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घरउत्पादअसतत सेमीकंडक्टर उत्पादट्रांजिस्टर - एफईटी, एमओएसएफईटी - सिंगलBSP373L6327
Infineon Technologies
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BSP373L6327 - Infineon Technologies

उत्पादक भाग संख्या
BSP373L6327
उत्पादक
Infineon Technologies
Allelco भाग संख्या
32D-BSP373L6327
ईसीएडी मॉडल
भागों का विवरण
N-CHANNEL POWER MOSFET
विस्तृत विवरण
पैकेज
TO-261-4, TO-261AA
विवरण तालिका
BSP373L6327.pdf
RoHs स्थिति
तुलना
स्टॉक में: 4280

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मात्रा

विशेष विवरण

BSP373L6327 तकनीकी विनिर्देश
Infineon Technologies - BSP373L6327 तकनीकी विनिर्देशों, विशेषताओं, मापदंडों और Infineon Technologies - BSP373L6327 के समान विनिर्देशों के साथ भागों

उत्पाद विशेषता मान बताइए  
उत्पादक Infineon Technologies  
वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र 4V @ 1mA  
वीजीएस (मैक्स) ±20V  
प्रौद्योगिकी MOSFET (Metal Oxide)  
प्रदायक डिवाइस पैकेज PG-SOT223  
शृंखला SIPMOS®  
आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस 300mOhm @ 1.7A, 10V  
शक्ति का अपव्यय (मैक्स) 1.8W (Ta)  
पैकेज / प्रकरण TO-261-4, TO-261AA  
उत्पाद विशेषता मान बताइए  
पैकेट Bulk  
परिचालन तापमान -55°C ~ 150°C (TJ)  
माउन्टिंग का प्रकार Surface Mount  
इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस 550 pF @ 25 V  
FET प्रकार N-Channel  
FET फ़ीचर -  
ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन) 10V  
स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss) 100 V  
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ ​​25 डिग्री सेल्सियस 1.7A (Ta)  

समान विनिर्देशों के साथ भाग

दाईं ओर के तीन भागों में Infineon Technologies BSP373L6327 के समान विनिर्देश हैं।

उत्पाद विशेषता BSP373L6327 BSP373NH6327XTSA1 BSP372NH6327XTSA1 BSP373 E6327
भाग संख्या BSP373L6327 BSP373NH6327XTSA1 BSP372NH6327XTSA1 BSP373 E6327
उत्पादक Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
शक्ति का अपव्यय (मैक्स) 1.8W (Ta) 1.8W (Ta) 1.8W (Ta) 1.8W (Ta)
पैकेज / प्रकरण TO-261-4, TO-261AA TO-261-4, TO-261AA TO-261-4, TO-261AA TO-261-4, TO-261AA
FET प्रकार N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
माउन्टिंग का प्रकार Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ ​​25 डिग्री सेल्सियस 1.7A (Ta) 1.8A (Ta) 1.8A (Ta) 1.7A (Ta)
वीजीएस (मैक्स) ±20V ±20V ±20V ±20V
प्रदायक डिवाइस पैकेज PG-SOT223 PG-SOT223-4 PG-SOT223-4 PG-SOT223-4
FET फ़ीचर - - - -
परिचालन तापमान -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन) 10V 10V 4.5V, 10V 10V
स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss) 100 V 100 V 100 V 100 V
प्रौद्योगिकी MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
पैकेट Bulk Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
शृंखला SIPMOS® OptiMOS™ OptiMOS™ SIPMOS®
आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस 300mOhm @ 1.7A, 10V 240mOhm @ 1.8A, 10V 230mOhm @ 1.8A, 10V 300mOhm @ 1.7A, 10V
इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस 550 pF @ 25 V 265 pF @ 25 V 329 pF @ 25 V 550 pF @ 25 V
वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र 4V @ 1mA 4V @ 218µA 1.8V @ 218µA 4V @ 1mA

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क्षेत्र देश लॉजिस्टिक टाइम (दिन)
अमेरिका संयुक्त राज्य अमेरिका 5
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यूरोप जर्मनी 5
यूनाइटेड किंगडम 4
इटली 5
ओशिनिया ऑस्ट्रेलिया 6
न्यूज़ीलैंड 5
एशिया भारत 4
जापान 4
मध्य पूर्व इजराइल 6
डीएचएल और फेडेक्स शिपमेंट चार्ज संदर्भ
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0.00 किग्रा -1.00 किग्रा USD $30.00 - USD $60.00
1.00 किग्रा -2.00 किग्रा USD $40.00 - USD $80.00
2.00 किग्रा -3.00 किग्रा USD $50.00 - USD $100.00
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