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उत्तरी अमेरिका
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घरउत्पादअसतत सेमीकंडक्टर उत्पादट्रांजिस्टर - एफईटी, एमओएसएफईटी - सिंगलIRF3709ZPBF
International Rectifier
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IRF3709ZPBF - International Rectifier

उत्पादक भाग संख्या
IRF3709ZPBF
उत्पादक
Infineon Technologies
Allelco भाग संख्या
32D-IRF3709ZPBF
ईसीएडी मॉडल
भागों का विवरण
MOSFET N-CH 30V 87A TO220AB
विस्तृत विवरण
पैकेज
TO-220-3
विवरण तालिका
IRF3709ZPBF.pdf
RoHs स्थिति
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विशेष विवरण

IRF3709ZPBF तकनीकी विनिर्देश
International Rectifier - IRF3709ZPBF तकनीकी विनिर्देशों, विशेषताओं, मापदंडों और International Rectifier - IRF3709ZPBF के समान विनिर्देशों के साथ भागों

उत्पाद विशेषता मान बताइए  
उत्पादक Infineon Technologies  
वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र 2.25V @ 250µA  
वीजीएस (मैक्स) ±20V  
प्रौद्योगिकी MOSFET (Metal Oxide)  
प्रदायक डिवाइस पैकेज TO-220AB  
शृंखला HEXFET®  
आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस 6.3mOhm @ 21A, 10V  
शक्ति का अपव्यय (मैक्स) 79W (Tc)  
पैकेज / प्रकरण TO-220-3  
उत्पाद विशेषता मान बताइए  
पैकेट Bulk  
परिचालन तापमान -55°C ~ 175°C (TJ)  
माउन्टिंग का प्रकार Through Hole  
इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस 2130 pF @ 15 V  
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस 26 nC @ 4.5 V  
FET प्रकार N-Channel  
FET फ़ीचर -  
स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss) 30 V  
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ ​​25 डिग्री सेल्सियस 87A (Tc)  

समान विनिर्देशों के साथ भाग

दाईं ओर के तीन भागों में International Rectifier IRF3709ZPBF के समान विनिर्देश हैं।

उत्पाद विशेषता IRF3709ZPBF IRF3709ZCS IRF3709ZSPBF IRF3709S
भाग संख्या IRF3709ZPBF IRF3709ZCS IRF3709ZSPBF IRF3709S
उत्पादक International Rectifier Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस 26 nC @ 4.5 V 26 nC @ 4.5 V 26 nC @ 4.5 V 41 nC @ 5 V
प्रदायक डिवाइस पैकेज TO-220AB D2PAK D2PAK D2PAK
स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss) 30 V 30 V 30 V 30 V
पैकेज / प्रकरण TO-220-3 TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र 2.25V @ 250µA 2.25V @ 250µA 2.25V @ 250µA 3V @ 250µA
FET प्रकार N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
माउन्टिंग का प्रकार Through Hole Surface Mount Surface Mount Surface Mount
आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस 6.3mOhm @ 21A, 10V 6.3mOhm @ 21A, 10V 6.3mOhm @ 21A, 10V 9mOhm @ 15A, 10V
इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस 2130 pF @ 15 V 2130 pF @ 15 V 2130 pF @ 15 V 2672 pF @ 16 V
वीजीएस (मैक्स) ±20V ±20V ±20V ±20V
प्रौद्योगिकी MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
परिचालन तापमान -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
पैकेट Bulk Tube Tube Tube
शक्ति का अपव्यय (मैक्स) 79W (Tc) 79W (Tc) 79W (Tc) 3.1W (Ta), 120W (Tc)
शृंखला HEXFET® HEXFET® HEXFET® HEXFET®
FET फ़ीचर - - - -
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ ​​25 डिग्री सेल्सियस 87A (Tc) 87A (Tc) 87A (Tc) 90A (Tc)

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सामान्य देश लॉजिस्टिक टाइम संदर्भ
क्षेत्र देश लॉजिस्टिक टाइम (दिन)
अमेरिका संयुक्त राज्य अमेरिका 5
ब्राज़िल 7
यूरोप जर्मनी 5
यूनाइटेड किंगडम 4
इटली 5
ओशिनिया ऑस्ट्रेलिया 6
न्यूज़ीलैंड 5
एशिया भारत 4
जापान 4
मध्य पूर्व इजराइल 6
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शिपमेंट शुल्क संदर्भ डीएचएल (यूएसडी $)
0.00 किग्रा -1.00 किग्रा USD $30.00 - USD $60.00
1.00 किग्रा -2.00 किग्रा USD $40.00 - USD $80.00
2.00 किग्रा -3.00 किग्रा USD $50.00 - USD $100.00
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