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घरउत्पादअसतत सेमीकंडक्टर उत्पादट्रांजिस्टर - एफईटी, एमओएसएफईटी - सिंगलIRFR9N20DPBF
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IRFR9N20DPBF - Infineon Technologies

उत्पादक भाग संख्या
IRFR9N20DPBF
उत्पादक
Infineon Technologies
Allelco भाग संख्या
32D-IRFR9N20DPBF
ईसीएडी मॉडल
भागों का विवरण
MOSFET N-CH 200V 9.4A DPAK
पैकेज
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
विवरण तालिका
IRFR9N20DPBF.pdf
RoHs स्थिति
हमारा प्रमाणन
स्टॉक में: 4110

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मात्रा
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विशेष विवरण

IRFR9N20DPBF तकनीकी विनिर्देश
Infineon Technologies - IRFR9N20DPBF तकनीकी विनिर्देशों, विशेषताओं, मापदंडों और Infineon Technologies - IRFR9N20DPBF के समान विनिर्देशों के साथ भागों

उत्पाद विशेषता मान बताइए  
उत्पादक Infineon Technologies  
वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र 5.5V @ 250µA  
वीजीएस (मैक्स) ±30V  
प्रौद्योगिकी MOSFET (Metal Oxide)  
प्रदायक डिवाइस पैकेज D-Pak  
शृंखला HEXFET®  
आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस 380mOhm @ 5.6A, 10V  
शक्ति का अपव्यय (मैक्स) 86W (Tc)  
पैकेज / प्रकरण TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63  
पैकेट Tube  
उत्पाद विशेषता मान बताइए  
परिचालन तापमान -55°C ~ 175°C (TJ)  
माउन्टिंग का प्रकार Surface Mount  
इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस 560 pF @ 25 V  
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस 27 nC @ 10 V  
FET प्रकार N-Channel  
FET फ़ीचर -  
ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन) 10V  
स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss) 200 V  
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ ​​25 डिग्री सेल्सियस 9.4A (Tc)  

पर्यावरण और निर्यात वर्गीकरण

गुण विवरण
RoHs स्थिति
नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल) 1 (Unlimited)
तक पहुँचने की स्थिति REACH Unaffected
ECCN EAR99
HTSUS

समान विनिर्देशों के साथ भाग

दाईं ओर के तीन भागों में Infineon Technologies IRFR9N20DPBF के समान विनिर्देश हैं।

उत्पाद विशेषता IRFR9N20DPBF IRFRC20TR IRFR9310 IRFR9310PBF
भाग संख्या IRFR9N20DPBF IRFRC20TR IRFR9310 IRFR9310PBF
उत्पादक Infineon Technologies Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix
पैकेट Tube Tape & Reel (TR) Tube Tube
परिचालन तापमान -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
प्रौद्योगिकी MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
माउन्टिंग का प्रकार Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन) 10V 10V 10V 10V
FET फ़ीचर - - - -
शृंखला HEXFET® - - -
FET प्रकार N-Channel N-Channel P-Channel P-Channel
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस 27 nC @ 10 V 18 nC @ 10 V 13 nC @ 10 V 13 nC @ 10 V
वीजीएस (मैक्स) ±30V ±20V ±20V ±20V
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ ​​25 डिग्री सेल्सियस 9.4A (Tc) 2A (Tc) 1.8A (Tc) 1.8A (Tc)
स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss) 200 V 600 V 400 V 400 V
इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस 560 pF @ 25 V 350 pF @ 25 V 270 pF @ 25 V 270 pF @ 25 V
पैकेज / प्रकरण TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र 5.5V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA
आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस 380mOhm @ 5.6A, 10V 4.4Ohm @ 1.2A, 10V 7Ohm @ 1.1A, 10V 7Ohm @ 1.1A, 10V
प्रदायक डिवाइस पैकेज D-Pak D-Pak D-Pak D-Pak
शक्ति का अपव्यय (मैक्स) 86W (Tc) 2.5W (Ta), 42W (Tc) 50W (Tc) 50W (Tc)

IRFR9N20DPBF डेटशीट पीडीएफ

IRFR9N20DPBF - Infineon Technologies के लिए IRFR9N20DPBF PDF DataSheets और Infineon Technologies प्रलेखन डाउनलोड करें।

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Warehouse Transfer 29/Jul/2015.pdf

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वितरण लागत

  1. यदि आपके पास एक है तो शिपमेंट के लिए अपने एक्सप्रेस खाते का उपयोग करें।
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डिलिवरी विधि

  1. डीएचएल / यूपीएस / फेडएक्स / टीएनटी / ईएमएस / एसएफ द्वारा वैश्विक सामान्य शिपमेंट हम समर्थन करते हैं।
  2. अन्य लोग अधिक शिपिंग तरीके, कृपया अपने ग्राहक प्रबंधक के संपर्क में रहें।

सामान्य देश लॉजिस्टिक टाइम संदर्भ
क्षेत्र देश लॉजिस्टिक टाइम (दिन)
अमेरिका संयुक्त राज्य अमेरिका 5
ब्राज़िल 7
यूरोप जर्मनी 5
यूनाइटेड किंगडम 4
इटली 5
ओशिनिया ऑस्ट्रेलिया 6
न्यूज़ीलैंड 5
एशिया भारत 4
जापान 4
मध्य पूर्व इजराइल 6
डीएचएल और फेडेक्स शिपमेंट चार्ज संदर्भ
शिपमेंट शुल्क संदर्भ डीएचएल (यूएसडी $)
0.00 किग्रा -1.00 किग्रा USD $30.00 - USD $60.00
1.00 किग्रा -2.00 किग्रा USD $40.00 - USD $80.00
2.00 किग्रा -3.00 किग्रा USD $50.00 - USD $100.00
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    +00852 9146 4856

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