Name: Infineon Technologies IRF7422D2TRPBF
Brand: Infineon Technologies
SKU: IRF7422D2TRPBF
Availability: InStock
Rating: 5 (8 reviews)

विशेष विवरण

IRF7422D2TRPBF तकनीकी विनिर्देश
Infineon Technologies - IRF7422D2TRPBF तकनीकी विनिर्देशों, विशेषताओं, मापदंडों और Infineon Technologies - IRF7422D2TRPBF के समान विनिर्देशों के साथ भागों

उत्पाद विशेषता	मान बताइए
उत्पादक	Infineon Technologies
वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र	700mV @ 250µA (Min)
वीजीएस (मैक्स)	±12V
प्रौद्योगिकी	MOSFET (Metal Oxide)
प्रदायक डिवाइस पैकेज	8-SO
शृंखला	FETKY™
आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस	90mOhm @ 2.2A, 4.5V
शक्ति का अपव्यय (मैक्स)	2W (Ta)
पैकेज / प्रकरण	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
पैकेट	Tape & Reel (TR)

उत्पाद विशेषता	मान बताइए
परिचालन तापमान	-55°C ~ 150°C (TJ)
माउन्टिंग का प्रकार	Surface Mount
इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस	610 pF @ 15 V
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस	22 nC @ 4.5 V
FET प्रकार	P-Channel
FET फ़ीचर	Schottky Diode (Isolated)
ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन)	2.7V, 4.5V
स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss)	20 V
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस	4.3A (Ta)

पर्यावरण और निर्यात वर्गीकरण

गुण	विवरण
RoHs स्थिति
नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल)	1 (Unlimited)
तक पहुँचने की स्थिति	REACH Unaffected
ECCN	EAR99
HTSUS

शिपमेंट

डिलीवरी का समय

इन-स्टॉक आइटम को 24 घंटे के भीतर भेजा जा सकता है।कुछ हिस्सों को 1-2 दिनों के भीतर डिलीवरी के लिए व्यवस्थित किया जाएगा, जिस तारीख से सभी आइटम हमारे गोदाम में आते हैं।और Allelco जहाज दिन में एक बार रविवार को छोड़कर लगभग 17:00 बजे ऑर्डर करते हैं।एक बार माल भेजने के बाद, अनुमानित डिलीवरी का समय शिपिंग विधियों और वितरण गंतव्य पर निर्भर करता है।नीचे दी गई तालिका कुछ सामान्य देशों के लिए लॉजिस्टिक समय है।

वितरण लागत

यदि आपके पास एक है तो शिपमेंट के लिए अपने एक्सप्रेस खाते का उपयोग करें।
शिपमेंट के लिए हमारे खाते का उपयोग करें।अनुमानित शुल्क के लिए नीचे दी गई तालिका देखें।

(अलग -अलग समय सीमा / देश / पैकेज आकार की कीमत अलग है।)

डिलिवरी विधि

डीएचएल / यूपीएस / फेडएक्स / टीएनटी / ईएमएस / एसएफ द्वारा वैश्विक सामान्य शिपमेंट हम समर्थन करते हैं।
अन्य लोग अधिक शिपिंग तरीके, कृपया अपने ग्राहक प्रबंधक के संपर्क में रहें।

सामान्य देश लॉजिस्टिक टाइम संदर्भ
क्षेत्र	देश	लॉजिस्टिक टाइम (दिन)
अमेरिका	संयुक्त राज्य अमेरिका	5
अमेरिका	ब्राज़िल	7
यूरोप	जर्मनी	5
	यूनाइटेड किंगडम	4
	इटली	5
ओशिनिया	ऑस्ट्रेलिया	6
ओशिनिया	न्यूज़ीलैंड	5
एशिया	भारत	4
एशिया	जापान	4
मध्य पूर्व	इजराइल	6

डीएचएल और फेडेक्स शिपमेंट चार्ज संदर्भ
शिपमेंट शुल्क	संदर्भ डीएचएल (यूएसडी $)
0.00 किग्रा -1.00 किग्रा	USD $30.00 - USD $60.00
1.00 किग्रा -2.00 किग्रा	USD $40.00 - USD $80.00
2.00 किग्रा -3.00 किग्रा	USD $50.00 - USD $100.00

टिप्पणी:: उपरोक्त तालिका केवल संदर्भ के लिए है।बेकाबू कारकों के लिए कुछ डेटा पूर्वाग्रह हो सकते हैं।
अगर तुम्हारे पास कोई सवाल है तो हमसे संपर्क करें।

कृपया हमारे आधिकारिक संस्करण के रूप में अंग्रेजी संस्करण देखें।

IRF7422D2TRPBF - Infineon Technologies

विशेष विवरण

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IRF7422D2TRPBF

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उत्पाद विशेषता
भाग संख्या	IRF7422D2TRPBF	IRF7424TR	IRF7424PBF	IRF7422D2PBF
उत्पादक	Infineon Technologies	Infineon Technologies	Infineon Technologies	Infineon Technologies
स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss)	20 V	30 V	30 V	20 V
प्रौद्योगिकी	MOSFET (Metal Oxide)	MOSFET (Metal Oxide)	MOSFET (Metal Oxide)	MOSFET (Metal Oxide)
माउन्टिंग का प्रकार	Surface Mount	Surface Mount	Surface Mount	Surface Mount
आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस	90mOhm @ 2.2A, 4.5V	13.5mOhm @ 11A, 10V	13.5mOhm @ 11A, 10V	90mOhm @ 2.2A, 4.5V
पैकेज / प्रकरण	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
वीजीएस (मैक्स)	±12V	±20V	±20V	±12V
इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस	610 pF @ 15 V	4030 pF @ 25 V	4030 pF @ 25 V	610 pF @ 15 V
शृंखला	FETKY™	HEXFET®	HEXFET®	FETKY™
शक्ति का अपव्यय (मैक्स)	2W (Ta)	2.5W (Ta)	2.5W (Ta)	2W (Ta)
FET फ़ीचर	Schottky Diode (Isolated)	-	-	Schottky Diode (Isolated)
FET प्रकार	P-Channel	P-Channel	P-Channel	P-Channel
पैकेट	Tape & Reel (TR)	Tape & Reel (TR)	Tube	Tube
ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन)	2.7V, 4.5V	4.5V, 10V	4.5V, 10V	2.7V, 4.5V
वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र	700mV @ 250µA (Min)	2.5V @ 250µA	2.5V @ 250µA	700mV @ 250µA (Min)
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस	4.3A (Ta)	11A (Tc)	11A (Ta)	4.3A (Ta)
प्रदायक डिवाइस पैकेज	8-SO	8-SO	8-SO	8-SO
परिचालन तापमान	-55°C ~ 150°C (TJ)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-55°C ~ 150°C (TJ)
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस	22 nC @ 4.5 V	110 nC @ 10 V	110 nC @ 10 V	22 nC @ 4.5 V

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