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घरउत्पादअसतत सेमीकंडक्टर उत्पादट्रांजिस्टर - एफईटी, एमओएसएफईटी - सिंगलBSP125 E6327
BSP125 E6327 Image
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BSP125 E6327 - Infineon Technologies

उत्पादक भाग संख्या
BSP125 E6327
उत्पादक
Infineon Technologies
Allelco भाग संख्या
32D-BSP125 E6327
ईसीएडी मॉडल
भागों का विवरण
MOSFET N-CH 600V 120MA SOT223-4
विस्तृत विवरण
पैकेज
TO-261-4, TO-261AA
विवरण तालिका
BSP125 E6327.pdf
स्टॉक में: 4090

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मात्रा

विशेष विवरण

BSP125 E6327 तकनीकी विनिर्देश
Infineon Technologies - BSP125 E6327 तकनीकी विनिर्देशों, विशेषताओं, मापदंडों और Infineon Technologies - BSP125 E6327 के समान विनिर्देशों के साथ भागों

उत्पाद विशेषता मान बताइए  
उत्पादक Infineon Technologies  
वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र 2.3V @ 94µA  
वीजीएस (मैक्स) ±20V  
प्रौद्योगिकी MOSFET (Metal Oxide)  
प्रदायक डिवाइस पैकेज PG-SOT223-4  
शृंखला SIPMOS®  
आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस 45Ohm @ 120mA, 10V  
शक्ति का अपव्यय (मैक्स) 1.8W (Ta)  
पैकेज / प्रकरण TO-261-4, TO-261AA  
पैकेट Tape & Reel (TR)  
उत्पाद विशेषता मान बताइए  
परिचालन तापमान -55°C ~ 150°C (TJ)  
माउन्टिंग का प्रकार Surface Mount  
इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस 150 pF @ 25 V  
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस 6.6 nC @ 10 V  
FET प्रकार N-Channel  
FET फ़ीचर -  
ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन) 4.5V, 10V  
स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss) 600 V  
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ ​​25 डिग्री सेल्सियस 120mA (Ta)  

समान विनिर्देशों के साथ भाग

दाईं ओर के तीन भागों में Infineon Technologies BSP125 E6327 के समान विनिर्देश हैं।

उत्पाद विशेषता BSP125 E6327 BSP125H6327XTSA1 BSP126,115 BSP125L6327
भाग संख्या BSP125 E6327 BSP125H6327XTSA1 BSP126,115 BSP125L6327
उत्पादक Infineon Technologies Infineon Technologies Nexperia USA Inc. Infineon Technologies
इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस 150 pF @ 25 V 150 pF @ 25 V 120 pF @ 25 V 150 pF @ 25 V
परिचालन तापमान -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
FET फ़ीचर - - - -
स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss) 600 V 600 V 250 V 600 V
प्रदायक डिवाइस पैकेज PG-SOT223-4 PG-SOT223-4 SOT-223 PG-SOT223-4-21
माउन्टिंग का प्रकार Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
FET प्रकार N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
शक्ति का अपव्यय (मैक्स) 1.8W (Ta) 1.8W (Ta) 1.5W (Ta) 1.8W (Ta)
शृंखला SIPMOS® SIPMOS® - SIPMOS®
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ ​​25 डिग्री सेल्सियस 120mA (Ta) 120mA (Ta) 375mA (Ta) 120mA (Ta)
आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस 45Ohm @ 120mA, 10V 45Ohm @ 120mA, 10V 5Ohm @ 300mA, 10V 45Ohm @ 120mA, 10V
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस 6.6 nC @ 10 V 6.6 nC @ 10 V - 6.6 nC @ 10 V
वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र 2.3V @ 94µA 2.3V @ 94µA 2V @ 1mA 2.3V @ 94µA
पैकेट Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Bulk
ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन) 4.5V, 10V 4.5V, 10V 10V 4.5V, 10V
प्रौद्योगिकी MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
पैकेज / प्रकरण TO-261-4, TO-261AA TO-261-4, TO-261AA TO-261-4, TO-261AA TO-261-4, TO-261AA
वीजीएस (मैक्स) ±20V ±20V ±20V ±20V

BSP125 E6327 डेटशीट पीडीएफ

BSP125 E6327 - Infineon Technologies के लिए BSP125 E6327 PDF DataSheets और Infineon Technologies प्रलेखन डाउनलोड करें।

अन्य संबंधित दस्तावेज
Part Number Guide.pdf
पीसीएन अप्रचलन/ ईओएल
Multiple Devices 28/Mar/2008.pdf

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  2. अन्य लोग अधिक शिपिंग तरीके, कृपया अपने ग्राहक प्रबंधक के संपर्क में रहें।

सामान्य देश लॉजिस्टिक टाइम संदर्भ
क्षेत्र देश लॉजिस्टिक टाइम (दिन)
अमेरिका संयुक्त राज्य अमेरिका 5
ब्राज़िल 7
यूरोप जर्मनी 5
यूनाइटेड किंगडम 4
इटली 5
ओशिनिया ऑस्ट्रेलिया 6
न्यूज़ीलैंड 5
एशिया भारत 4
जापान 4
मध्य पूर्व इजराइल 6
डीएचएल और फेडेक्स शिपमेंट चार्ज संदर्भ
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0.00 किग्रा -1.00 किग्रा USD $30.00 - USD $60.00
1.00 किग्रा -2.00 किग्रा USD $40.00 - USD $80.00
2.00 किग्रा -3.00 किग्रा USD $50.00 - USD $100.00
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