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घरउत्पादअसतत सेमीकंडक्टर उत्पादट्रांजिस्टर - एफईटी, एमओएसएफईटी - सिंगलIRF510
onsemi
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IRF510 - onsemi

उत्पादक भाग संख्या
IRF510
उत्पादक
onsemi
Allelco भाग संख्या
32D-IRF510
ईसीएडी मॉडल
भागों का विवरण
MOSFET N-CH 100V 5.6A TO220AB
विस्तृत विवरण
पैकेज
TO-220-3
विवरण तालिका
IRF510.pdf
तुलना
स्टॉक में: 549050

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विशेष विवरण

IRF510 तकनीकी विनिर्देश
onsemi - IRF510 तकनीकी विनिर्देशों, विशेषताओं, मापदंडों और onsemi - IRF510 के समान विनिर्देशों के साथ भागों

उत्पाद विशेषता मान बताइए  
उत्पादक onsemi  
वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र 4V @ 250µA  
वीजीएस (मैक्स) ±20V  
प्रौद्योगिकी MOSFET (Metal Oxide)  
प्रदायक डिवाइस पैकेज TO-220AB  
शृंखला -  
आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस 540mOhm @ 3.4A, 10V  
शक्ति का अपव्यय (मैक्स) 43W (Tc)  
पैकेज / प्रकरण TO-220-3  
पैकेट Tube  
उत्पाद विशेषता मान बताइए  
परिचालन तापमान -55°C ~ 175°C (TJ)  
माउन्टिंग का प्रकार Through Hole  
इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस 180 pF @ 25 V  
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस 8.3 nC @ 10 V  
FET प्रकार N-Channel  
FET फ़ीचर -  
ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन) 10V  
स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss) 100 V  
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ ​​25 डिग्री सेल्सियस 5.6A (Tc)  

समान विनिर्देशों के साथ भाग

दाईं ओर के तीन भागों में onsemi IRF510 के समान विनिर्देश हैं।

उत्पाद विशेषता IRF510 IRF510STRLPBF IRF4905STRRPBF IRF510
भाग संख्या IRF510 IRF510STRLPBF IRF4905STRRPBF IRF510
उत्पादक onsemi Vishay Siliconix Infineon Technologies Vishay Siliconix
पैकेट Tube Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tube
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ ​​25 डिग्री सेल्सियस 5.6A (Tc) 5.6A (Tc) 42A (Tc) 5.6A (Tc)
आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस 540mOhm @ 3.4A, 10V 540mOhm @ 3.4A, 10V 20mOhm @ 42A, 10V 540mOhm @ 3.4A, 10V
वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA
शृंखला - - HEXFET® -
वीजीएस (मैक्स) ±20V ±20V ±20V ±20V
शक्ति का अपव्यय (मैक्स) 43W (Tc) 43W (Tc) 170W (Tc) 43W (Tc)
स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss) 100 V 100 V 55 V 100 V
परिचालन तापमान -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस 180 pF @ 25 V 180 pF @ 25 V 3500 pF @ 25 V 180 pF @ 25 V
FET फ़ीचर - - - -
ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन) 10V 10V 10V 10V
FET प्रकार N-Channel N-Channel P-Channel N-Channel
माउन्टिंग का प्रकार Through Hole Surface Mount Surface Mount Through Hole
प्रौद्योगिकी MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
प्रदायक डिवाइस पैकेज TO-220AB D²PAK (TO-263) D2PAK TO-220AB
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस 8.3 nC @ 10 V 8.3 nC @ 10 V 180 nC @ 10 V 8.3 nC @ 10 V
पैकेज / प्रकरण TO-220-3 TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-220-3

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सामान्य देश लॉजिस्टिक टाइम संदर्भ
क्षेत्र देश लॉजिस्टिक टाइम (दिन)
अमेरिका संयुक्त राज्य अमेरिका 5
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यूरोप जर्मनी 5
यूनाइटेड किंगडम 4
इटली 5
ओशिनिया ऑस्ट्रेलिया 6
न्यूज़ीलैंड 5
एशिया भारत 4
जापान 4
मध्य पूर्व इजराइल 6
डीएचएल और फेडेक्स शिपमेंट चार्ज संदर्भ
शिपमेंट शुल्क संदर्भ डीएचएल (यूएसडी $)
0.00 किग्रा -1.00 किग्रा USD $30.00 - USD $60.00
1.00 किग्रा -2.00 किग्रा USD $40.00 - USD $80.00
2.00 किग्रा -3.00 किग्रा USD $50.00 - USD $100.00
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