Name: Infineon Technologies IRF100B201
Brand: Infineon Technologies
SKU: IRF100B201

शिपमेंट

डिलीवरी का समय

इन-स्टॉक आइटम को 24 घंटे के भीतर भेजा जा सकता है।कुछ हिस्सों को 1-2 दिनों के भीतर डिलीवरी के लिए व्यवस्थित किया जाएगा, जिस तारीख से सभी आइटम हमारे गोदाम में आते हैं।और Allelco जहाज दिन में एक बार रविवार को छोड़कर लगभग 17:00 बजे ऑर्डर करते हैं।एक बार माल भेजने के बाद, अनुमानित डिलीवरी का समय शिपिंग विधियों और वितरण गंतव्य पर निर्भर करता है।नीचे दी गई तालिका कुछ सामान्य देशों के लिए लॉजिस्टिक समय है।

वितरण लागत

यदि आपके पास एक है तो शिपमेंट के लिए अपने एक्सप्रेस खाते का उपयोग करें।
शिपमेंट के लिए हमारे खाते का उपयोग करें।अनुमानित शुल्क के लिए नीचे दी गई तालिका देखें।

(अलग -अलग समय सीमा / देश / पैकेज आकार की कीमत अलग है।)

डिलिवरी विधि

डीएचएल / यूपीएस / फेडएक्स / टीएनटी / ईएमएस / एसएफ द्वारा वैश्विक सामान्य शिपमेंट हम समर्थन करते हैं।
अन्य लोग अधिक शिपिंग तरीके, कृपया अपने ग्राहक प्रबंधक के संपर्क में रहें।

सामान्य देश लॉजिस्टिक टाइम संदर्भ
क्षेत्र	देश	लॉजिस्टिक टाइम (दिन)
अमेरिका	संयुक्त राज्य अमेरिका	5
अमेरिका	ब्राज़िल	7
यूरोप	जर्मनी	5
	यूनाइटेड किंगडम	4
	इटली	5
ओशिनिया	ऑस्ट्रेलिया	6
ओशिनिया	न्यूज़ीलैंड	5
एशिया	भारत	4
एशिया	जापान	4
मध्य पूर्व	इजराइल	6

डीएचएल और फेडेक्स शिपमेंट चार्ज संदर्भ
शिपमेंट शुल्क	संदर्भ डीएचएल (यूएसडी $)
0.00 किग्रा -1.00 किग्रा	USD $30.00 - USD $60.00
1.00 किग्रा -2.00 किग्रा	USD $40.00 - USD $80.00
2.00 किग्रा -3.00 किग्रा	USD $50.00 - USD $100.00

टिप्पणी:: उपरोक्त तालिका केवल संदर्भ के लिए है।बेकाबू कारकों के लिए कुछ डेटा पूर्वाग्रह हो सकते हैं।
अगर तुम्हारे पास कोई सवाल है तो हमसे संपर्क करें।

उत्पाद विशेषता	मान बताइए
उत्पादक	Infineon Technologies
वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र	4V @ 250µA
वीजीएस (मैक्स)	±20V
प्रौद्योगिकी	MOSFET (Metal Oxide)
प्रदायक डिवाइस पैकेज	TO-220AB
शृंखला	HEXFET®, StrongIRFET™
आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस	4.2mOhm @ 115A, 10V
शक्ति का अपव्यय (मैक्स)	441W (Tc)
पैकेज / प्रकरण	TO-220-3
पैकेट	Tube

उत्पाद विशेषता	मान बताइए
परिचालन तापमान	-55°C ~ 175°C (TJ)
माउन्टिंग का प्रकार	Through Hole
इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस	9500 pF @ 50 V
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस	255 nC @ 10 V
FET प्रकार	N-Channel
FET फ़ीचर	-
ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन)	10V
स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss)	100 V
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस	192A (Tc)
आधार उत्पाद संख्या	IRF100

उत्पाद विशेषता
भाग संख्या	IRF100B201	IRF1010EPBF	IRF1010ESTRLPBF	IRF100B202
उत्पादक	Infineon Technologies	Infineon Technologies	Infineon Technologies	Infineon Technologies
प्रौद्योगिकी	MOSFET (Metal Oxide)	MOSFET (Metal Oxide)	MOSFET (Metal Oxide)	MOSFET (Metal Oxide)
पैकेट	Tube	Tube	Tape & Reel (TR)	Tube
वीजीएस (मैक्स)	±20V	±20V	±20V	±20V
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस	192A (Tc)	84A (Tc)	84A (Tc)	97A (Tc)
माउन्टिंग का प्रकार	Through Hole	Through Hole	Surface Mount	Through Hole
ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन)	10V	10V	10V	10V
परिचालन तापमान	-55°C ~ 175°C (TJ)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-55°C ~ 175°C (TJ)
वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र	4V @ 250µA	4V @ 250µA	4V @ 250µA	4V @ 150µA
शक्ति का अपव्यय (मैक्स)	441W (Tc)	200W (Tc)	200W (Tc)	221W (Tc)
आधार उत्पाद संख्या	IRF100	IRF1010	IRF1010	IRF100
FET प्रकार	N-Channel	N-Channel	N-Channel	N-Channel
इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस	9500 pF @ 50 V	3210 pF @ 25 V	3210 pF @ 25 V	4476 pF @ 50 V
आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस	4.2mOhm @ 115A, 10V	12mOhm @ 50A, 10V	12mOhm @ 50A, 10V	8.6mOhm @ 58A, 10V
स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss)	100 V	60 V	60 V	100 V
प्रदायक डिवाइस पैकेज	TO-220AB	TO-220AB	D2PAK	TO-220AB
पैकेज / प्रकरण	TO-220-3	TO-220-3	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	TO-220-3
शृंखला	HEXFET®, StrongIRFET™	HEXFET®	HEXFET®	HEXFET®, StrongIRFET™
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस	255 nC @ 10 V	130 nC @ 10 V	130 nC @ 10 V	116 nC @ 10 V
FET फ़ीचर	-	-	-	-

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