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घरउत्पादअसतत सेमीकंडक्टर उत्पादट्रांजिस्टर - एफईटी, एमओएसएफईटी - सिंगलIRF3315STRL
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IRF3315STRL - Infineon Technologies

उत्पादक भाग संख्या
IRF3315STRL
उत्पादक
Infineon Technologies
Allelco भाग संख्या
32D-IRF3315STRL
ईसीएडी मॉडल
भागों का विवरण
MOSFET N-CH 150V 21A D2PAK
पैकेज
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
विवरण तालिका
IRF3315STRL.pdf
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स्टॉक में: 4510

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मात्रा
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विशेष विवरण

IRF3315STRL तकनीकी विनिर्देश
Infineon Technologies - IRF3315STRL तकनीकी विनिर्देशों, विशेषताओं, मापदंडों और Infineon Technologies - IRF3315STRL के समान विनिर्देशों के साथ भागों

उत्पाद विशेषता मान बताइए  
उत्पादक Infineon Technologies  
वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र 4V @ 250µA  
वीजीएस (मैक्स) ±20V  
प्रौद्योगिकी MOSFET (Metal Oxide)  
प्रदायक डिवाइस पैकेज D2PAK  
शृंखला HEXFET®  
आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस 82mOhm @ 12A, 10V  
शक्ति का अपव्यय (मैक्स) 3.8W (Ta), 94W (Tc)  
पैकेज / प्रकरण TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB  
पैकेट Tape & Reel (TR)  
उत्पाद विशेषता मान बताइए  
परिचालन तापमान -55°C ~ 175°C (TJ)  
माउन्टिंग का प्रकार Surface Mount  
इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस 1300 pF @ 25 V  
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस 95 nC @ 10 V  
FET प्रकार N-Channel  
FET फ़ीचर -  
ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन) 10V  
स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss) 150 V  
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ ​​25 डिग्री सेल्सियस 21A (Tc)  

पर्यावरण और निर्यात वर्गीकरण

गुण विवरण
RoHs स्थिति RoHS गैर-आज्ञाकारी
नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल) 1 (Unlimited)
तक पहुँचने की स्थिति REACH Unaffected
ECCN EAR99
HTSUS

समान विनिर्देशों के साथ भाग

दाईं ओर के तीन भागों में Infineon Technologies IRF3315STRL के समान विनिर्देश हैं।

उत्पाद विशेषता IRF3315STRL IRF3415PBF IRF3415S IRF3315SPBF
भाग संख्या IRF3315STRL IRF3415PBF IRF3415S IRF3315SPBF
उत्पादक Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies International Rectifier
प्रदायक डिवाइस पैकेज D2PAK TO-220AB D2PAK D2PAK
वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA
शक्ति का अपव्यय (मैक्स) 3.8W (Ta), 94W (Tc) 200W (Tc) 3.8W (Ta), 200W (Tc) 3.8W (Ta), 94W (Tc)
आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस 82mOhm @ 12A, 10V 42mOhm @ 22A, 10V 42mOhm @ 22A, 10V 82mOhm @ 12A, 10V
FET फ़ीचर - - - -
परिचालन तापमान -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस 95 nC @ 10 V 200 nC @ 10 V 200 nC @ 10 V 95 nC @ 10 V
पैकेज / प्रकरण TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-220-3 TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
माउन्टिंग का प्रकार Surface Mount Through Hole Surface Mount Surface Mount
स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss) 150 V 150 V 150 V 150 V
इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस 1300 pF @ 25 V 2400 pF @ 25 V 2400 pF @ 25 V 1300 pF @ 25 V
प्रौद्योगिकी MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
वीजीएस (मैक्स) ±20V ±20V ±20V ±20V
FET प्रकार N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन) 10V 10V 10V 10V
पैकेट Tape & Reel (TR) Tube Tube Bulk
शृंखला HEXFET® HEXFET® HEXFET® HEXFET®
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ ​​25 डिग्री सेल्सियस 21A (Tc) 43A (Tc) 43A (Tc) 21A (Tc)

IRF3315STRL डेटशीट पीडीएफ

IRF3315STRL - Infineon Technologies के लिए IRF3315STRL PDF DataSheets और Infineon Technologies प्रलेखन डाउनलोड करें।

अन्य संबंधित दस्तावेज
IR Part Numbering System.pdf

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डिलीवरी का समय

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डिलिवरी विधि

  1. डीएचएल / यूपीएस / फेडएक्स / टीएनटी / ईएमएस / एसएफ द्वारा वैश्विक सामान्य शिपमेंट हम समर्थन करते हैं।
  2. अन्य लोग अधिक शिपिंग तरीके, कृपया अपने ग्राहक प्रबंधक के संपर्क में रहें।

सामान्य देश लॉजिस्टिक टाइम संदर्भ
क्षेत्र देश लॉजिस्टिक टाइम (दिन)
अमेरिका संयुक्त राज्य अमेरिका 5
ब्राज़िल 7
यूरोप जर्मनी 5
यूनाइटेड किंगडम 4
इटली 5
ओशिनिया ऑस्ट्रेलिया 6
न्यूज़ीलैंड 5
एशिया भारत 4
जापान 4
मध्य पूर्व इजराइल 6
डीएचएल और फेडेक्स शिपमेंट चार्ज संदर्भ
शिपमेंट शुल्क संदर्भ डीएचएल (यूएसडी $)
0.00 किग्रा -1.00 किग्रा USD $30.00 - USD $60.00
1.00 किग्रा -2.00 किग्रा USD $40.00 - USD $80.00
2.00 किग्रा -3.00 किग्रा USD $50.00 - USD $100.00
टिप्पणी:
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