Name: Infineon Technologies IRF40B207
Brand: Infineon Technologies
SKU: IRF40B207

शिपमेंट

डिलीवरी का समय

इन-स्टॉक आइटम को 24 घंटे के भीतर भेजा जा सकता है।कुछ हिस्सों को 1-2 दिनों के भीतर डिलीवरी के लिए व्यवस्थित किया जाएगा, जिस तारीख से सभी आइटम हमारे गोदाम में आते हैं।और Allelco जहाज दिन में एक बार रविवार को छोड़कर लगभग 17:00 बजे ऑर्डर करते हैं।एक बार माल भेजने के बाद, अनुमानित डिलीवरी का समय शिपिंग विधियों और वितरण गंतव्य पर निर्भर करता है।नीचे दी गई तालिका कुछ सामान्य देशों के लिए लॉजिस्टिक समय है।

वितरण लागत

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शिपमेंट के लिए हमारे खाते का उपयोग करें।अनुमानित शुल्क के लिए नीचे दी गई तालिका देखें।

(अलग -अलग समय सीमा / देश / पैकेज आकार की कीमत अलग है।)

डिलिवरी विधि

डीएचएल / यूपीएस / फेडएक्स / टीएनटी / ईएमएस / एसएफ द्वारा वैश्विक सामान्य शिपमेंट हम समर्थन करते हैं।
अन्य लोग अधिक शिपिंग तरीके, कृपया अपने ग्राहक प्रबंधक के संपर्क में रहें।

सामान्य देश लॉजिस्टिक टाइम संदर्भ
क्षेत्र	देश	लॉजिस्टिक टाइम (दिन)
अमेरिका	संयुक्त राज्य अमेरिका	5
अमेरिका	ब्राज़िल	7
यूरोप	जर्मनी	5
	यूनाइटेड किंगडम	4
	इटली	5
ओशिनिया	ऑस्ट्रेलिया	6
ओशिनिया	न्यूज़ीलैंड	5
एशिया	भारत	4
एशिया	जापान	4
मध्य पूर्व	इजराइल	6

डीएचएल और फेडेक्स शिपमेंट चार्ज संदर्भ
शिपमेंट शुल्क	संदर्भ डीएचएल (यूएसडी $)
0.00 किग्रा -1.00 किग्रा	USD $30.00 - USD $60.00
1.00 किग्रा -2.00 किग्रा	USD $40.00 - USD $80.00
2.00 किग्रा -3.00 किग्रा	USD $50.00 - USD $100.00

टिप्पणी:: उपरोक्त तालिका केवल संदर्भ के लिए है।बेकाबू कारकों के लिए कुछ डेटा पूर्वाग्रह हो सकते हैं।
अगर तुम्हारे पास कोई सवाल है तो हमसे संपर्क करें।

उत्पाद विशेषता	मान बताइए
उत्पादक	Infineon Technologies
वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र	3.9V @ 50µA
वीजीएस (मैक्स)	±20V
प्रौद्योगिकी	MOSFET (Metal Oxide)
प्रदायक डिवाइस पैकेज	TO-220AB
शृंखला	HEXFET®, StrongIRFET™
आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस	4.5mOhm @ 57A, 10V
शक्ति का अपव्यय (मैक्स)	83W (Tc)
पैकेज / प्रकरण	TO-220-3
पैकेट	Tube

उत्पाद विशेषता	मान बताइए
परिचालन तापमान	-55°C ~ 175°C (TJ)
माउन्टिंग का प्रकार	Through Hole
इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस	2110 pF @ 25 V
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस	68 nC @ 10 V
FET प्रकार	N-Channel
FET फ़ीचर	-
ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन)	6V, 10V
स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss)	40 V
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस	95A (Tc)
आधार उत्पाद संख्या	IRF40B207

उत्पाद विशेषता
भाग संख्या	IRF40B207	IRF40H210	IRF3808PBF	IRF4104
उत्पादक	Infineon Technologies	International Rectifier	Infineon Technologies	Infineon Technologies
FET फ़ीचर	-	-	-	-
प्रदायक डिवाइस पैकेज	TO-220AB	8-PQFN (5x6)	TO-220AB	TO-220AB
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस	95A (Tc)	100A (Tc)	140A (Tc)	75A (Tc)
आधार उत्पाद संख्या	IRF40B207	-	IRF3808	-
वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र	3.9V @ 50µA	3.7V @ 150µA	4V @ 250µA	4V @ 250µA
प्रौद्योगिकी	MOSFET (Metal Oxide)	MOSFET (Metal Oxide)	MOSFET (Metal Oxide)	MOSFET (Metal Oxide)
पैकेट	Tube	Bulk	Tube	Tube
इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस	2110 pF @ 25 V	5406 pF @ 25 V	5310 pF @ 25 V	3000 pF @ 25 V
स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss)	40 V	40 V	75 V	40 V
आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस	4.5mOhm @ 57A, 10V	1.7mOhm @ 100A, 10V	7mOhm @ 82A, 10V	5.5mOhm @ 75A, 10V
FET प्रकार	N-Channel	N-Channel	N-Channel	N-Channel
परिचालन तापमान	-55°C ~ 175°C (TJ)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-55°C ~ 175°C (TJ)
ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन)	6V, 10V	6V, 10V	10V	10V
माउन्टिंग का प्रकार	Through Hole	Surface Mount	Through Hole	Through Hole
शृंखला	HEXFET®, StrongIRFET™	HEXFET®, StrongIRFET™	HEXFET®	HEXFET®
पैकेज / प्रकरण	TO-220-3	8-PowerVDFN	TO-220-3	TO-220-3
वीजीएस (मैक्स)	±20V	±20V	±20V	±20V
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस	68 nC @ 10 V	152 nC @ 10 V	220 nC @ 10 V	100 nC @ 10 V
शक्ति का अपव्यय (मैक्स)	83W (Tc)	125W (Tc)	330W (Tc)	140W (Tc)

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