Name: Infineon Technologies IRFB41N15DPBF
Brand: Infineon Technologies
SKU: IRFB41N15DPBF

शिपमेंट

डिलीवरी का समय

इन-स्टॉक आइटम को 24 घंटे के भीतर भेजा जा सकता है।कुछ हिस्सों को 1-2 दिनों के भीतर डिलीवरी के लिए व्यवस्थित किया जाएगा, जिस तारीख से सभी आइटम हमारे गोदाम में आते हैं।और Allelco जहाज दिन में एक बार रविवार को छोड़कर लगभग 17:00 बजे ऑर्डर करते हैं।एक बार माल भेजने के बाद, अनुमानित डिलीवरी का समय शिपिंग विधियों और वितरण गंतव्य पर निर्भर करता है।नीचे दी गई तालिका कुछ सामान्य देशों के लिए लॉजिस्टिक समय है।

वितरण लागत

यदि आपके पास एक है तो शिपमेंट के लिए अपने एक्सप्रेस खाते का उपयोग करें।
शिपमेंट के लिए हमारे खाते का उपयोग करें।अनुमानित शुल्क के लिए नीचे दी गई तालिका देखें।

(अलग -अलग समय सीमा / देश / पैकेज आकार की कीमत अलग है।)

डिलिवरी विधि

डीएचएल / यूपीएस / फेडएक्स / टीएनटी / ईएमएस / एसएफ द्वारा वैश्विक सामान्य शिपमेंट हम समर्थन करते हैं।
अन्य लोग अधिक शिपिंग तरीके, कृपया अपने ग्राहक प्रबंधक के संपर्क में रहें।

सामान्य देश लॉजिस्टिक टाइम संदर्भ
क्षेत्र	देश	लॉजिस्टिक टाइम (दिन)
अमेरिका	संयुक्त राज्य अमेरिका	5
अमेरिका	ब्राज़िल	7
यूरोप	जर्मनी	5
	यूनाइटेड किंगडम	4
	इटली	5
ओशिनिया	ऑस्ट्रेलिया	6
ओशिनिया	न्यूज़ीलैंड	5
एशिया	भारत	4
एशिया	जापान	4
मध्य पूर्व	इजराइल	6

डीएचएल और फेडेक्स शिपमेंट चार्ज संदर्भ
शिपमेंट शुल्क	संदर्भ डीएचएल (यूएसडी $)
0.00 किग्रा -1.00 किग्रा	USD $30.00 - USD $60.00
1.00 किग्रा -2.00 किग्रा	USD $40.00 - USD $80.00
2.00 किग्रा -3.00 किग्रा	USD $50.00 - USD $100.00

टिप्पणी:: उपरोक्त तालिका केवल संदर्भ के लिए है।बेकाबू कारकों के लिए कुछ डेटा पूर्वाग्रह हो सकते हैं।
अगर तुम्हारे पास कोई सवाल है तो हमसे संपर्क करें।

उत्पाद विशेषता	मान बताइए
उत्पादक	Infineon Technologies
वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र	5.5V @ 250µA
वीजीएस (मैक्स)	±30V
प्रौद्योगिकी	MOSFET (Metal Oxide)
प्रदायक डिवाइस पैकेज	TO-220AB
शृंखला	HEXFET®
आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस	45mOhm @ 25A, 10V
शक्ति का अपव्यय (मैक्स)	200W (Tc)
पैकेज / प्रकरण	TO-220-3
पैकेट	Tube

उत्पाद विशेषता	मान बताइए
परिचालन तापमान	-55°C ~ 175°C (TJ)
माउन्टिंग का प्रकार	Through Hole
इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस	2520 pF @ 25 V
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस	110 nC @ 10 V
FET प्रकार	N-Channel
FET फ़ीचर	-
ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन)	10V
स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss)	150 V
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस	41A (Tc)

उत्पाद विशेषता
भाग संख्या	IRFB41N15DPBF	IRFB4110GPBF	IRFB4137PBF	IRFB4110PBF
उत्पादक	Infineon Technologies	Infineon Technologies	Infineon Technologies	Infineon Technologies
स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss)	150 V	100 V	300 V	100 V
पैकेट	Tube	Tube	Tube	Tube
प्रदायक डिवाइस पैकेज	TO-220AB	TO-220AB	TO-220	TO-220AB
शक्ति का अपव्यय (मैक्स)	200W (Tc)	370W (Tc)	341W (Tc)	370W (Tc)
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस	110 nC @ 10 V	210 nC @ 10 V	125 nC @ 10 V	210 nC @ 10 V
प्रौद्योगिकी	MOSFET (Metal Oxide)	MOSFET (Metal Oxide)	MOSFET (Metal Oxide)	MOSFET (Metal Oxide)
वीजीएस (मैक्स)	±30V	±20V	±20V	±20V
FET प्रकार	N-Channel	N-Channel	N-Channel	N-Channel
वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र	5.5V @ 250µA	4V @ 250µA	5V @ 250µA	4V @ 250µA
आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस	45mOhm @ 25A, 10V	4.5mOhm @ 75A, 10V	69mOhm @ 24A, 10V	4.5mOhm @ 75A, 10V
शृंखला	HEXFET®	HEXFET®	HEXFET®	HEXFET®
माउन्टिंग का प्रकार	Through Hole	Through Hole	Through Hole	Through Hole
परिचालन तापमान	-55°C ~ 175°C (TJ)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-55°C ~ 175°C (TJ)
FET फ़ीचर	-	-	-	-
ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन)	10V	10V	10V	10V
पैकेज / प्रकरण	TO-220-3	TO-220-3	TO-220-3	TO-220-3
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस	41A (Tc)	120A (Tc)	38A (Tc)	120A (Tc)
इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस	2520 pF @ 25 V	9620 pF @ 50 V	5168 pF @ 50 V	9620 pF @ 50 V

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IRFB41N15DPBF - Infineon Technologies

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