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घरउत्पादअसतत सेमीकंडक्टर उत्पादट्रांजिस्टर - एफईटी, एमओएसएफईटी - सिंगलIRFS4410PBF
International Rectifier
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IRFS4410PBF - International Rectifier

उत्पादक भाग संख्या
IRFS4410PBF
उत्पादक
Infineon Technologies
Allelco भाग संख्या
32D-IRFS4410PBF
ईसीएडी मॉडल
भागों का विवरण
MOSFET N-CH 100V 88A TO263-3-2
विस्तृत विवरण
पैकेज
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
विवरण तालिका
IRFS4410PBF.pdf
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मात्रा

विशेष विवरण

IRFS4410PBF तकनीकी विनिर्देश
International Rectifier - IRFS4410PBF तकनीकी विनिर्देशों, विशेषताओं, मापदंडों और International Rectifier - IRFS4410PBF के समान विनिर्देशों के साथ भागों

उत्पाद विशेषता मान बताइए  
उत्पादक Infineon Technologies  
वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र 4V @ 150µA  
वीजीएस (मैक्स) ±20V  
प्रौद्योगिकी MOSFET (Metal Oxide)  
प्रदायक डिवाइस पैकेज PG-TO263-3-2  
शृंखला HEXFET®  
आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस 10mOhm @ 58A, 10V  
शक्ति का अपव्यय (मैक्स) 200W (Tc)  
पैकेज / प्रकरण TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB  
उत्पाद विशेषता मान बताइए  
पैकेट Bulk  
परिचालन तापमान -55°C ~ 175°C (TJ)  
माउन्टिंग का प्रकार Surface Mount  
इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस 5150 pF @ 50 V  
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस 180 nC @ 10 V  
FET प्रकार N-Channel  
FET फ़ीचर -  
स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss) 100 V  
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ ​​25 डिग्री सेल्सियस 88A (Tc)  

समान विनिर्देशों के साथ भाग

दाईं ओर के तीन भागों में International Rectifier IRFS4410PBF के समान विनिर्देश हैं।

उत्पाद विशेषता IRFS4410PBF IRFS450B IRFS4410TRLPBF IRFS4321PBF
भाग संख्या IRFS4410PBF IRFS450B IRFS4410TRLPBF IRFS4321PBF
उत्पादक International Rectifier onsemi Infineon Technologies International Rectifier
शृंखला HEXFET® - HEXFET® HEXFET®
वीजीएस (मैक्स) ±20V ±30V ±20V ±30V
पैकेट Bulk Tube Tape & Reel (TR) Bulk
परिचालन तापमान -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस 5150 pF @ 50 V 3800 pF @ 25 V 5150 pF @ 50 V 4460 pF @ 25 V
माउन्टिंग का प्रकार Surface Mount Through Hole Surface Mount Surface Mount
प्रौद्योगिकी MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss) 100 V 500 V 100 V 150 V
शक्ति का अपव्यय (मैक्स) 200W (Tc) 96W (Tc) 200W (Tc) 350W (Tc)
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस 180 nC @ 10 V 113 nC @ 10 V 180 nC @ 10 V 110 nC @ 10 V
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ ​​25 डिग्री सेल्सियस 88A (Tc) 9.6A (Tc) 88A (Tc) 85A (Tc)
वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र 4V @ 150µA 4V @ 250µA 4V @ 150µA 5V @ 250µA
प्रदायक डिवाइस पैकेज PG-TO263-3-2 TO-3PF PG-TO263-3 D2PAK
पैकेज / प्रकरण TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-3P-3 Full Pack TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
FET प्रकार N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
FET फ़ीचर - - - -
आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस 10mOhm @ 58A, 10V 390mOhm @ 4.8A, 10V 10mOhm @ 58A, 10V 15mOhm @ 33A, 10V

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सामान्य देश लॉजिस्टिक टाइम संदर्भ
क्षेत्र देश लॉजिस्टिक टाइम (दिन)
अमेरिका संयुक्त राज्य अमेरिका 5
ब्राज़िल 7
यूरोप जर्मनी 5
यूनाइटेड किंगडम 4
इटली 5
ओशिनिया ऑस्ट्रेलिया 6
न्यूज़ीलैंड 5
एशिया भारत 4
जापान 4
मध्य पूर्व इजराइल 6
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0.00 किग्रा -1.00 किग्रा USD $30.00 - USD $60.00
1.00 किग्रा -2.00 किग्रा USD $40.00 - USD $80.00
2.00 किग्रा -3.00 किग्रा USD $50.00 - USD $100.00
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