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घरउत्पादअसतत सेमीकंडक्टर उत्पादट्रांजिस्टर - एफईटी, एमओएसएफईटी - सिंगलNTD30N02T4G
onsemi
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NTD30N02T4G - onsemi

उत्पादक भाग संख्या
NTD30N02T4G
उत्पादक
onsemi
Allelco भाग संख्या
32D-NTD30N02T4G
ईसीएडी मॉडल
भागों का विवरण
N-CHANNEL POWER MOSFET
विस्तृत विवरण
पैकेज
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
विवरण तालिका
NTD30N02T4G.pdf
RoHs स्थिति
तुलना
स्टॉक में: 105400

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मात्रा

विशेष विवरण

NTD30N02T4G तकनीकी विनिर्देश
onsemi - NTD30N02T4G तकनीकी विनिर्देशों, विशेषताओं, मापदंडों और onsemi - NTD30N02T4G के समान विनिर्देशों के साथ भागों

उत्पाद विशेषता मान बताइए  
उत्पादक onsemi  
वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र 3V @ 250µA  
वीजीएस (मैक्स) ±20V  
प्रौद्योगिकी MOSFET (Metal Oxide)  
प्रदायक डिवाइस पैकेज DPAK  
शृंखला -  
आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस 14.5mOhm @ 30A, 10V  
शक्ति का अपव्यय (मैक्स) 75W (Tj)  
पैकेज / प्रकरण TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63  
पैकेट Bulk  
उत्पाद विशेषता मान बताइए  
परिचालन तापमान -55°C ~ 150°C (TJ)  
माउन्टिंग का प्रकार Surface Mount  
इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस 1000 pF @ 20 V  
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस 20 nC @ 4.5 V  
FET प्रकार N-Channel  
FET फ़ीचर -  
ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन) 4.5V, 10V  
स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss) 24 V  
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ ​​25 डिग्री सेल्सियस 30A (Ta)  

समान विनिर्देशों के साथ भाग

दाईं ओर के तीन भागों में onsemi NTD30N02T4G के समान विनिर्देश हैं।

उत्पाद विशेषता NTD30N02T4G NTD3055L170G NTD360N65S3H NTD32N06L
भाग संख्या NTD30N02T4G NTD3055L170G NTD360N65S3H NTD32N06L
उत्पादक onsemi onsemi onsemi onsemi
शृंखला - - SuperFET® III -
FET फ़ीचर - - - -
इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस 1000 pF @ 20 V 275 pF @ 25 V 916 pF @ 400 V 1700 pF @ 25 V
परिचालन तापमान -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन) 4.5V, 10V 5V 10V 5V
वीजीएस (मैक्स) ±20V ±15V ±30V ±20V
पैकेट Bulk Tube Tape & Reel (TR) Tube
FET प्रकार N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ ​​25 डिग्री सेल्सियस 30A (Ta) 9A (Ta) 10A (Tc) 32A (Ta)
आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस 14.5mOhm @ 30A, 10V 170mOhm @ 4.5A, 5V 360mOhm @ 5A, 10V 28mOhm @ 16A, 5V
माउन्टिंग का प्रकार Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र 3V @ 250µA 2V @ 250µA 4V @ 700µA 2V @ 250µA
प्रौद्योगिकी MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
शक्ति का अपव्यय (मैक्स) 75W (Tj) 1.5W (Ta), 28.5W (Tj) 83W (Tc) 1.5W (Ta), 93.75W (Tj)
स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss) 24 V 60 V 650 V 60 V
प्रदायक डिवाइस पैकेज DPAK DPAK D-PAK (TO-252) DPAK
पैकेज / प्रकरण TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस 20 nC @ 4.5 V 10 nC @ 5 V 17.5 nC @ 10 V 50 nC @ 5 V

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क्षेत्र देश लॉजिस्टिक टाइम (दिन)
अमेरिका संयुक्त राज्य अमेरिका 5
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यूरोप जर्मनी 5
यूनाइटेड किंगडम 4
इटली 5
ओशिनिया ऑस्ट्रेलिया 6
न्यूज़ीलैंड 5
एशिया भारत 4
जापान 4
मध्य पूर्व इजराइल 6
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0.00 किग्रा -1.00 किग्रा USD $30.00 - USD $60.00
1.00 किग्रा -2.00 किग्रा USD $40.00 - USD $80.00
2.00 किग्रा -3.00 किग्रा USD $50.00 - USD $100.00
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