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घरउत्पादअसतत सेमीकंडक्टर उत्पादट्रांजिस्टर - एफईटी, एमओएसएफईटी - सिंगलIRFR120NTRLPBF
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IRFR120NTRLPBF - Infineon Technologies

उत्पादक भाग संख्या
IRFR120NTRLPBF
उत्पादक
Infineon Technologies
Allelco भाग संख्या
32D-IRFR120NTRLPBF
ईसीएडी मॉडल
भागों का विवरण
MOSFET N-CH 100V 9.4A DPAK
विस्तृत विवरण
पैकेज
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
विवरण तालिका
IRFR120NTRLPBF.pdf
RoHs स्थिति
तुलना
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मात्रा

विशेष विवरण

IRFR120NTRLPBF तकनीकी विनिर्देश
Infineon Technologies - IRFR120NTRLPBF तकनीकी विनिर्देशों, विशेषताओं, मापदंडों और Infineon Technologies - IRFR120NTRLPBF के समान विनिर्देशों के साथ भागों

उत्पाद विशेषता मान बताइए  
उत्पादक Infineon Technologies  
वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र 4V @ 250µA  
वीजीएस (मैक्स) ±20V  
प्रौद्योगिकी MOSFET (Metal Oxide)  
प्रदायक डिवाइस पैकेज PG-TO252-3  
शृंखला HEXFET®  
आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस 210mOhm @ 5.6A, 10V  
शक्ति का अपव्यय (मैक्स) 48W (Tc)  
पैकेज / प्रकरण TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63  
पैकेट Tape & Reel (TR)  
उत्पाद विशेषता मान बताइए  
परिचालन तापमान -55°C ~ 175°C (TJ)  
माउन्टिंग का प्रकार Surface Mount  
इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस 330 pF @ 25 V  
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस 25 nC @ 10 V  
FET प्रकार N-Channel  
FET फ़ीचर -  
ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन) 10V  
स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss) 100 V  
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ ​​25 डिग्री सेल्सियस 9.4A (Tc)  
आधार उत्पाद संख्या IRFR120  

समान विनिर्देशों के साथ भाग

दाईं ओर के तीन भागों में Infineon Technologies IRFR120NTRLPBF के समान विनिर्देश हैं।

उत्पाद विशेषता IRFR120NTRLPBF IRFR120TRL IRFR120TRLPBF IRFR120PBF
भाग संख्या IRFR120NTRLPBF IRFR120TRL IRFR120TRLPBF IRFR120PBF
उत्पादक Infineon Technologies Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix
शक्ति का अपव्यय (मैक्स) 48W (Tc) 2.5W (Ta), 42W (Tc) 2.5W (Ta), 42W (Tc) 2.5W (Ta), 42W (Tc)
आधार उत्पाद संख्या IRFR120 IRFR120 IRFR120 IRFR120
स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss) 100 V 100 V 100 V 100 V
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस 25 nC @ 10 V 16 nC @ 10 V 16 nC @ 10 V 16 nC @ 10 V
वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA
प्रदायक डिवाइस पैकेज PG-TO252-3 D-Pak D-Pak D-Pak
प्रौद्योगिकी MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस 210mOhm @ 5.6A, 10V 270mOhm @ 4.6A, 10V 270mOhm @ 4.6A, 10V 270mOhm @ 4.6A, 10V
वीजीएस (मैक्स) ±20V ±20V ±20V ±20V
शृंखला HEXFET® - - -
इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस 330 pF @ 25 V 360 pF @ 25 V 360 pF @ 25 V 360 pF @ 25 V
परिचालन तापमान -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
पैकेज / प्रकरण TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
माउन्टिंग का प्रकार Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
FET फ़ीचर - - - -
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ ​​25 डिग्री सेल्सियस 9.4A (Tc) 7.7A (Tc) 7.7A (Tc) 7.7A (Tc)
FET प्रकार N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन) 10V 10V 10V 10V
पैकेट Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tube

IRFR120NTRLPBF डेटशीट पीडीएफ

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1.00 किग्रा -2.00 किग्रा USD $40.00 - USD $80.00
2.00 किग्रा -3.00 किग्रा USD $50.00 - USD $100.00
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