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घरउत्पादअसतत सेमीकंडक्टर उत्पादट्रांजिस्टर - एफईटी, एमओएसएफईटी - सिंगलIRF9530NSTRLPBF
IRF9530NSTRLPBF Image
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IRF9530NSTRLPBF - Infineon Technologies

उत्पादक भाग संख्या
IRF9530NSTRLPBF
उत्पादक
Infineon Technologies
Allelco भाग संख्या
32D-IRF9530NSTRLPBF
ईसीएडी मॉडल
भागों का विवरण
MOSFET P-CH 100V 14A D2PAK
विस्तृत विवरण
पैकेज
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
विवरण तालिका
IRF9530NSTRLPBF.pdf
RoHs स्थिति
स्टॉक में: 36240

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मात्रा

विशेष विवरण

IRF9530NSTRLPBF तकनीकी विनिर्देश
Infineon Technologies - IRF9530NSTRLPBF तकनीकी विनिर्देशों, विशेषताओं, मापदंडों और Infineon Technologies - IRF9530NSTRLPBF के समान विनिर्देशों के साथ भागों

उत्पाद विशेषता मान बताइए  
उत्पादक Infineon Technologies  
वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र 4V @ 250µA  
वीजीएस (मैक्स) ±20V  
प्रौद्योगिकी MOSFET (Metal Oxide)  
प्रदायक डिवाइस पैकेज D2PAK  
शृंखला HEXFET®  
आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस 200mOhm @ 8.4A, 10V  
शक्ति का अपव्यय (मैक्स) 3.8W (Ta), 79W (Tc)  
पैकेज / प्रकरण TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB  
पैकेट Tape & Reel (TR)  
उत्पाद विशेषता मान बताइए  
परिचालन तापमान -55°C ~ 175°C (TJ)  
माउन्टिंग का प्रकार Surface Mount  
इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस 760 pF @ 25 V  
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस 58 nC @ 10 V  
FET प्रकार P-Channel  
FET फ़ीचर -  
ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन) 10V  
स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss) 100 V  
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ ​​25 डिग्री सेल्सियस 14A (Tc)  
आधार उत्पाद संख्या IRF9530  

समान विनिर्देशों के साथ भाग

दाईं ओर के तीन भागों में Infineon Technologies IRF9530NSTRLPBF के समान विनिर्देश हैं।

उत्पाद विशेषता IRF9530NSTRLPBF IRF9530STRRPBF IRF9530STRLPBF IRF9530NS
भाग संख्या IRF9530NSTRLPBF IRF9530STRRPBF IRF9530STRLPBF IRF9530NS
उत्पादक Infineon Technologies Vishay Siliconix Vishay Siliconix Infineon Technologies
आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस 200mOhm @ 8.4A, 10V 300mOhm @ 7.2A, 10V 300mOhm @ 7.2A, 10V 200mOhm @ 8.4A, 10V
वीजीएस (मैक्स) ±20V ±20V ±20V ±20V
वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ ​​25 डिग्री सेल्सियस 14A (Tc) 12A (Tc) 12A (Tc) 14A (Tc)
FET प्रकार P-Channel P-Channel P-Channel P-Channel
आधार उत्पाद संख्या IRF9530 IRF9530 IRF9530 -
FET फ़ीचर - - - -
पैकेज / प्रकरण TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस 58 nC @ 10 V 38 nC @ 10 V 38 nC @ 10 V 58 nC @ 10 V
ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन) 10V 10V 10V 10V
प्रौद्योगिकी MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss) 100 V 100 V 100 V 100 V
परिचालन तापमान -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
शृंखला HEXFET® - - HEXFET®
शक्ति का अपव्यय (मैक्स) 3.8W (Ta), 79W (Tc) 3.7W (Ta), 88W (Tc) 3.7W (Ta), 88W (Tc) 3.8W (Ta), 79W (Tc)
माउन्टिंग का प्रकार Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
प्रदायक डिवाइस पैकेज D2PAK D²PAK (TO-263) D²PAK (TO-263) D2PAK
इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस 760 pF @ 25 V 860 pF @ 25 V 860 pF @ 25 V 760 pF @ 25 V
पैकेट Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tube

IRF9530NSTRLPBF डेटशीट पीडीएफ

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Mult Dev Label Chgs Aug/2020.pdf Material Chg 24/Nov/2015.pdf
PCN असेंबली/ओरिजिन
Mult Dev Wafer Chgs 31/Mar/2021.pdf

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सामान्य देश लॉजिस्टिक टाइम संदर्भ
क्षेत्र देश लॉजिस्टिक टाइम (दिन)
अमेरिका संयुक्त राज्य अमेरिका 5
ब्राज़िल 7
यूरोप जर्मनी 5
यूनाइटेड किंगडम 4
इटली 5
ओशिनिया ऑस्ट्रेलिया 6
न्यूज़ीलैंड 5
एशिया भारत 4
जापान 4
मध्य पूर्व इजराइल 6
डीएचएल और फेडेक्स शिपमेंट चार्ज संदर्भ
शिपमेंट शुल्क संदर्भ डीएचएल (यूएसडी $)
0.00 किग्रा -1.00 किग्रा USD $30.00 - USD $60.00
1.00 किग्रा -2.00 किग्रा USD $40.00 - USD $80.00
2.00 किग्रा -3.00 किग्रा USD $50.00 - USD $100.00
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