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घरउत्पादअसतत सेमीकंडक्टर उत्पादट्रांजिस्टर - एफईटी, एमओएसएफईटी - सिंगलIRFF9213
International Rectifier
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IRFF9213 - International Rectifier

उत्पादक भाग संख्या
IRFF9213
उत्पादक
Infineon Technologies
Allelco भाग संख्या
32D-IRFF9213
ईसीएडी मॉडल
भागों का विवरण
MOSFET N-CH 150V 1.3A TO205AF
विस्तृत विवरण
पैकेज
TO-205AF Metal Can
विवरण तालिका
IRFF9213.pdf
तुलना
स्टॉक में: 4340

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मात्रा

विशेष विवरण

IRFF9213 तकनीकी विनिर्देश
International Rectifier - IRFF9213 तकनीकी विनिर्देशों, विशेषताओं, मापदंडों और International Rectifier - IRFF9213 के समान विनिर्देशों के साथ भागों

उत्पाद विशेषता मान बताइए  
उत्पादक Infineon Technologies  
वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र -  
वीजीएस (मैक्स) -  
प्रौद्योगिकी MOSFET (Metal Oxide)  
प्रदायक डिवाइस पैकेज TO-205AF (TO-39)  
शृंखला HEXFET®  
आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस -  
शक्ति का अपव्यय (मैक्स) 15W  
उत्पाद विशेषता मान बताइए  
पैकेज / प्रकरण TO-205AF Metal Can  
पैकेट Bulk  
परिचालन तापमान -  
माउन्टिंग का प्रकार Through Hole  
FET प्रकार N-Channel  
FET फ़ीचर -  
स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss) 150 V  
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ ​​25 डिग्री सेल्सियस 1.3A (Tc)  

समान विनिर्देशों के साथ भाग

दाईं ओर के तीन भागों में International Rectifier IRFF9213 के समान विनिर्देश हैं।

उत्पाद विशेषता IRFF9213 IRFF433 IRFF9130 IRFF9131
भाग संख्या IRFF9213 IRFF433 IRFF9130 IRFF9131
उत्पादक International Rectifier Harris Corporation Harris Corporation Harris Corporation
आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस - 2Ohm @ 1.5A, 10V 300mOhm @ 3A, 10V 300mOhm @ 3A, 10V
वीजीएस (मैक्स) - ±20V ±20V ±20V
माउन्टिंग का प्रकार Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss) 150 V 450 V 100 V 80 V
पैकेज / प्रकरण TO-205AF Metal Can TO-205AF Metal Can TO-205AF Metal Can TO-205AF Metal Can
पैकेट Bulk Bulk Bulk Bulk
वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र - 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA
प्रदायक डिवाइस पैकेज TO-205AF (TO-39) TO-205AF (TO-39) TO-205AF (TO-39) TO-205AF (TO-39)
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ ​​25 डिग्री सेल्सियस 1.3A (Tc) 2.25A (Tc) 6.5A (Tc) 6.5A (Tc)
FET प्रकार N-Channel N-Channel N-Channel P-Channel
शक्ति का अपव्यय (मैक्स) 15W 25W (Tc) 25W (Tc) 25W (Tc)
FET फ़ीचर - - - -
शृंखला HEXFET® - - -
परिचालन तापमान - -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
प्रौद्योगिकी MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)

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डिलिवरी विधि

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  2. अन्य लोग अधिक शिपिंग तरीके, कृपया अपने ग्राहक प्रबंधक के संपर्क में रहें।

सामान्य देश लॉजिस्टिक टाइम संदर्भ
क्षेत्र देश लॉजिस्टिक टाइम (दिन)
अमेरिका संयुक्त राज्य अमेरिका 5
ब्राज़िल 7
यूरोप जर्मनी 5
यूनाइटेड किंगडम 4
इटली 5
ओशिनिया ऑस्ट्रेलिया 6
न्यूज़ीलैंड 5
एशिया भारत 4
जापान 4
मध्य पूर्व इजराइल 6
डीएचएल और फेडेक्स शिपमेंट चार्ज संदर्भ
शिपमेंट शुल्क संदर्भ डीएचएल (यूएसडी $)
0.00 किग्रा -1.00 किग्रा USD $30.00 - USD $60.00
1.00 किग्रा -2.00 किग्रा USD $40.00 - USD $80.00
2.00 किग्रा -3.00 किग्रा USD $50.00 - USD $100.00
टिप्पणी:
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