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घरउत्पादअसतत सेमीकंडक्टर उत्पादट्रांजिस्टर - एफईटी, एमओएसएफएटी - एरेज़IRF9910TRPBF
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IRF9910TRPBF - Infineon Technologies

उत्पादक भाग संख्या
IRF9910TRPBF
उत्पादक
Infineon Technologies
Allelco भाग संख्या
32D-IRF9910TRPBF
ईसीएडी मॉडल
भागों का विवरण
MOSFET 2N-CH 20V 10A/12A 8-SOIC
पैकेज
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
विवरण तालिका
IRF9910TRPBF.pdf
RoHs स्थिति
हमारा प्रमाणन
स्टॉक में: 5090

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मात्रा
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विशेष विवरण

IRF9910TRPBF तकनीकी विनिर्देश
Infineon Technologies - IRF9910TRPBF तकनीकी विनिर्देशों, विशेषताओं, मापदंडों और Infineon Technologies - IRF9910TRPBF के समान विनिर्देशों के साथ भागों

उत्पाद विशेषता मान बताइए  
उत्पादक Infineon Technologies  
वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र 2.55V @ 250µA  
प्रौद्योगिकी MOSFET (Metal Oxide)  
प्रदायक डिवाइस पैकेज 8-SO  
शृंखला HEXFET®  
आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस 9.3mOhm @ 12A, 10V  
पावर - मैक्स 2W  
पैकेज / प्रकरण 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)  
पैकेट Tape & Reel (TR)  
उत्पाद विशेषता मान बताइए  
परिचालन तापमान -55°C ~ 150°C (TJ)  
माउन्टिंग का प्रकार Surface Mount  
इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस 900pF @ 10V  
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस 11nC @ 4.5V  
FET फ़ीचर Logic Level Gate  
स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss) 20V  
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ ​​25 डिग्री सेल्सियस 10A, 12A  
विन्यास 2 N-Channel (Dual)  
आधार उत्पाद संख्या IRF99  

पर्यावरण और निर्यात वर्गीकरण

गुण विवरण
RoHs स्थिति
नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल) 1 (Unlimited)
तक पहुँचने की स्थिति REACH Unaffected
ECCN EAR99
HTSUS

समान विनिर्देशों के साथ भाग

दाईं ओर के तीन भागों में Infineon Technologies IRF9910TRPBF के समान विनिर्देश हैं।

उत्पाद विशेषता IRF9910TRPBF IRF9952 IRF9910 IRF9952TR
भाग संख्या IRF9910TRPBF IRF9952 IRF9910 IRF9952TR
उत्पादक Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस 11nC @ 4.5V 14nC @ 10V 11nC @ 4.5V 14nC @ 10V
शृंखला HEXFET® HEXFET® HEXFET® HEXFET®
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ ​​25 डिग्री सेल्सियस 10A, 12A 3.5A, 2.3A 10A, 12A 3.5A, 2.3A
माउन्टिंग का प्रकार Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
आधार उत्पाद संख्या IRF99 IRF995 IRF99 IRF995
वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र 2.55V @ 250µA 1V @ 250µA 2.55V @ 250µA 1V @ 250µA
पैकेज / प्रकरण 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
विन्यास 2 N-Channel (Dual) N and P-Channel 2 N-Channel (Dual) N and P-Channel
पावर - मैक्स 2W 2W 2W 2W
पैकेट Tape & Reel (TR) Tube Tube Tape & Reel (TR)
प्रौद्योगिकी MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss) 20V 30V 20V 30V
परिचालन तापमान -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
FET फ़ीचर Logic Level Gate Logic Level Gate Logic Level Gate Logic Level Gate
इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस 900pF @ 10V 190pF @ 15V 900pF @ 10V 190pF @ 15V
आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस 9.3mOhm @ 12A, 10V 100mOhm @ 2.2A, 10V 13.4mOhm @ 10A, 10V 100mOhm @ 2.2A, 10V
प्रदायक डिवाइस पैकेज 8-SO 8-SO 8-SO 8-SO

IRF9910TRPBF डेटशीट पीडीएफ

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  1. यदि आपके पास एक है तो शिपमेंट के लिए अपने एक्सप्रेस खाते का उपयोग करें।
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(अलग -अलग समय सीमा / देश / पैकेज आकार की कीमत अलग है।)

डिलिवरी विधि

  1. डीएचएल / यूपीएस / फेडएक्स / टीएनटी / ईएमएस / एसएफ द्वारा वैश्विक सामान्य शिपमेंट हम समर्थन करते हैं।
  2. अन्य लोग अधिक शिपिंग तरीके, कृपया अपने ग्राहक प्रबंधक के संपर्क में रहें।

सामान्य देश लॉजिस्टिक टाइम संदर्भ
क्षेत्र देश लॉजिस्टिक टाइम (दिन)
अमेरिका संयुक्त राज्य अमेरिका 5
ब्राज़िल 7
यूरोप जर्मनी 5
यूनाइटेड किंगडम 4
इटली 5
ओशिनिया ऑस्ट्रेलिया 6
न्यूज़ीलैंड 5
एशिया भारत 4
जापान 4
मध्य पूर्व इजराइल 6
डीएचएल और फेडेक्स शिपमेंट चार्ज संदर्भ
शिपमेंट शुल्क संदर्भ डीएचएल (यूएसडी $)
0.00 किग्रा -1.00 किग्रा USD $30.00 - USD $60.00
1.00 किग्रा -2.00 किग्रा USD $40.00 - USD $80.00
2.00 किग्रा -3.00 किग्रा USD $50.00 - USD $100.00
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