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घरउत्पादअसतत सेमीकंडक्टर उत्पादट्रांजिस्टर - एफईटी, एमओएसएफईटी - सिंगलIRF840B
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IRF840B - onsemi

उत्पादक भाग संख्या
IRF840B
उत्पादक
onsemi
Allelco भाग संख्या
32D-IRF840B
ईसीएडी मॉडल
भागों का विवरण
MOSFET N-CH 500V 8A TO220-3
विस्तृत विवरण
पैकेज
TO-220-3
विवरण तालिका
TO220B03 Pkg Drawing.pdf
IRF(S)840B.pdf
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मात्रा

विशेष विवरण

IRF840B तकनीकी विनिर्देश
onsemi - IRF840B तकनीकी विनिर्देशों, विशेषताओं, मापदंडों और onsemi - IRF840B के समान विनिर्देशों के साथ भागों

उत्पाद विशेषता मान बताइए  
उत्पादक onsemi  
वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र 4V @ 250µA  
वीजीएस (मैक्स) ±30V  
प्रौद्योगिकी MOSFET (Metal Oxide)  
प्रदायक डिवाइस पैकेज TO-220-3  
शृंखला -  
आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस 800mOhm @ 4A, 10V  
शक्ति का अपव्यय (मैक्स) 134W (Tc)  
पैकेज / प्रकरण TO-220-3  
पैकेट Tube  
उत्पाद विशेषता मान बताइए  
परिचालन तापमान -55°C ~ 150°C (TJ)  
माउन्टिंग का प्रकार Through Hole  
इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस 1800 pF @ 25 V  
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस 53 nC @ 10 V  
FET प्रकार N-Channel  
FET फ़ीचर -  
ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन) 10V  
स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss) 500 V  
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ ​​25 डिग्री सेल्सियस 8A (Tc)  
आधार उत्पाद संख्या IRF84  

समान विनिर्देशों के साथ भाग

दाईं ओर के तीन भागों में onsemi IRF840B के समान विनिर्देश हैं।

उत्पाद विशेषता IRF840B IRF840L IRF840LCL IRF840LCLPBF
भाग संख्या IRF840B IRF840L IRF840LCL IRF840LCLPBF
उत्पादक onsemi Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix
ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन) 10V 10V 10V 10V
पैकेज / प्रकरण TO-220-3 TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस 53 nC @ 10 V 63 nC @ 10 V 39 nC @ 10 V 39 nC @ 10 V
वीजीएस (मैक्स) ±30V ±20V ±30V ±30V
FET प्रकार N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस 1800 pF @ 25 V 1300 pF @ 25 V 1100 pF @ 25 V 1100 pF @ 25 V
स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss) 500 V 500 V 500 V 500 V
शृंखला - - - -
प्रदायक डिवाइस पैकेज TO-220-3 I2PAK I2PAK I2PAK
आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस 800mOhm @ 4A, 10V 850mOhm @ 4.8A, 10V 850mOhm @ 4.8A, 10V 850mOhm @ 4.8A, 10V
माउन्टिंग का प्रकार Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
प्रौद्योगिकी MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
शक्ति का अपव्यय (मैक्स) 134W (Tc) 125W (Tc) 3.1W (Ta), 125W (Tc) 3.1W (Ta), 125W (Tc)
वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ ​​25 डिग्री सेल्सियस 8A (Tc) 8A (Tc) 8A (Tc) 8A (Tc)
पैकेट Tube Tube Tube Tube
आधार उत्पाद संख्या IRF84 IRF840 IRF840 IRF840
परिचालन तापमान -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
FET फ़ीचर - - - -

IRF840B डेटशीट पीडीएफ

IRF840B - onsemi के लिए IRF840B PDF DataSheets और onsemi प्रलेखन डाउनलोड करें।

डाटा शीट
TO220B03 Pkg Drawing.pdf IRF(S)840B.pdf
पर्यावरण सूचना
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf

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सामान्य देश लॉजिस्टिक टाइम संदर्भ
क्षेत्र देश लॉजिस्टिक टाइम (दिन)
अमेरिका संयुक्त राज्य अमेरिका 5
ब्राज़िल 7
यूरोप जर्मनी 5
यूनाइटेड किंगडम 4
इटली 5
ओशिनिया ऑस्ट्रेलिया 6
न्यूज़ीलैंड 5
एशिया भारत 4
जापान 4
मध्य पूर्व इजराइल 6
डीएचएल और फेडेक्स शिपमेंट चार्ज संदर्भ
शिपमेंट शुल्क संदर्भ डीएचएल (यूएसडी $)
0.00 किग्रा -1.00 किग्रा USD $30.00 - USD $60.00
1.00 किग्रा -2.00 किग्रा USD $40.00 - USD $80.00
2.00 किग्रा -3.00 किग्रा USD $50.00 - USD $100.00
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