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घरउत्पादअसतत सेमीकंडक्टर उत्पादट्रांजिस्टर - एफईटी, एमओएसएफईटी - सिंगलIRF540A
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IRF540A - onsemi

उत्पादक भाग संख्या
IRF540A
उत्पादक
onsemi
Allelco भाग संख्या
32D-IRF540A
ईसीएडी मॉडल
भागों का विवरण
MOSFET N-CH 100V 28A TO220-3
विस्तृत विवरण
पैकेज
TO-220-3
विवरण तालिका
TO220B03 Pkg Drawing.pdf
IRF540A.pdf
तुलना
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मात्रा

विशेष विवरण

IRF540A तकनीकी विनिर्देश
onsemi - IRF540A तकनीकी विनिर्देशों, विशेषताओं, मापदंडों और onsemi - IRF540A के समान विनिर्देशों के साथ भागों

उत्पाद विशेषता मान बताइए  
उत्पादक onsemi  
वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र 4V @ 250µA  
वीजीएस (मैक्स) ±20V  
प्रौद्योगिकी MOSFET (Metal Oxide)  
प्रदायक डिवाइस पैकेज TO-220-3  
शृंखला -  
आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस 52mOhm @ 14A, 10V  
शक्ति का अपव्यय (मैक्स) 107W (Tc)  
पैकेज / प्रकरण TO-220-3  
पैकेट Tube  
उत्पाद विशेषता मान बताइए  
परिचालन तापमान -55°C ~ 175°C (TJ)  
माउन्टिंग का प्रकार Through Hole  
इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस 1710 pF @ 25 V  
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस 78 nC @ 10 V  
FET प्रकार N-Channel  
FET फ़ीचर -  
ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन) 10V  
स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss) 100 V  
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ ​​25 डिग्री सेल्सियस 28A (Tc)  
आधार उत्पाद संख्या IRF54  

समान विनिर्देशों के साथ भाग

दाईं ओर के तीन भागों में onsemi IRF540A के समान विनिर्देश हैं।

उत्पाद विशेषता IRF540A IRF540NL IRF530STRLPBF IRF540
भाग संख्या IRF540A IRF540NL IRF530STRLPBF IRF540
उत्पादक onsemi Infineon Technologies Vishay Siliconix onsemi
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस 78 nC @ 10 V 71 nC @ 10 V 26 nC @ 10 V 72 nC @ 10 V
FET फ़ीचर - - - -
वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA
परिचालन तापमान -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
शक्ति का अपव्यय (मैक्स) 107W (Tc) 130W (Tc) 3.7W (Ta), 88W (Tc) 150W (Tc)
पैकेट Tube Tube Tape & Reel (TR) Tube
ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन) 10V 10V 10V 10V
आधार उत्पाद संख्या IRF54 - IRF530 -
आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस 52mOhm @ 14A, 10V 44mOhm @ 16A, 10V 160mOhm @ 8.4A, 10V 77mOhm @ 17A, 10V
इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस 1710 pF @ 25 V 1960 pF @ 25 V 670 pF @ 25 V 1700 pF @ 25 V
शृंखला - HEXFET® - -
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ ​​25 डिग्री सेल्सियस 28A (Tc) 33A (Tc) 14A (Tc) 28A (Tc)
माउन्टिंग का प्रकार Through Hole Through Hole Surface Mount Through Hole
FET प्रकार N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
वीजीएस (मैक्स) ±20V ±20V ±20V ±20V
स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss) 100 V 100 V 100 V 100 V
पैकेज / प्रकरण TO-220-3 TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-220-3
प्रौद्योगिकी MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
प्रदायक डिवाइस पैकेज TO-220-3 TO-262 D²PAK (TO-263) TO-220AB

IRF540A डेटशीट पीडीएफ

IRF540A - onsemi के लिए IRF540A PDF DataSheets और onsemi प्रलेखन डाउनलोड करें।

डाटा शीट
TO220B03 Pkg Drawing.pdf IRF540A.pdf
पर्यावरण सूचना
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf

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सामान्य देश लॉजिस्टिक टाइम संदर्भ
क्षेत्र देश लॉजिस्टिक टाइम (दिन)
अमेरिका संयुक्त राज्य अमेरिका 5
ब्राज़िल 7
यूरोप जर्मनी 5
यूनाइटेड किंगडम 4
इटली 5
ओशिनिया ऑस्ट्रेलिया 6
न्यूज़ीलैंड 5
एशिया भारत 4
जापान 4
मध्य पूर्व इजराइल 6
डीएचएल और फेडेक्स शिपमेंट चार्ज संदर्भ
शिपमेंट शुल्क संदर्भ डीएचएल (यूएसडी $)
0.00 किग्रा -1.00 किग्रा USD $30.00 - USD $60.00
1.00 किग्रा -2.00 किग्रा USD $40.00 - USD $80.00
2.00 किग्रा -3.00 किग्रा USD $50.00 - USD $100.00
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