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घरउत्पादअसतत सेमीकंडक्टर उत्पादट्रांजिस्टर - एफईटी, एमओएसएफईटी - सिंगलHUF75852G3
onsemi
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HUF75852G3 - onsemi

उत्पादक भाग संख्या
HUF75852G3
उत्पादक
onsemi
Allelco भाग संख्या
32D-HUF75852G3
ईसीएडी मॉडल
भागों का विवरण
MOSFET N-CH 150V 75A TO247-3
विस्तृत विवरण
पैकेज
TO-247-3
विवरण तालिका
HUF75852G3.pdf
RoHs स्थिति
तुलना
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मात्रा

विशेष विवरण

HUF75852G3 तकनीकी विनिर्देश
onsemi - HUF75852G3 तकनीकी विनिर्देशों, विशेषताओं, मापदंडों और onsemi - HUF75852G3 के समान विनिर्देशों के साथ भागों

उत्पाद विशेषता मान बताइए  
उत्पादक onsemi  
वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र 4V @ 250µA  
वीजीएस (मैक्स) ±20V  
प्रौद्योगिकी MOSFET (Metal Oxide)  
प्रदायक डिवाइस पैकेज TO-247-3  
शृंखला UltraFET™  
आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस 16mOhm @ 75A, 10V  
शक्ति का अपव्यय (मैक्स) 500W (Tc)  
पैकेज / प्रकरण TO-247-3  
पैकेट Tube  
उत्पाद विशेषता मान बताइए  
परिचालन तापमान -55°C ~ 175°C (TJ)  
माउन्टिंग का प्रकार Through Hole  
इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस 7690 pF @ 25 V  
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस 480 nC @ 20 V  
FET प्रकार N-Channel  
FET फ़ीचर -  
ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन) 10V  
स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss) 150 V  
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ ​​25 डिग्री सेल्सियस 75A (Tc)  
आधार उत्पाद संख्या HUF75852  

समान विनिर्देशों के साथ भाग

दाईं ओर के तीन भागों में onsemi HUF75852G3 के समान विनिर्देश हैं।

उत्पाद विशेषता HUF75852G3 HUF75842S3ST HUF75939P3 HUF75939P3
भाग संख्या HUF75852G3 HUF75842S3ST HUF75939P3 HUF75939P3
उत्पादक onsemi Fairchild Semiconductor Fairchild Semiconductor onsemi
माउन्टिंग का प्रकार Through Hole Surface Mount Through Hole Through Hole
शक्ति का अपव्यय (मैक्स) 500W (Tc) 230W (Tc) 180W (Tc) 180W (Tc)
वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA
पैकेट Tube Bulk Tube Tube
शृंखला UltraFET™ UltraFET™ UltraFET™ UltraFET™
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ ​​25 डिग्री सेल्सियस 75A (Tc) 43A (Tc) 22A (Tc) 22A (Tc)
आधार उत्पाद संख्या HUF75852 - - HUF75
आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस 16mOhm @ 75A, 10V 42mOhm @ 43A, 10V 125mOhm @ 22A, 10V 125mOhm @ 22A, 10V
प्रदायक डिवाइस पैकेज TO-247-3 D2PAK (TO-263) TO-220-3 TO-220-3
वीजीएस (मैक्स) ±20V ±20V ±20V ±20V
FET फ़ीचर - - - -
परिचालन तापमान -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन) 10V 10V 10V 10V
इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस 7690 pF @ 25 V 2730 pF @ 25 V 2200 pF @ 25 V 2200 pF @ 25 V
पैकेज / प्रकरण TO-247-3 TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-220-3 TO-220-3
प्रौद्योगिकी MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
FET प्रकार N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss) 150 V 150 V 200 V 200 V
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस 480 nC @ 20 V 175 nC @ 20 V 152 nC @ 20 V 152 nC @ 20 V

HUF75852G3 डेटशीट पीडीएफ

HUF75852G3 - onsemi के लिए HUF75852G3 PDF DataSheets और onsemi प्रलेखन डाउनलोड करें।

पर्यावरण सूचना
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
पीसीएन डिजाइन/विनिर्देश
Logo 17/Aug/2017.pdf Dimension/Color Change 24/Feb/2021.pdf
पीसीएन पैकेजिंग
Mult Devices 24/Oct/2017.pdf Packing quantity increase 28/Dec/2020.pdf
PCN असेंबली/ओरिजिन
Mult Dev 14/Dec/2022.pdf

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सामान्य देश लॉजिस्टिक टाइम संदर्भ
क्षेत्र देश लॉजिस्टिक टाइम (दिन)
अमेरिका संयुक्त राज्य अमेरिका 5
ब्राज़िल 7
यूरोप जर्मनी 5
यूनाइटेड किंगडम 4
इटली 5
ओशिनिया ऑस्ट्रेलिया 6
न्यूज़ीलैंड 5
एशिया भारत 4
जापान 4
मध्य पूर्व इजराइल 6
डीएचएल और फेडेक्स शिपमेंट चार्ज संदर्भ
शिपमेंट शुल्क संदर्भ डीएचएल (यूएसडी $)
0.00 किग्रा -1.00 किग्रा USD $30.00 - USD $60.00
1.00 किग्रा -2.00 किग्रा USD $40.00 - USD $80.00
2.00 किग्रा -3.00 किग्रा USD $50.00 - USD $100.00
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