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घरउत्पादअसतत सेमीकंडक्टर उत्पादट्रांजिस्टर - एफईटी, एमओएसएफईटी - सिंगलIRF4905LPBF
Infineon Technologies
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IRF4905LPBF - Infineon Technologies

उत्पादक भाग संख्या
IRF4905LPBF
उत्पादक
Infineon Technologies
Allelco भाग संख्या
32D-IRF4905LPBF
ईसीएडी मॉडल
भागों का विवरण
MOSFET P-CH 55V 42A TO262
विस्तृत विवरण
पैकेज
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
विवरण तालिका
IRF4905LPBF.pdf
RoHs स्थिति
तुलना
स्टॉक में: 21368

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मात्रा

विशेष विवरण

IRF4905LPBF तकनीकी विनिर्देश
Infineon Technologies - IRF4905LPBF तकनीकी विनिर्देशों, विशेषताओं, मापदंडों और Infineon Technologies - IRF4905LPBF के समान विनिर्देशों के साथ भागों

उत्पाद विशेषता मान बताइए  
उत्पादक Infineon Technologies  
वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र 4V @ 250µA  
वीजीएस (मैक्स) ±20V  
प्रौद्योगिकी MOSFET (Metal Oxide)  
प्रदायक डिवाइस पैकेज TO-262  
शृंखला HEXFET®  
आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस 20mOhm @ 42A, 10V  
शक्ति का अपव्यय (मैक्स) 170W (Tc)  
पैकेज / प्रकरण TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA  
पैकेट Tube  
उत्पाद विशेषता मान बताइए  
परिचालन तापमान -55°C ~ 150°C (TJ)  
माउन्टिंग का प्रकार Through Hole  
इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस 3500 pF @ 25 V  
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस 180 nC @ 10 V  
FET प्रकार P-Channel  
FET फ़ीचर -  
ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन) 10V  
स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss) 55 V  
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ ​​25 डिग्री सेल्सियस 42A (Tc)  
आधार उत्पाद संख्या IRF4905  

समान विनिर्देशों के साथ भाग

दाईं ओर के तीन भागों में Infineon Technologies IRF4905LPBF के समान विनिर्देश हैं।

उत्पाद विशेषता IRF4905LPBF IRF4905PBF IRF4905SPBF IRF450
भाग संख्या IRF4905LPBF IRF4905PBF IRF4905SPBF IRF450
उत्पादक Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन) 10V 10V 10V 10V
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस 180 nC @ 10 V 180 nC @ 10 V 180 nC @ 10 V 120 nC @ 10 V
परिचालन तापमान -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ ​​25 डिग्री सेल्सियस 42A (Tc) 74A (Tc) 42A (Tc) 12A (Tc)
प्रौद्योगिकी MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
माउन्टिंग का प्रकार Through Hole Through Hole Surface Mount Through Hole
FET प्रकार P-Channel P-Channel P-Channel N-Channel
स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss) 55 V 55 V 55 V 500 V
शक्ति का अपव्यय (मैक्स) 170W (Tc) 200W (Tc) 170W (Tc) 150W (Tc)
FET फ़ीचर - - - -
आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस 20mOhm @ 42A, 10V 20mOhm @ 38A, 10V 20mOhm @ 42A, 10V 500mOhm @ 12A, 10V
शृंखला HEXFET® HEXFET® HEXFET® HEXFET®
इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस 3500 pF @ 25 V 3400 pF @ 25 V 3500 pF @ 25 V 2700 pF @ 25 V
वीजीएस (मैक्स) ±20V ±20V ±20V ±20V
वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA
आधार उत्पाद संख्या IRF4905 IRF4905 - -
प्रदायक डिवाइस पैकेज TO-262 TO-220AB D2PAK TO-204AA (TO-3)
पैकेट Tube Tube Tube Tube
पैकेज / प्रकरण TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA TO-220-3 TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-204AA, TO-3

IRF4905LPBF डेटशीट पीडीएफ

IRF4905LPBF - Infineon Technologies के लिए IRF4905LPBF PDF DataSheets और Infineon Technologies प्रलेखन डाउनलोड करें।

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यूरोप जर्मनी 5
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इटली 5
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न्यूज़ीलैंड 5
एशिया भारत 4
जापान 4
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0.00 किग्रा -1.00 किग्रा USD $30.00 - USD $60.00
1.00 किग्रा -2.00 किग्रा USD $40.00 - USD $80.00
2.00 किग्रा -3.00 किग्रा USD $50.00 - USD $100.00
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