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घरउत्पादअसतत सेमीकंडक्टर उत्पादट्रांजिस्टर - एफईटी, एमओएसएफएटी - एरेज़IRF7338TRPBF
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IRF7338TRPBF - Infineon Technologies

उत्पादक भाग संख्या
IRF7338TRPBF
उत्पादक
Infineon Technologies
Allelco भाग संख्या
32D-IRF7338TRPBF
ईसीएडी मॉडल
भागों का विवरण
MOSFET N/P-CH 12V 6.3A 8-SOIC
पैकेज
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
विवरण तालिका
IRF7338TRPBF.pdf
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विशेष विवरण

IRF7338TRPBF तकनीकी विनिर्देश
Infineon Technologies - IRF7338TRPBF तकनीकी विनिर्देशों, विशेषताओं, मापदंडों और Infineon Technologies - IRF7338TRPBF के समान विनिर्देशों के साथ भागों

उत्पाद विशेषता मान बताइए  
उत्पादक Infineon Technologies  
वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र 1.5V @ 250µA  
प्रौद्योगिकी MOSFET (Metal Oxide)  
प्रदायक डिवाइस पैकेज 8-SO  
शृंखला HEXFET®  
आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस 34mOhm @ 6A, 4.5V  
पावर - मैक्स 2W  
पैकेज / प्रकरण 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)  
पैकेट Tape & Reel (TR)  
उत्पाद विशेषता मान बताइए  
परिचालन तापमान -55°C ~ 150°C (TJ)  
माउन्टिंग का प्रकार Surface Mount  
इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस 640pF @ 9V  
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस 8.6nC @ 4.5V  
FET फ़ीचर Logic Level Gate  
स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss) 12V  
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ ​​25 डिग्री सेल्सियस 6.3A, 3A  
विन्यास N and P-Channel  
आधार उत्पाद संख्या IRF733  

पर्यावरण और निर्यात वर्गीकरण

गुण विवरण
RoHs स्थिति
नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल) 1 (Unlimited)
तक पहुँचने की स्थिति REACH Unaffected
ECCN EAR99
HTSUS

समान विनिर्देशों के साथ भाग

दाईं ओर के तीन भागों में Infineon Technologies IRF7338TRPBF के समान विनिर्देश हैं।

उत्पाद विशेषता IRF7338TRPBF IRF7341GTRPBF IRF7335D1TR IRF7338PBF
भाग संख्या IRF7338TRPBF IRF7341GTRPBF IRF7335D1TR IRF7338PBF
उत्पादक Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र 1.5V @ 250µA 1V @ 250µA (Min) 1V @ 250µA 1.5V @ 250µA
पावर - मैक्स 2W 2.4W 2W 2W
आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस 34mOhm @ 6A, 4.5V 50mOhm @ 5.1A, 10V 17.5mOhm @ 10A, 4.5V 34mOhm @ 6A, 4.5V
प्रौद्योगिकी MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस 640pF @ 9V 780pF @ 25V 1500pF @ 15V 640pF @ 9V
आधार उत्पाद संख्या IRF733 IRF734 IRF733 IRF733
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस 8.6nC @ 4.5V 44nC @ 10V 20nC @ 4.5V 8.6nC @ 4.5V
स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss) 12V 55V 30V 12V
विन्यास N and P-Channel 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical N and P-Channel
पैकेट Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tube
FET फ़ीचर Logic Level Gate - Logic Level Gate Logic Level Gate
पैकेज / प्रकरण 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 14-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
शृंखला HEXFET® HEXFET® FETKY™ HEXFET®
परिचालन तापमान -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
प्रदायक डिवाइस पैकेज 8-SO 8-SO 14-SOIC 8-SO
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ ​​25 डिग्री सेल्सियस 6.3A, 3A 5.1A 10A 6.3A, 3A
माउन्टिंग का प्रकार Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount

IRF7338TRPBF डेटशीट पीडीएफ

IRF7338TRPBF - Infineon Technologies के लिए IRF7338TRPBF PDF DataSheets और Infineon Technologies प्रलेखन डाउनलोड करें।

अन्य संबंधित दस्तावेज
IR Part Numbering System.pdf
पीसीएन अप्रचलन/ ईओएल
Gen 8 Rev2 08/Jul/2011.pdf

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(अलग -अलग समय सीमा / देश / पैकेज आकार की कीमत अलग है।)

डिलिवरी विधि

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  2. अन्य लोग अधिक शिपिंग तरीके, कृपया अपने ग्राहक प्रबंधक के संपर्क में रहें।

सामान्य देश लॉजिस्टिक टाइम संदर्भ
क्षेत्र देश लॉजिस्टिक टाइम (दिन)
अमेरिका संयुक्त राज्य अमेरिका 5
ब्राज़िल 7
यूरोप जर्मनी 5
यूनाइटेड किंगडम 4
इटली 5
ओशिनिया ऑस्ट्रेलिया 6
न्यूज़ीलैंड 5
एशिया भारत 4
जापान 4
मध्य पूर्व इजराइल 6
डीएचएल और फेडेक्स शिपमेंट चार्ज संदर्भ
शिपमेंट शुल्क संदर्भ डीएचएल (यूएसडी $)
0.00 किग्रा -1.00 किग्रा USD $30.00 - USD $60.00
1.00 किग्रा -2.00 किग्रा USD $40.00 - USD $80.00
2.00 किग्रा -3.00 किग्रा USD $50.00 - USD $100.00
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