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घरउत्पादअसतत सेमीकंडक्टर उत्पादट्रांजिस्टर - एफईटी, एमओएसएफईटी - सिंगलIRFSL3206PBF
Infineon Technologies
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IRFSL3206PBF - Infineon Technologies

उत्पादक भाग संख्या
IRFSL3206PBF
उत्पादक
Infineon Technologies
Allelco भाग संख्या
32D-IRFSL3206PBF
ईसीएडी मॉडल
भागों का विवरण
MOSFET N-CH 60V 120A TO262
विस्तृत विवरण
पैकेज
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
विवरण तालिका
IRFSL3206PBF.pdf
RoHs स्थिति
तुलना
स्टॉक में: 31226

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मात्रा

विशेष विवरण

IRFSL3206PBF तकनीकी विनिर्देश
Infineon Technologies - IRFSL3206PBF तकनीकी विनिर्देशों, विशेषताओं, मापदंडों और Infineon Technologies - IRFSL3206PBF के समान विनिर्देशों के साथ भागों

उत्पाद विशेषता मान बताइए  
उत्पादक Infineon Technologies  
वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र 4V @ 150µA  
वीजीएस (मैक्स) ±20V  
प्रौद्योगिकी MOSFET (Metal Oxide)  
प्रदायक डिवाइस पैकेज TO-262  
शृंखला HEXFET®  
आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस 3mOhm @ 75A, 10V  
शक्ति का अपव्यय (मैक्स) 300W (Tc)  
पैकेज / प्रकरण TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA  
पैकेट Tube  
उत्पाद विशेषता मान बताइए  
परिचालन तापमान -55°C ~ 175°C (TJ)  
माउन्टिंग का प्रकार Through Hole  
इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस 6540 pF @ 50 V  
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस 170 nC @ 10 V  
FET प्रकार N-Channel  
FET फ़ीचर -  
ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन) 10V  
स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss) 60 V  
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ ​​25 डिग्री सेल्सियस 120A (Tc)  
आधार उत्पाद संख्या IRFSL3206  

समान विनिर्देशों के साथ भाग

दाईं ओर के तीन भागों में Infineon Technologies IRFSL3206PBF के समान विनिर्देश हैं।

उत्पाद विशेषता IRFSL3206PBF IRFSL4010PBF IRFSL23N20D102P IRFSL23N15D
भाग संख्या IRFSL3206PBF IRFSL4010PBF IRFSL23N20D102P IRFSL23N15D
उत्पादक Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
प्रौद्योगिकी MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
प्रदायक डिवाइस पैकेज TO-262 TO-262 TO-262 TO-262
माउन्टिंग का प्रकार Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
पैकेट Tube Tube Tube Tube
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस 170 nC @ 10 V 215 nC @ 10 V 86 nC @ 10 V 56 nC @ 10 V
परिचालन तापमान -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss) 60 V 100 V 200 V 150 V
इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस 6540 pF @ 50 V 9575 pF @ 50 V 1960 pF @ 25 V 1200 pF @ 25 V
आधार उत्पाद संख्या IRFSL3206 IRFSL4010 - -
वीजीएस (मैक्स) ±20V ±20V ±30V ±30V
वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र 4V @ 150µA 4V @ 250µA 5.5V @ 250µA 5.5V @ 250µA
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ ​​25 डिग्री सेल्सियस 120A (Tc) 180A (Tc) 24A (Tc) 23A (Tc)
शक्ति का अपव्यय (मैक्स) 300W (Tc) 375W (Tc) 3.8W (Ta), 170W (Tc) 3.8W (Ta), 136W (Tc)
शृंखला HEXFET® HEXFET® HEXFET® HEXFET®
FET प्रकार N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
पैकेज / प्रकरण TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन) 10V 10V 10V 10V
FET फ़ीचर - - - -
आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस 3mOhm @ 75A, 10V 4.7mOhm @ 106A, 10V 100mOhm @ 14A, 10V 90mOhm @ 14A, 10V

IRFSL3206PBF डेटशीट पीडीएफ

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न्यूज़ीलैंड 5
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जापान 4
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1.00 किग्रा -2.00 किग्रा USD $40.00 - USD $80.00
2.00 किग्रा -3.00 किग्रा USD $50.00 - USD $100.00
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