box/Reel Barcode Update 07/Aug/2014.pdf
PCN असेंबली/ओरिजिन
Assembly Change 28/May/2023.pdf

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सामान्य देश लॉजिस्टिक टाइम संदर्भ
क्षेत्र देश लॉजिस्टिक टाइम (दिन)
अमेरिका संयुक्त राज्य अमेरिका 5
ब्राज़िल 7
यूरोप जर्मनी 5
यूनाइटेड किंगडम 4
इटली 5
ओशिनिया ऑस्ट्रेलिया 6
न्यूज़ीलैंड 5
एशिया भारत 4
जापान 4
मध्य पूर्व इजराइल 6
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शिपमेंट शुल्क संदर्भ डीएचएल (यूएसडी $)
0.00 किग्रा -1.00 किग्रा USD $30.00 - USD $60.00
1.00 किग्रा -2.00 किग्रा USD $40.00 - USD $80.00
2.00 किग्रा -3.00 किग्रा USD $50.00 - USD $100.00
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