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उत्तरी अमेरिका
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घरउत्पादअसतत सेमीकंडक्टर उत्पादट्रांजिस्टर - एफईटी, एमओएसएफईटी - सिंगलHUF75329G3
onsemi
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HUF75329G3 - onsemi

उत्पादक भाग संख्या
HUF75329G3
उत्पादक
onsemi
Allelco भाग संख्या
32D-HUF75329G3
ईसीएडी मॉडल
भागों का विवरण
MOSFET N-CH 55V 49A TO247-3
विस्तृत विवरण
पैकेज
TO-247-3
विवरण तालिका
HUF75329G3, P3, S3S.pdf
तुलना
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मात्रा

विशेष विवरण

HUF75329G3 तकनीकी विनिर्देश
onsemi - HUF75329G3 तकनीकी विनिर्देशों, विशेषताओं, मापदंडों और onsemi - HUF75329G3 के समान विनिर्देशों के साथ भागों

उत्पाद विशेषता मान बताइए  
उत्पादक onsemi  
वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र 4V @ 250µA  
वीजीएस (मैक्स) ±20V  
प्रौद्योगिकी MOSFET (Metal Oxide)  
प्रदायक डिवाइस पैकेज TO-247-3  
शृंखला UltraFET™  
आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस 24mOhm @ 49A, 10V  
शक्ति का अपव्यय (मैक्स) 128W (Tc)  
पैकेज / प्रकरण TO-247-3  
पैकेट Tube  
उत्पाद विशेषता मान बताइए  
परिचालन तापमान -55°C ~ 175°C (TJ)  
माउन्टिंग का प्रकार Through Hole  
इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस 1060 pF @ 25 V  
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस 75 nC @ 20 V  
FET प्रकार N-Channel  
FET फ़ीचर -  
ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन) 10V  
स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss) 55 V  
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ ​​25 डिग्री सेल्सियस 49A (Tc)  
आधार उत्पाद संख्या HUF75  

समान विनिर्देशों के साथ भाग

दाईं ओर के तीन भागों में onsemi HUF75329G3 के समान विनिर्देश हैं।

उत्पाद विशेषता HUF75329G3 HUF75329D3ST HUF75321S3S HUF75321S3S
भाग संख्या HUF75329G3 HUF75329D3ST HUF75321S3S HUF75321S3S
उत्पादक onsemi onsemi onsemi Harris Corporation
पैकेज / प्रकरण TO-247-3 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन) 10V 10V 10V 10V
पैकेट Tube Tape & Reel (TR) Tube Tube
FET प्रकार N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
शृंखला UltraFET™ UltraFET™ UltraFET™ UltraFET™
माउन्टिंग का प्रकार Through Hole Surface Mount Surface Mount Surface Mount
FET फ़ीचर - - - -
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ ​​25 डिग्री सेल्सियस 49A (Tc) 20A (Tc) 35A (Tc) 35A (Tc)
आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस 24mOhm @ 49A, 10V 26mOhm @ 20A, 10V 34mOhm @ 35A, 10V 34mOhm @ 35A, 10V
प्रदायक डिवाइस पैकेज TO-247-3 TO-252AA D²PAK (TO-263) D2PAK (TO-263)
वीजीएस (मैक्स) ±20V ±20V ±20V ±20V
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस 75 nC @ 20 V 65 nC @ 20 V 44 nC @ 20 V 44 nC @ 20 V
आधार उत्पाद संख्या HUF75 HUF75329 HUF75 -
इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस 1060 pF @ 25 V 1060 pF @ 25 V 680 pF @ 25 V 680 pF @ 25 V
प्रौद्योगिकी MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss) 55 V 55 V 55 V 55 V
परिचालन तापमान -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
शक्ति का अपव्यय (मैक्स) 128W (Tc) 128W (Tc) 93W (Tc) 93W (Tc)
वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA

HUF75329G3 डेटशीट पीडीएफ

HUF75329G3 - onsemi के लिए HUF75329G3 PDF DataSheets और onsemi प्रलेखन डाउनलोड करें।

डाटा शीट
HUF75329G3, P3, S3S.pdf
पर्यावरण सूचना
onsemi RoHS.pdf

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सामान्य देश लॉजिस्टिक टाइम संदर्भ
क्षेत्र देश लॉजिस्टिक टाइम (दिन)
अमेरिका संयुक्त राज्य अमेरिका 5
ब्राज़िल 7
यूरोप जर्मनी 5
यूनाइटेड किंगडम 4
इटली 5
ओशिनिया ऑस्ट्रेलिया 6
न्यूज़ीलैंड 5
एशिया भारत 4
जापान 4
मध्य पूर्व इजराइल 6
डीएचएल और फेडेक्स शिपमेंट चार्ज संदर्भ
शिपमेंट शुल्क संदर्भ डीएचएल (यूएसडी $)
0.00 किग्रा -1.00 किग्रा USD $30.00 - USD $60.00
1.00 किग्रा -2.00 किग्रा USD $40.00 - USD $80.00
2.00 किग्रा -3.00 किग्रा USD $50.00 - USD $100.00
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