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घरउत्पादअसतत सेमीकंडक्टर उत्पादट्रांजिस्टर - एफईटी, एमओएसएफईटी - सिंगलIRL510A
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IRL510A - onsemi

उत्पादक भाग संख्या
IRL510A
उत्पादक
onsemi
Allelco भाग संख्या
32D-IRL510A
ईसीएडी मॉडल
भागों का विवरण
MOSFET N-CH 100V 5.6A TO220-3
विस्तृत विवरण
पैकेज
TO-220-3
विवरण तालिका
TO220B03 Pkg Drawing.pdf
IRL510A.pdf
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मात्रा

विशेष विवरण

IRL510A तकनीकी विनिर्देश
onsemi - IRL510A तकनीकी विनिर्देशों, विशेषताओं, मापदंडों और onsemi - IRL510A के समान विनिर्देशों के साथ भागों

उत्पाद विशेषता मान बताइए  
उत्पादक onsemi  
वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र 2V @ 250µA  
वीजीएस (मैक्स) ±20V  
प्रौद्योगिकी MOSFET (Metal Oxide)  
प्रदायक डिवाइस पैकेज TO-220-3  
शृंखला -  
आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस 440mOhm @ 2.8A, 5V  
शक्ति का अपव्यय (मैक्स) 37W (Tc)  
पैकेज / प्रकरण TO-220-3  
पैकेट Tube  
उत्पाद विशेषता मान बताइए  
परिचालन तापमान -55°C ~ 175°C (TJ)  
माउन्टिंग का प्रकार Through Hole  
इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस 235 pF @ 25 V  
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस 8 nC @ 5 V  
FET प्रकार N-Channel  
FET फ़ीचर -  
ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन) 5V  
स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss) 100 V  
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ ​​25 डिग्री सेल्सियस 5.6A (Tc)  
आधार उत्पाद संख्या IRL51  

समान विनिर्देशों के साथ भाग

दाईं ओर के तीन भागों में onsemi IRL510A के समान विनिर्देश हैं।

उत्पाद विशेषता IRL510A IRL520 IRL40B215 IRL3803VSPBF
भाग संख्या IRL510A IRL520 IRL40B215 IRL3803VSPBF
उत्पादक onsemi Vishay Siliconix Infineon Technologies Infineon Technologies
पैकेट Tube Tube Tube Tube
आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस 440mOhm @ 2.8A, 5V 270mOhm @ 5.5A, 5V 2.7mOhm @ 98A, 10V 5.5mOhm @ 71A, 10V
आधार उत्पाद संख्या IRL51 IRL520 IRL40B215 -
पैकेज / प्रकरण TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3 TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस 8 nC @ 5 V 12 nC @ 5 V 84 nC @ 4.5 V 76 nC @ 4.5 V
वीजीएस (मैक्स) ±20V ±10V ±20V ±16V
माउन्टिंग का प्रकार Through Hole Through Hole Through Hole Surface Mount
FET प्रकार N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन) 5V 4V, 5V 4.5V, 10V 4.5V, 10V
शृंखला - - HEXFET®, StrongIRFET™ HEXFET®
परिचालन तापमान -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
प्रौद्योगिकी MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
FET फ़ीचर - - - -
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ ​​25 डिग्री सेल्सियस 5.6A (Tc) 9.2A (Tc) 120A (Tc) 140A (Tc)
वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र 2V @ 250µA 2V @ 250µA 2.4V @ 100µA 1V @ 250µA
प्रदायक डिवाइस पैकेज TO-220-3 TO-220AB TO-220AB D2PAK
शक्ति का अपव्यय (मैक्स) 37W (Tc) 60W (Tc) 143W (Tc) 3.8W (Ta), 200W (Tc)
स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss) 100 V 100 V 40 V 30 V
इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस 235 pF @ 25 V 490 pF @ 25 V 5225 pF @ 25 V 3720 pF @ 25 V

IRL510A डेटशीट पीडीएफ

IRL510A - onsemi के लिए IRL510A PDF DataSheets और onsemi प्रलेखन डाउनलोड करें।

डाटा शीट
TO220B03 Pkg Drawing.pdf IRL510A.pdf
पर्यावरण सूचना
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf

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क्षेत्र देश लॉजिस्टिक टाइम (दिन)
अमेरिका संयुक्त राज्य अमेरिका 5
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यूरोप जर्मनी 5
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इटली 5
ओशिनिया ऑस्ट्रेलिया 6
न्यूज़ीलैंड 5
एशिया भारत 4
जापान 4
मध्य पूर्व इजराइल 6
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0.00 किग्रा -1.00 किग्रा USD $30.00 - USD $60.00
1.00 किग्रा -2.00 किग्रा USD $40.00 - USD $80.00
2.00 किग्रा -3.00 किग्रा USD $50.00 - USD $100.00
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