Name: Infineon Technologies IRF530NSTRRPBF
Brand: Infineon Technologies
SKU: IRF530NSTRRPBF

शिपमेंट

डिलीवरी का समय

इन-स्टॉक आइटम को 24 घंटे के भीतर भेजा जा सकता है।कुछ हिस्सों को 1-2 दिनों के भीतर डिलीवरी के लिए व्यवस्थित किया जाएगा, जिस तारीख से सभी आइटम हमारे गोदाम में आते हैं।और Allelco जहाज दिन में एक बार रविवार को छोड़कर लगभग 17:00 बजे ऑर्डर करते हैं।एक बार माल भेजने के बाद, अनुमानित डिलीवरी का समय शिपिंग विधियों और वितरण गंतव्य पर निर्भर करता है।नीचे दी गई तालिका कुछ सामान्य देशों के लिए लॉजिस्टिक समय है।

वितरण लागत

यदि आपके पास एक है तो शिपमेंट के लिए अपने एक्सप्रेस खाते का उपयोग करें।
शिपमेंट के लिए हमारे खाते का उपयोग करें।अनुमानित शुल्क के लिए नीचे दी गई तालिका देखें।

(अलग -अलग समय सीमा / देश / पैकेज आकार की कीमत अलग है।)

डिलिवरी विधि

डीएचएल / यूपीएस / फेडएक्स / टीएनटी / ईएमएस / एसएफ द्वारा वैश्विक सामान्य शिपमेंट हम समर्थन करते हैं।
अन्य लोग अधिक शिपिंग तरीके, कृपया अपने ग्राहक प्रबंधक के संपर्क में रहें।

सामान्य देश लॉजिस्टिक टाइम संदर्भ
क्षेत्र	देश	लॉजिस्टिक टाइम (दिन)
अमेरिका	संयुक्त राज्य अमेरिका	5
अमेरिका	ब्राज़िल	7
यूरोप	जर्मनी	5
	यूनाइटेड किंगडम	4
	इटली	5
ओशिनिया	ऑस्ट्रेलिया	6
ओशिनिया	न्यूज़ीलैंड	5
एशिया	भारत	4
एशिया	जापान	4
मध्य पूर्व	इजराइल	6

डीएचएल और फेडेक्स शिपमेंट चार्ज संदर्भ
शिपमेंट शुल्क	संदर्भ डीएचएल (यूएसडी $)
0.00 किग्रा -1.00 किग्रा	USD $30.00 - USD $60.00
1.00 किग्रा -2.00 किग्रा	USD $40.00 - USD $80.00
2.00 किग्रा -3.00 किग्रा	USD $50.00 - USD $100.00

टिप्पणी:: उपरोक्त तालिका केवल संदर्भ के लिए है।बेकाबू कारकों के लिए कुछ डेटा पूर्वाग्रह हो सकते हैं।
अगर तुम्हारे पास कोई सवाल है तो हमसे संपर्क करें।

उत्पाद विशेषता	मान बताइए
उत्पादक	Infineon Technologies
वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र	4V @ 250µA
वीजीएस (मैक्स)	±20V
प्रौद्योगिकी	MOSFET (Metal Oxide)
प्रदायक डिवाइस पैकेज	D2PAK
शृंखला	HEXFET®
आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस	90mOhm @ 9A, 10V
शक्ति का अपव्यय (मैक्स)	3.8W (Ta), 70W (Tc)
पैकेज / प्रकरण	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
पैकेट	Tape & Reel (TR)

उत्पाद विशेषता	मान बताइए
परिचालन तापमान	-55°C ~ 175°C (TJ)
माउन्टिंग का प्रकार	Surface Mount
इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस	920 pF @ 25 V
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस	37 nC @ 10 V
FET प्रकार	N-Channel
FET फ़ीचर	-
ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन)	10V
स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss)	100 V
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस	17A (Tc)

उत्पाद विशेषता
भाग संख्या	IRF530NSTRRPBF	IRF530S	IRF530PBF	IRF530NSTRLPBF
उत्पादक	Infineon Technologies	Vishay Siliconix	Vishay Siliconix	Infineon Technologies
पैकेज / प्रकरण	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	TO-220-3	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन)	10V	10V	10V	10V
FET फ़ीचर	-	-	-	-
इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस	920 pF @ 25 V	670 pF @ 25 V	670 pF @ 25 V	920 pF @ 25 V
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस	17A (Tc)	14A (Tc)	14A (Tc)	17A (Tc)
FET प्रकार	N-Channel	N-Channel	N-Channel	N-Channel
शक्ति का अपव्यय (मैक्स)	3.8W (Ta), 70W (Tc)	3.7W (Ta), 88W (Tc)	88W (Tc)	3.8W (Ta), 70W (Tc)
वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र	4V @ 250µA	4V @ 250µA	4V @ 250µA	4V @ 250µA
प्रदायक डिवाइस पैकेज	D2PAK	D²PAK (TO-263)	TO-220AB	D2PAK
वीजीएस (मैक्स)	±20V	±20V	±20V	±20V
परिचालन तापमान	-55°C ~ 175°C (TJ)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-55°C ~ 175°C (TJ)
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस	37 nC @ 10 V	26 nC @ 10 V	26 nC @ 10 V	37 nC @ 10 V
प्रौद्योगिकी	MOSFET (Metal Oxide)	MOSFET (Metal Oxide)	MOSFET (Metal Oxide)	MOSFET (Metal Oxide)
शृंखला	HEXFET®	-	-	HEXFET®
माउन्टिंग का प्रकार	Surface Mount	Surface Mount	Through Hole	Surface Mount
पैकेट	Tape & Reel (TR)	Tube	Tube	Tape & Reel (TR)
स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss)	100 V	100 V	100 V	100 V
आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस	90mOhm @ 9A, 10V	160mOhm @ 8.4A, 10V	160mOhm @ 8.4A, 10V	90mOhm @ 9A, 10V

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