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घरउत्पादअसतत सेमीकंडक्टर उत्पादट्रांजिस्टर - एफईटी, एमओएसएफईटी - सिंगलFQN1N50CTA
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FQN1N50CTA - onsemi

उत्पादक भाग संख्या
FQN1N50CTA
उत्पादक
onsemi
Allelco भाग संख्या
32D-FQN1N50CTA
ईसीएडी मॉडल
भागों का विवरण
MOSFET N-CH 500V 380MA TO92-3
विस्तृत विवरण
पैकेज
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
विवरण तालिका
FQN1N50C.pdf
RoHs स्थिति
तुलना
स्टॉक में: 137730

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मात्रा

विशेष विवरण

FQN1N50CTA तकनीकी विनिर्देश
onsemi - FQN1N50CTA तकनीकी विनिर्देशों, विशेषताओं, मापदंडों और onsemi - FQN1N50CTA के समान विनिर्देशों के साथ भागों

उत्पाद विशेषता मान बताइए  
उत्पादक onsemi  
वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र 4V @ 250µA  
वीजीएस (मैक्स) ±30V  
प्रौद्योगिकी MOSFET (Metal Oxide)  
प्रदायक डिवाइस पैकेज TO-92-3  
शृंखला QFET®  
आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस 6Ohm @ 190mA, 10V  
शक्ति का अपव्यय (मैक्स) 890mW (Ta), 2.08W (Tc)  
पैकेज / प्रकरण TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads  
पैकेट Cut Tape (CT)  
उत्पाद विशेषता मान बताइए  
परिचालन तापमान -55°C ~ 150°C (TJ)  
माउन्टिंग का प्रकार Through Hole  
इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस 195 pF @ 25 V  
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस 6.4 nC @ 10 V  
FET प्रकार N-Channel  
FET फ़ीचर -  
ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन) 10V  
स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss) 500 V  
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ ​​25 डिग्री सेल्सियस 380mA (Tc)  
आधार उत्पाद संख्या FQN1N50  

समान विनिर्देशों के साथ भाग

दाईं ओर के तीन भागों में onsemi FQN1N50CTA के समान विनिर्देश हैं।

उत्पाद विशेषता FQN1N50CTA FQN1N50CTA FDP75N08A FQN1N60CTA
भाग संख्या FQN1N50CTA FQN1N50CTA FDP75N08A FQN1N60CTA
उत्पादक onsemi Fairchild Semiconductor onsemi Fairchild Semiconductor
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस 6.4 nC @ 10 V 6.4 nC @ 10 V 104 nC @ 10 V 6.2 nC @ 10 V
ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन) 10V 10V 10V 10V
आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस 6Ohm @ 190mA, 10V 6Ohm @ 190mA, 10V 11mOhm @ 37.5A, 10V 11.5Ohm @ 150mA, 10V
प्रदायक डिवाइस पैकेज TO-92-3 TO-92-3 TO-220-3 TO-92-3
आधार उत्पाद संख्या FQN1N50 - FDP75 -
पैकेट Cut Tape (CT) Bulk Tube Bulk
वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA
पैकेज / प्रकरण TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads TO-220-3 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
परिचालन तापमान -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
शृंखला QFET® QFET® UniFET™ QFET®
FET प्रकार N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
शक्ति का अपव्यय (मैक्स) 890mW (Ta), 2.08W (Tc) 890mW (Ta), 2.08W (Tc) 137W (Tc) 1W (Ta), 3W (Tc)
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ ​​25 डिग्री सेल्सियस 380mA (Tc) 380mA (Tc) 75A (Tc) 300mA (Tc)
इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस 195 pF @ 25 V 195 pF @ 25 V 4468 pF @ 25 V 170 pF @ 25 V
माउन्टिंग का प्रकार Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
वीजीएस (मैक्स) ±30V ±30V ±20V ±30V
स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss) 500 V 500 V 75 V 600 V
FET फ़ीचर - - - -
प्रौद्योगिकी MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)

FQN1N50CTA डेटशीट पीडीएफ

FQN1N50CTA - onsemi के लिए FQN1N50CTA PDF DataSheets और onsemi प्रलेखन डाउनलोड करें।

डाटा शीट
FQN1N50C.pdf
पर्यावरण सूचना
onsemi RoHS.pdf
पीसीएन डिजाइन/विनिर्देश
Logo 17/Aug/2017.pdf Drawing Update 18/Apr/2021.pdf
पीसीएन पैकेजिंग
Mult Devices 24/Oct/2017.pdf
पीसीएन अप्रचलन/ ईओएल
Mult Dev EOL 30/Mar/2023.pdf
PCN असेंबली/ओरिजिन
Wafer Fab 28/Jul/2021.pdf

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सामान्य देश लॉजिस्टिक टाइम संदर्भ
क्षेत्र देश लॉजिस्टिक टाइम (दिन)
अमेरिका संयुक्त राज्य अमेरिका 5
ब्राज़िल 7
यूरोप जर्मनी 5
यूनाइटेड किंगडम 4
इटली 5
ओशिनिया ऑस्ट्रेलिया 6
न्यूज़ीलैंड 5
एशिया भारत 4
जापान 4
मध्य पूर्व इजराइल 6
डीएचएल और फेडेक्स शिपमेंट चार्ज संदर्भ
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0.00 किग्रा -1.00 किग्रा USD $30.00 - USD $60.00
1.00 किग्रा -2.00 किग्रा USD $40.00 - USD $80.00
2.00 किग्रा -3.00 किग्रा USD $50.00 - USD $100.00
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