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घरउत्पादअसतत सेमीकंडक्टर उत्पादट्रांजिस्टर - एफईटी, एमओएसएफईटी - सिंगलIRF740B
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IRF740B - onsemi

उत्पादक भाग संख्या
IRF740B
उत्पादक
onsemi
Allelco भाग संख्या
32D-IRF740B
ईसीएडी मॉडल
भागों का विवरण
MOSFET N-CH 400V 10A TO220-3
विस्तृत विवरण
पैकेज
TO-220-3
विवरण तालिका
TO220B03 Pkg Drawing.pdf
IRF(S)740B.pdf
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मात्रा

विशेष विवरण

IRF740B तकनीकी विनिर्देश
onsemi - IRF740B तकनीकी विनिर्देशों, विशेषताओं, मापदंडों और onsemi - IRF740B के समान विनिर्देशों के साथ भागों

उत्पाद विशेषता मान बताइए  
उत्पादक onsemi  
वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र 4V @ 250µA  
वीजीएस (मैक्स) ±30V  
प्रौद्योगिकी MOSFET (Metal Oxide)  
प्रदायक डिवाइस पैकेज TO-220-3  
शृंखला -  
आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस 540mOhm @ 5A, 10V  
शक्ति का अपव्यय (मैक्स) 134W (Tc)  
पैकेज / प्रकरण TO-220-3  
पैकेट Tube  
उत्पाद विशेषता मान बताइए  
परिचालन तापमान -55°C ~ 150°C (TJ)  
माउन्टिंग का प्रकार Through Hole  
इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस 1800 pF @ 25 V  
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस 53 nC @ 10 V  
FET प्रकार N-Channel  
FET फ़ीचर -  
ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन) 10V  
स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss) 400 V  
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ ​​25 डिग्री सेल्सियस 10A (Tc)  
आधार उत्पाद संख्या IRF74  

समान विनिर्देशों के साथ भाग

दाईं ओर के तीन भागों में onsemi IRF740B के समान विनिर्देश हैं।

उत्पाद विशेषता IRF740B IRF740APBF IRF740AS IRF740LC
भाग संख्या IRF740B IRF740APBF IRF740AS IRF740LC
उत्पादक onsemi Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix
पैकेज / प्रकरण TO-220-3 TO-220-3 TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-220-3
इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस 1800 pF @ 25 V 1030 pF @ 25 V 1030 pF @ 25 V 1100 pF @ 25 V
प्रदायक डिवाइस पैकेज TO-220-3 TO-220AB D²PAK (TO-263) TO-220AB
पैकेट Tube Tube Tube Tube
FET फ़ीचर - - - -
प्रौद्योगिकी MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
परिचालन तापमान -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA
शक्ति का अपव्यय (मैक्स) 134W (Tc) 125W (Tc) 3.1W (Ta), 125W (Tc) 125W (Tc)
शृंखला - - - -
ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन) 10V 10V 10V 10V
आधार उत्पाद संख्या IRF74 IRF740 IRF740 IRF740
माउन्टिंग का प्रकार Through Hole Through Hole Surface Mount Through Hole
वीजीएस (मैक्स) ±30V ±30V ±30V ±30V
FET प्रकार N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस 53 nC @ 10 V 36 nC @ 10 V 36 nC @ 10 V 39 nC @ 10 V
स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss) 400 V 400 V 400 V 400 V
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ ​​25 डिग्री सेल्सियस 10A (Tc) 10A (Tc) 10A (Tc) 10A (Tc)
आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस 540mOhm @ 5A, 10V 550mOhm @ 6A, 10V 550mOhm @ 6A, 10V 550mOhm @ 6A, 10V

IRF740B डेटशीट पीडीएफ

IRF740B - onsemi के लिए IRF740B PDF DataSheets और onsemi प्रलेखन डाउनलोड करें।

डाटा शीट
TO220B03 Pkg Drawing.pdf IRF(S)740B.pdf
पर्यावरण सूचना
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf

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सामान्य देश लॉजिस्टिक टाइम संदर्भ
क्षेत्र देश लॉजिस्टिक टाइम (दिन)
अमेरिका संयुक्त राज्य अमेरिका 5
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यूरोप जर्मनी 5
यूनाइटेड किंगडम 4
इटली 5
ओशिनिया ऑस्ट्रेलिया 6
न्यूज़ीलैंड 5
एशिया भारत 4
जापान 4
मध्य पूर्व इजराइल 6
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0.00 किग्रा -1.00 किग्रा USD $30.00 - USD $60.00
1.00 किग्रा -2.00 किग्रा USD $40.00 - USD $80.00
2.00 किग्रा -3.00 किग्रा USD $50.00 - USD $100.00
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