2N3117 तकनीकी विनिर्देश
Central Semiconductor - 2N3117 तकनीकी विनिर्देशों, विशेषताओं, मापदंडों और Central Semiconductor - 2N3117 के समान विनिर्देशों के साथ भागों
| उत्पाद विशेषता | मान बताइए | |
|---|---|---|
| उत्पादक | Central Semiconductor | |
| वोल्टेज - कलेक्टर Emitter टूटने (मैक्स) | 60V | |
| Vce संतृप्ति (मैक्स) @ आईबी, आईसी | 350mV @ 100µA, 1mA | |
| ट्रांजिस्टर प्रकार | NPN | |
| प्रदायक डिवाइस पैकेज | TO-18 | |
| शृंखला | - | |
| पावर - मैक्स | 360mW | |
| पैकेजिंग | Bulk | |
| पैकेज / प्रकरण | TO-206AA, TO-18-3 Metal Can | |
| दुसरे नाम | 2N3117 LEAD FREE 2N3117 PBFREE |
| उत्पाद विशेषता | मान बताइए | |
|---|---|---|
| परिचालन तापमान | -65°C ~ 200°C (TJ) | |
| माउन्टिंग का प्रकार | Through Hole | |
| नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल) | 1 (Unlimited) | |
| निर्माता मानक लीड टाइम | 16 Weeks | |
| लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्थिति | Lead free / RoHS Compliant | |
| आवृत्ति - संक्रमण | - | |
| विस्तृत विवरण | Bipolar (BJT) Transistor NPN 60V 50mA 360mW Through Hole TO-18 | |
| डीसी वर्तमान लाभ (hFE) (मिन) @ आईसी, Vce | 250 @ 10µA, 5V | |
| वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (मैक्स) | 10nA (ICBO) | |
| वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (मैक्स) | 50mA |
दाईं ओर के तीन भागों में Central Semiconductor 2N3117 के समान विनिर्देश हैं।
| उत्पाद विशेषता |  |
 |
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|---|---|---|---|---|
| भाग संख्या | 2N3117 | 2N3251A | 2N3117 | 2N3250A |
| उत्पादक | Central Semiconductor | Microsemi Corporation | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Microchip Technology |
| वोल्टेज - कलेक्टर Emitter टूटने (मैक्स) | 60V | 60 V | - | 60 V |
| आवृत्ति - संक्रमण | - | - | - | - |
| पावर - मैक्स | 360mW | 360 mW | - | 360 mW |
| दुसरे नाम | 2N3117 LEAD FREE 2N3117 PBFREE |
- | 2N3117-DIE 2N3117MT 2N3117MT-ND FC2N3117 FC2N3117-ND |
- |
| डीसी वर्तमान लाभ (hFE) (मिन) @ आईसी, Vce | 250 @ 10µA, 5V | 100 @ 10mA, 1V | - | 50 @ 10mA, 1V |
| माउन्टिंग का प्रकार | Through Hole | Through Hole | - | Through Hole |
| Vce संतृप्ति (मैक्स) @ आईबी, आईसी | 350mV @ 100µA, 1mA | 500mV @ 5mA, 50mA | - | 500mV @ 5mA, 50mA |
| विस्तृत विवरण | Bipolar (BJT) Transistor NPN 60V 50mA 360mW Through Hole TO-18 | - | Bipolar (BJT) Transistor | - |
| निर्माता मानक लीड टाइम | 16 Weeks | - | 4 Weeks | - |
| वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (मैक्स) | 10nA (ICBO) | 10µA (ICBO) | - | 10µA (ICBO) |
| पैकेज / प्रकरण | TO-206AA, TO-18-3 Metal Can | TO-205AD, TO-39-3 Metal Can | - | TO-205AD, TO-39-3 Metal Can |
| वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (मैक्स) | 50mA | 200 mA | - | 200 mA |
| पैकेजिंग | Bulk | - | - | - |
| प्रदायक डिवाइस पैकेज | TO-18 | TO-39 (TO-205AD) | - | TO-39 (TO-205AD) |
| शृंखला | - | - | * | - |
| नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल) | 1 (Unlimited) | - | 3 (168 Hours) | - |
| परिचालन तापमान | -65°C ~ 200°C (TJ) | -65°C ~ 200°C (TJ) | - | -65°C ~ 200°C (TJ) |
| ट्रांजिस्टर प्रकार | NPN | PNP | - | PNP |
| लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्थिति | Lead free / RoHS Compliant | - | Lead free / RoHS Compliant | - |
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2N3265MOTOROLAIGBT Module
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2N3209STMicroelectronics2N3227MOT
2N3266MicrosemiIGBT Module2N3108onsemiTRANS NPN 60V TO39
2N3251Amphenol SSI Technologies2N3114Amphenol SSI Technologies2N3103Powerex, Inc.IGBT Module| सामान्य देश लॉजिस्टिक टाइम संदर्भ | ||
|---|---|---|
| क्षेत्र | देश | लॉजिस्टिक टाइम (दिन) |
| अमेरिका | संयुक्त राज्य अमेरिका | 5 |
| ब्राज़िल | 7 | |
| यूरोप | जर्मनी | 5 |
| यूनाइटेड किंगडम | 4 | |
| इटली | 5 | |
| ओशिनिया | ऑस्ट्रेलिया | 6 |
| न्यूज़ीलैंड | 5 | |
| एशिया | भारत | 4 |
| जापान | 4 | |
| मध्य पूर्व | इजराइल | 6 |
| डीएचएल और फेडेक्स शिपमेंट चार्ज संदर्भ | |
|---|---|
| शिपमेंट शुल्क | संदर्भ डीएचएल (यूएसडी $) |
| 0.00 किग्रा -1.00 किग्रा | USD $30.00 - USD $60.00 |
| 1.00 किग्रा -2.00 किग्रा | USD $40.00 - USD $80.00 |
| 2.00 किग्रा -3.00 किग्रा | USD $50.00 - USD $100.00 |
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