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घरउत्पादअसतत सेमीकंडक्टर उत्पादट्रांजिस्टर - एफईटी, एमओएसएफईटी - सिंगलIRFR220NTR
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IRFR220NTR - Infineon Technologies

उत्पादक भाग संख्या
IRFR220NTR
उत्पादक
Infineon Technologies
Allelco भाग संख्या
32D-IRFR220NTR
ईसीएडी मॉडल
भागों का विवरण
MOSFET N-CH 200V 5A DPAK
विस्तृत विवरण
पैकेज
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
विवरण तालिका
IRFR220N, IRFU220N.pdf
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मात्रा

विशेष विवरण

IRFR220NTR तकनीकी विनिर्देश
Infineon Technologies - IRFR220NTR तकनीकी विनिर्देशों, विशेषताओं, मापदंडों और Infineon Technologies - IRFR220NTR के समान विनिर्देशों के साथ भागों

उत्पाद विशेषता मान बताइए  
उत्पादक Infineon Technologies  
वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र 4V @ 250µA  
वीजीएस (मैक्स) ±20V  
प्रौद्योगिकी MOSFET (Metal Oxide)  
प्रदायक डिवाइस पैकेज D-Pak  
शृंखला HEXFET®  
आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस 600mOhm @ 2.9A, 10V  
शक्ति का अपव्यय (मैक्स) 43W (Tc)  
पैकेज / प्रकरण TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63  
पैकेट Tape & Reel (TR)  
उत्पाद विशेषता मान बताइए  
परिचालन तापमान -55°C ~ 175°C (TJ)  
माउन्टिंग का प्रकार Surface Mount  
इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस 300 pF @ 25 V  
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस 23 nC @ 10 V  
FET प्रकार N-Channel  
FET फ़ीचर -  
ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन) 10V  
स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss) 200 V  
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ ​​25 डिग्री सेल्सियस 5A (Tc)  
आधार उत्पाद संख्या IRFR220  

समान विनिर्देशों के साथ भाग

दाईं ओर के तीन भागों में Infineon Technologies IRFR220NTR के समान विनिर्देश हैं।

उत्पाद विशेषता IRFR220NTR IRFR220BTM IRFR220NTRPBF IRFR220NTRLPBF
भाग संख्या IRFR220NTR IRFR220BTM IRFR220NTRPBF IRFR220NTRLPBF
उत्पादक Infineon Technologies Fairchild Semiconductor Infineon Technologies Infineon Technologies
शृंखला HEXFET® - HEXFET® HEXFET®
आधार उत्पाद संख्या IRFR220 - IRFR220 IRFR220
वीजीएस (मैक्स) ±20V ±30V ±20V ±20V
शक्ति का अपव्यय (मैक्स) 43W (Tc) 2.5W (Ta), 40W (Tc) 43W (Tc) 43W (Tc)
वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA
पैकेट Tape & Reel (TR) Bulk Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस 300 pF @ 25 V 390 pF @ 25 V 300 pF @ 25 V 300 pF @ 25 V
FET फ़ीचर - - - -
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस 23 nC @ 10 V 16 nC @ 10 V 23 nC @ 10 V 23 nC @ 10 V
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ ​​25 डिग्री सेल्सियस 5A (Tc) 4.6A (Tc) 5A (Tc) 5A (Tc)
परिचालन तापमान -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
प्रदायक डिवाइस पैकेज D-Pak TO-252, (D-Pak) D-Pak D-Pak
प्रौद्योगिकी MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस 600mOhm @ 2.9A, 10V 800mOhm @ 2.3A, 10V 600mOhm @ 2.9A, 10V 600mOhm @ 2.9A, 10V
स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss) 200 V 200 V 200 V 200 V
FET प्रकार N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
पैकेज / प्रकरण TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
माउन्टिंग का प्रकार Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन) 10V 10V 10V 10V

IRFR220NTR डेटशीट पीडीएफ

IRFR220NTR - Infineon Technologies के लिए IRFR220NTR PDF DataSheets और Infineon Technologies प्रलेखन डाउनलोड करें।

डाटा शीट
IRFR220N, IRFU220N.pdf
अन्य संबंधित दस्तावेज
IR Part Numbering System.pdf

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सामान्य देश लॉजिस्टिक टाइम संदर्भ
क्षेत्र देश लॉजिस्टिक टाइम (दिन)
अमेरिका संयुक्त राज्य अमेरिका 5
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यूरोप जर्मनी 5
यूनाइटेड किंगडम 4
इटली 5
ओशिनिया ऑस्ट्रेलिया 6
न्यूज़ीलैंड 5
एशिया भारत 4
जापान 4
मध्य पूर्व इजराइल 6
डीएचएल और फेडेक्स शिपमेंट चार्ज संदर्भ
शिपमेंट शुल्क संदर्भ डीएचएल (यूएसडी $)
0.00 किग्रा -1.00 किग्रा USD $30.00 - USD $60.00
1.00 किग्रा -2.00 किग्रा USD $40.00 - USD $80.00
2.00 किग्रा -3.00 किग्रा USD $50.00 - USD $100.00
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