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घरउत्पादअसतत सेमीकंडक्टर उत्पादट्रांजिस्टर - एफईटी, एमओएसएफएटी - एरेज़IRF7316TRPBF
IRF7316TRPBF Image
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IRF7316TRPBF - Infineon Technologies

उत्पादक भाग संख्या
IRF7316TRPBF
उत्पादक
Infineon Technologies
Allelco भाग संख्या
32D-IRF7316TRPBF
ईसीएडी मॉडल
भागों का विवरण
MOSFET 2P-CH 30V 4.9A 8SO
विस्तृत विवरण
पैकेज
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
विवरण तालिका
IRF7316TRPBF.pdf
RoHs स्थिति
स्टॉक में: 71930

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मात्रा

विशेष विवरण

IRF7316TRPBF तकनीकी विनिर्देश
Infineon Technologies - IRF7316TRPBF तकनीकी विनिर्देशों, विशेषताओं, मापदंडों और Infineon Technologies - IRF7316TRPBF के समान विनिर्देशों के साथ भागों

उत्पाद विशेषता मान बताइए  
उत्पादक Infineon Technologies  
वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र 1V @ 250µA  
प्रौद्योगिकी MOSFET (Metal Oxide)  
प्रदायक डिवाइस पैकेज 8-SO  
शृंखला HEXFET®  
आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस 58mOhm @ 4.9A, 10V  
पावर - मैक्स 2W  
पैकेज / प्रकरण 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)  
पैकेट Tape & Reel (TR)  
उत्पाद विशेषता मान बताइए  
परिचालन तापमान -55°C ~ 150°C (TJ)  
माउन्टिंग का प्रकार Surface Mount  
इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस 710pF @ 25V  
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस 34nC @ 10V  
FET फ़ीचर Logic Level Gate  
स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss) 30V  
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ ​​25 डिग्री सेल्सियस 4.9A  
विन्यास 2 P-Channel (Dual)  
आधार उत्पाद संख्या IRF731  

समान विनिर्देशों के साथ भाग

दाईं ओर के तीन भागों में Infineon Technologies IRF7316TRPBF के समान विनिर्देश हैं।

उत्पाद विशेषता IRF7316TRPBF IRF7317TRPBF IRF7316QTRPBF IRF7314TRPBF
भाग संख्या IRF7316TRPBF IRF7317TRPBF IRF7316QTRPBF IRF7314TRPBF
उत्पादक Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
FET फ़ीचर Logic Level Gate Logic Level Gate Logic Level Gate Logic Level Gate
माउन्टिंग का प्रकार Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस 34nC @ 10V 27nC @ 4.5V 34nC @ 10V 29nC @ 4.5V
वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र 1V @ 250µA 700mV @ 250µA 1V @ 250µA 700mV @ 250µA
शृंखला HEXFET® HEXFET® - HEXFET®
पावर - मैक्स 2W 2W 2W 2W
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ ​​25 डिग्री सेल्सियस 4.9A 6.6A, 5.3A 4.9A 5.3A
प्रौद्योगिकी MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस 710pF @ 25V 900pF @ 15V 710pF @ 25V 780pF @ 15V
पैकेट Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Tape & Reel (TR)
परिचालन तापमान -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) - -55°C ~ 150°C (TJ)
प्रदायक डिवाइस पैकेज 8-SO 8-SO 8-SO 8-SO
स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss) 30V 20V 30V 20V
आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस 58mOhm @ 4.9A, 10V 29mOhm @ 6A, 4.5V 58mOhm @ 4.9A, 10V 58mOhm @ 2.9A, 4.5V
पैकेज / प्रकरण 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
आधार उत्पाद संख्या IRF731 IRF731 IRF731 IRF731
विन्यास 2 P-Channel (Dual) N and P-Channel 2 P-Channel (Dual) 2 P-Channel (Dual)

IRF7316TRPBF डेटशीट पीडीएफ

IRF7316TRPBF - Infineon Technologies के लिए IRF7316TRPBF PDF DataSheets और Infineon Technologies प्रलेखन डाउनलोड करें।

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सामान्य देश लॉजिस्टिक टाइम संदर्भ
क्षेत्र देश लॉजिस्टिक टाइम (दिन)
अमेरिका संयुक्त राज्य अमेरिका 5
ब्राज़िल 7
यूरोप जर्मनी 5
यूनाइटेड किंगडम 4
इटली 5
ओशिनिया ऑस्ट्रेलिया 6
न्यूज़ीलैंड 5
एशिया भारत 4
जापान 4
मध्य पूर्व इजराइल 6
डीएचएल और फेडेक्स शिपमेंट चार्ज संदर्भ
शिपमेंट शुल्क संदर्भ डीएचएल (यूएसडी $)
0.00 किग्रा -1.00 किग्रा USD $30.00 - USD $60.00
1.00 किग्रा -2.00 किग्रा USD $40.00 - USD $80.00
2.00 किग्रा -3.00 किग्रा USD $50.00 - USD $100.00
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