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घरउत्पादअसतत सेमीकंडक्टर उत्पादट्रांजिस्टर - एफईटी, एमओएसएफएटी - एरेज़AUIRF7379Q
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AUIRF7379Q - Infineon Technologies

उत्पादक भाग संख्या
AUIRF7379Q
उत्पादक
Infineon Technologies
Allelco भाग संख्या
32D-AUIRF7379Q
ईसीएडी मॉडल
भागों का विवरण
MOSFET N/P-CH 30V 5.8A 8SOIC
पैकेज
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
विवरण तालिका
AUIRF7379Q.pdf
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मात्रा
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विशेष विवरण

AUIRF7379Q तकनीकी विनिर्देश
Infineon Technologies - AUIRF7379Q तकनीकी विनिर्देशों, विशेषताओं, मापदंडों और Infineon Technologies - AUIRF7379Q के समान विनिर्देशों के साथ भागों

उत्पाद विशेषता मान बताइए  
उत्पादक Infineon Technologies  
वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र 3V @ 250µA  
प्रौद्योगिकी MOSFET (Metal Oxide)  
प्रदायक डिवाइस पैकेज 8-SOIC  
शृंखला HEXFET®  
आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस 45mOhm @ 5.8A, 10V  
पावर - मैक्स 2.5W  
पैकेज / प्रकरण 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)  
पैकेट Tube  
उत्पाद विशेषता मान बताइए  
परिचालन तापमान -55°C ~ 150°C (TJ)  
माउन्टिंग का प्रकार Surface Mount  
इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस 520pF @ 25V  
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस 25nC @ 10V  
FET फ़ीचर Logic Level Gate  
स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss) 30V  
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ ​​25 डिग्री सेल्सियस 5.8A, 4.3A  
विन्यास N and P-Channel  
आधार उत्पाद संख्या AUIRF7379  

पर्यावरण और निर्यात वर्गीकरण

गुण विवरण
RoHs स्थिति
नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल) 1 (Unlimited)
तक पहुँचने की स्थिति REACH Unaffected
ECCN EAR99
HTSUS

समान विनिर्देशों के साथ भाग

दाईं ओर के तीन भागों में Infineon Technologies AUIRF7379Q के समान विनिर्देश हैं।

उत्पाद विशेषता AUIRF7379Q AUIRF7343QTR AUIRF7342QTR AUIRF7341QTR
भाग संख्या AUIRF7379Q AUIRF7343QTR AUIRF7342QTR AUIRF7341QTR
उत्पादक Infineon Technologies International Rectifier Infineon Technologies Infineon Technologies
विन्यास N and P-Channel N and P-Channel 2 P-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual)
पावर - मैक्स 2.5W 2W 2W 2.4W
आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस 45mOhm @ 5.8A, 10V 50mOhm @ 4.7A, 10V 105mOhm @ 3.4A, 10V 50mOhm @ 5.1A, 10V
प्रदायक डिवाइस पैकेज 8-SOIC 8-SOIC 8-SOIC 8-SOIC
वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र 3V @ 250µA 1V @ 250µA 3V @ 250µA 3V @ 250µA
माउन्टिंग का प्रकार Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss) 30V 55V 55V 55V
शृंखला HEXFET® HEXFET® Automotive, AEC-Q101, HEXFET® Automotive, AEC-Q101, HEXFET®
प्रौद्योगिकी MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
पैकेट Tube Bulk Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ ​​25 डिग्री सेल्सियस 5.8A, 4.3A 4.7A, 3.4A 3.4A 5.1A
परिचालन तापमान -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
पैकेज / प्रकरण 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
आधार उत्पाद संख्या AUIRF7379 AUIRF7343 AUIRF7342 AUIRF7341
इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस 520pF @ 25V 740pF @ 25V 690pF @ 25V 780pF @ 25V
FET फ़ीचर Logic Level Gate Logic Level Gate Logic Level Gate Logic Level Gate
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस 25nC @ 10V 36nC @ 10V 38nC @ 10V 44nC @ 10V

AUIRF7379Q डेटशीट पीडीएफ

AUIRF7379Q - Infineon Technologies के लिए AUIRF7379Q PDF DataSheets और Infineon Technologies प्रलेखन डाउनलोड करें।

अन्य संबंधित दस्तावेज
Part Number Guide.pdf
पीसीएन अप्रचलन/ ईओएल
Multiple Devices 04/Apr/2014.pdf

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डिलिवरी विधि

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  2. अन्य लोग अधिक शिपिंग तरीके, कृपया अपने ग्राहक प्रबंधक के संपर्क में रहें।

सामान्य देश लॉजिस्टिक टाइम संदर्भ
क्षेत्र देश लॉजिस्टिक टाइम (दिन)
अमेरिका संयुक्त राज्य अमेरिका 5
ब्राज़िल 7
यूरोप जर्मनी 5
यूनाइटेड किंगडम 4
इटली 5
ओशिनिया ऑस्ट्रेलिया 6
न्यूज़ीलैंड 5
एशिया भारत 4
जापान 4
मध्य पूर्व इजराइल 6
डीएचएल और फेडेक्स शिपमेंट चार्ज संदर्भ
शिपमेंट शुल्क संदर्भ डीएचएल (यूएसडी $)
0.00 किग्रा -1.00 किग्रा USD $30.00 - USD $60.00
1.00 किग्रा -2.00 किग्रा USD $40.00 - USD $80.00
2.00 किग्रा -3.00 किग्रा USD $50.00 - USD $100.00
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