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घरउत्पादअसतत सेमीकंडक्टर उत्पादट्रांजिस्टर - एफईटी, एमओएसएफईटी - सिंगलIRFB7740PBF
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IRFB7740PBF - Infineon Technologies

उत्पादक भाग संख्या
IRFB7740PBF
उत्पादक
Infineon Technologies
Allelco भाग संख्या
32D-IRFB7740PBF
ईसीएडी मॉडल
भागों का विवरण
MOSFET N-CH 75V 87A TO220AB
विस्तृत विवरण
पैकेज
TO-220-3
विवरण तालिका
IRFB7740PBF.pdf
RoHs स्थिति
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विशेष विवरण

IRFB7740PBF तकनीकी विनिर्देश
Infineon Technologies - IRFB7740PBF तकनीकी विनिर्देशों, विशेषताओं, मापदंडों और Infineon Technologies - IRFB7740PBF के समान विनिर्देशों के साथ भागों

उत्पाद विशेषता मान बताइए  
उत्पादक Infineon Technologies  
वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र 3.7V @ 100µA  
वीजीएस (मैक्स) ±20V  
प्रौद्योगिकी MOSFET (Metal Oxide)  
प्रदायक डिवाइस पैकेज TO-220AB  
शृंखला StrongIRFET™  
आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस 7.3mOhm @ 52A, 10V  
शक्ति का अपव्यय (मैक्स) 143W (Tc)  
पैकेज / प्रकरण TO-220-3  
पैकेट Tube  
उत्पाद विशेषता मान बताइए  
परिचालन तापमान -55°C ~ 175°C (TJ)  
माउन्टिंग का प्रकार Through Hole  
इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस 4650 pF @ 25 V  
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस 122 nC @ 10 V  
FET प्रकार N-Channel  
FET फ़ीचर -  
ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन) 6V, 10V  
स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss) 75 V  
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ ​​25 डिग्री सेल्सियस 87A (Tc)  
आधार उत्पाद संख्या IRFB7740  

समान विनिर्देशों के साथ भाग

दाईं ओर के तीन भागों में Infineon Technologies IRFB7740PBF के समान विनिर्देश हैं।

उत्पाद विशेषता IRFB7740PBF IRFB7545PBF IRFB7730PBF IRFB812PBF
भाग संख्या IRFB7740PBF IRFB7545PBF IRFB7730PBF IRFB812PBF
उत्पादक Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
परिचालन तापमान -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस 7.3mOhm @ 52A, 10V 5.9mOhm @ 57A, 10V 2.6mOhm @ 100A, 10V 2.2Ohm @ 2.2A, 10V
शृंखला StrongIRFET™ HEXFET®, StrongIRFET™ HEXFET® HEXFET®
वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र 3.7V @ 100µA 3.7V @ 100µA 3.7V @ 250µA 5V @ 250µA
प्रदायक डिवाइस पैकेज TO-220AB TO-220 TO-220AB TO-220AB
पैकेज / प्रकरण TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
प्रौद्योगिकी MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ ​​25 डिग्री सेल्सियस 87A (Tc) 95A (Tc) 195A (Tc) 3.6A (Tc)
FET फ़ीचर - - - -
ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन) 6V, 10V 6V, 10V 6V, 10V 10V
शक्ति का अपव्यय (मैक्स) 143W (Tc) 125W (Tc) 375W (Tc) 78W (Tc)
आधार उत्पाद संख्या IRFB7740 IRFB7545 IRFB7730 IRFB812
माउन्टिंग का प्रकार Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
पैकेट Tube Tube Tube Tube
स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss) 75 V 60 V 75 V 500 V
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस 122 nC @ 10 V 110 nC @ 10 V 407 nC @ 10 V 20 nC @ 10 V
वीजीएस (मैक्स) ±20V ±20V ±20V ±20V
FET प्रकार N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस 4650 pF @ 25 V 4010 pF @ 25 V 13660 pF @ 25 V 810 pF @ 25 V

IRFB7740PBF डेटशीट पीडीएफ

IRFB7740PBF - Infineon Technologies के लिए IRFB7740PBF PDF DataSheets और Infineon Technologies प्रलेखन डाउनलोड करें।

अन्य संबंधित दस्तावेज
IR Part Numbering System.pdf
पीसीएन पैकेजिंग
Package Drawing Update 19/Aug/2015.pdf Tube Label Chgs 20/May/2020.pdf
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Mult Dev No Format/Barcode Label 15/Jan/2019.pdf Mult Dev Label Chgs Aug/2020.pdf

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क्षेत्र देश लॉजिस्टिक टाइम (दिन)
अमेरिका संयुक्त राज्य अमेरिका 5
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यूरोप जर्मनी 5
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इटली 5
ओशिनिया ऑस्ट्रेलिया 6
न्यूज़ीलैंड 5
एशिया भारत 4
जापान 4
मध्य पूर्व इजराइल 6
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0.00 किग्रा -1.00 किग्रा USD $30.00 - USD $60.00
1.00 किग्रा -2.00 किग्रा USD $40.00 - USD $80.00
2.00 किग्रा -3.00 किग्रा USD $50.00 - USD $100.00
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