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घरउत्पादअसतत सेमीकंडक्टर उत्पादट्रांजिस्टर - एफईटी, एमओएसएफईटी - सिंगलIRF7807VTR
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IRF7807VTR - Infineon Technologies

उत्पादक भाग संख्या
IRF7807VTR
उत्पादक
Infineon Technologies
Allelco भाग संख्या
32D-IRF7807VTR
ईसीएडी मॉडल
भागों का विवरण
MOSFET N-CH 30V 8.3A 8SO
पैकेज
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
विवरण तालिका
IRF7807VTR.pdf
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विशेष विवरण

IRF7807VTR तकनीकी विनिर्देश
Infineon Technologies - IRF7807VTR तकनीकी विनिर्देशों, विशेषताओं, मापदंडों और Infineon Technologies - IRF7807VTR के समान विनिर्देशों के साथ भागों

उत्पाद विशेषता मान बताइए  
उत्पादक Infineon Technologies  
वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र 3V @ 250µA  
वीजीएस (मैक्स) ±20V  
प्रौद्योगिकी MOSFET (Metal Oxide)  
प्रदायक डिवाइस पैकेज 8-SO  
शृंखला HEXFET®  
आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस 25mOhm @ 7A, 4.5V  
शक्ति का अपव्यय (मैक्स) 2.5W (Ta)  
पैकेज / प्रकरण 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)  
उत्पाद विशेषता मान बताइए  
पैकेट Tape & Reel (TR)  
परिचालन तापमान -55°C ~ 150°C (TJ)  
माउन्टिंग का प्रकार Surface Mount  
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस 14 nC @ 5 V  
FET प्रकार N-Channel  
FET फ़ीचर -  
ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन) 4.5V  
स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss) 30 V  
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ ​​25 डिग्री सेल्सियस 8.3A (Ta)  

पर्यावरण और निर्यात वर्गीकरण

गुण विवरण
RoHs स्थिति RoHS गैर-आज्ञाकारी
नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल) 1 (Unlimited)
तक पहुँचने की स्थिति REACH Unaffected
ECCN EAR99
HTSUS

समान विनिर्देशों के साथ भाग

दाईं ओर के तीन भागों में Infineon Technologies IRF7807VTR के समान विनिर्देश हैं।

उत्पाद विशेषता IRF7807VTR IRF7807ZTRPBF IRF7807VD1TR IRF7807VD1PBF
भाग संख्या IRF7807VTR IRF7807ZTRPBF IRF7807VD1TR IRF7807VD1PBF
उत्पादक Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
FET फ़ीचर - - Schottky Diode (Isolated) Schottky Diode (Isolated)
माउन्टिंग का प्रकार Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन) 4.5V 4.5V, 10V 4.5V 4.5V
शक्ति का अपव्यय (मैक्स) 2.5W (Ta) 2.5W (Ta) 2.5W (Ta) 2.5W (Ta)
पैकेट Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tube
आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस 25mOhm @ 7A, 4.5V 13.8mOhm @ 11A, 10V 25mOhm @ 7A, 4.5V 25mOhm @ 7A, 4.5V
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस 14 nC @ 5 V 11 nC @ 4.5 V 14 nC @ 4.5 V 14 nC @ 4.5 V
परिचालन तापमान -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
शृंखला HEXFET® HEXFET® FETKY™ FETKY™
पैकेज / प्रकरण 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
प्रौद्योगिकी MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
प्रदायक डिवाइस पैकेज 8-SO 8-SO 8-SO 8-SO
FET प्रकार N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
वीजीएस (मैक्स) ±20V ±20V ±20V ±20V
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ ​​25 डिग्री सेल्सियस 8.3A (Ta) 11A (Ta) 8.3A (Ta) 8.3A (Ta)
स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss) 30 V 30 V 30 V 30 V
वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र 3V @ 250µA 2.25V @ 250µA 3V @ 250µA 3V @ 250µA

IRF7807VTR डेटशीट पीडीएफ

IRF7807VTR - Infineon Technologies के लिए IRF7807VTR PDF DataSheets और Infineon Technologies प्रलेखन डाउनलोड करें।

अन्य संबंधित दस्तावेज
IR Part Numbering System.pdf
पीसीएन अप्रचलन/ ईओएल
EOL122B 02/Oct/2007.pdf

शिपमेंट

डिलीवरी का समय

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(अलग -अलग समय सीमा / देश / पैकेज आकार की कीमत अलग है।)

डिलिवरी विधि

  1. डीएचएल / यूपीएस / फेडएक्स / टीएनटी / ईएमएस / एसएफ द्वारा वैश्विक सामान्य शिपमेंट हम समर्थन करते हैं।
  2. अन्य लोग अधिक शिपिंग तरीके, कृपया अपने ग्राहक प्रबंधक के संपर्क में रहें।

सामान्य देश लॉजिस्टिक टाइम संदर्भ
क्षेत्र देश लॉजिस्टिक टाइम (दिन)
अमेरिका संयुक्त राज्य अमेरिका 5
ब्राज़िल 7
यूरोप जर्मनी 5
यूनाइटेड किंगडम 4
इटली 5
ओशिनिया ऑस्ट्रेलिया 6
न्यूज़ीलैंड 5
एशिया भारत 4
जापान 4
मध्य पूर्व इजराइल 6
डीएचएल और फेडेक्स शिपमेंट चार्ज संदर्भ
शिपमेंट शुल्क संदर्भ डीएचएल (यूएसडी $)
0.00 किग्रा -1.00 किग्रा USD $30.00 - USD $60.00
1.00 किग्रा -2.00 किग्रा USD $40.00 - USD $80.00
2.00 किग्रा -3.00 किग्रा USD $50.00 - USD $100.00
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IRF7807VTR

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