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घरउत्पादअसतत सेमीकंडक्टर उत्पादट्रांजिस्टर - एफईटी, एमओएसएफईटी - सिंगलIRFSL7787PBF
Infineon Technologies
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IRFSL7787PBF - Infineon Technologies

उत्पादक भाग संख्या
IRFSL7787PBF
उत्पादक
Infineon Technologies
Allelco भाग संख्या
32D-IRFSL7787PBF
ईसीएडी मॉडल
भागों का विवरण
IRFSL7787 - 12V-300V N-CHANNEL P
विस्तृत विवरण
पैकेज
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
विवरण तालिका
IRFSL7787PBF.pdf
RoHs स्थिति
तुलना
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मात्रा

विशेष विवरण

IRFSL7787PBF तकनीकी विनिर्देश
Infineon Technologies - IRFSL7787PBF तकनीकी विनिर्देशों, विशेषताओं, मापदंडों और Infineon Technologies - IRFSL7787PBF के समान विनिर्देशों के साथ भागों

उत्पाद विशेषता मान बताइए  
उत्पादक Infineon Technologies  
वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र 3.7V @ 100µA  
वीजीएस (मैक्स) ±20V  
प्रौद्योगिकी MOSFET (Metal Oxide)  
प्रदायक डिवाइस पैकेज TO-262  
शृंखला HEXFET®, StrongIRFET™  
आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस 8.4mOhm @ 46A, 10V  
शक्ति का अपव्यय (मैक्स) 125W (Tc)  
पैकेज / प्रकरण TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA  
उत्पाद विशेषता मान बताइए  
पैकेट Bulk  
परिचालन तापमान -55°C ~ 175°C (TJ)  
माउन्टिंग का प्रकार Through Hole  
इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस 4020 pF @ 25 V  
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस 109 nC @ 10 V  
FET प्रकार N-Channel  
FET फ़ीचर -  
स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss) 75 V  
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ ​​25 डिग्री सेल्सियस 76A (Tc)  

समान विनिर्देशों के साथ भाग

दाईं ओर के तीन भागों में Infineon Technologies IRFSL7787PBF के समान विनिर्देश हैं।

उत्पाद विशेषता IRFSL7787PBF IRFSL9N60APBF IRFSL7537PBF IRFSL4610PBF
भाग संख्या IRFSL7787PBF IRFSL9N60APBF IRFSL7537PBF IRFSL4610PBF
उत्पादक Infineon Technologies Vishay Siliconix Infineon Technologies Infineon Technologies
वीजीएस (मैक्स) ±20V ±30V ±20V ±20V
इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस 4020 pF @ 25 V 1400 pF @ 25 V 7020 pF @ 25 V 3550 pF @ 50 V
पैकेज / प्रकरण TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
FET फ़ीचर - - - -
FET प्रकार N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
प्रौद्योगिकी MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
माउन्टिंग का प्रकार Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
परिचालन तापमान -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
शक्ति का अपव्यय (मैक्स) 125W (Tc) 170W (Tc) 230W (Tc) 190W (Tc)
पैकेट Bulk Tube Tube Tube
प्रदायक डिवाइस पैकेज TO-262 I2PAK TO-262 TO-262
वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र 3.7V @ 100µA 4V @ 250µA 3.7V @ 150µA 4V @ 100µA
स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss) 75 V 600 V 60 V 100 V
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस 109 nC @ 10 V 49 nC @ 10 V 210 nC @ 10 V 140 nC @ 10 V
आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस 8.4mOhm @ 46A, 10V 750mOhm @ 5.5A, 10V 3.3mOhm @ 100A, 10V 14mOhm @ 44A, 10V
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ ​​25 डिग्री सेल्सियस 76A (Tc) 9.2A (Tc) 173A (Tc) 73A (Tc)
शृंखला HEXFET®, StrongIRFET™ - HEXFET®, StrongIRFET™ HEXFET®

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क्षेत्र देश लॉजिस्टिक टाइम (दिन)
अमेरिका संयुक्त राज्य अमेरिका 5
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यूरोप जर्मनी 5
यूनाइटेड किंगडम 4
इटली 5
ओशिनिया ऑस्ट्रेलिया 6
न्यूज़ीलैंड 5
एशिया भारत 4
जापान 4
मध्य पूर्व इजराइल 6
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0.00 किग्रा -1.00 किग्रा USD $30.00 - USD $60.00
1.00 किग्रा -2.00 किग्रा USD $40.00 - USD $80.00
2.00 किग्रा -3.00 किग्रा USD $50.00 - USD $100.00
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