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घरउत्पादअसतत सेमीकंडक्टर उत्पादट्रांजिस्टर - एफईटी, एमओएसएफईटी - सिंगलIRFU024NPBF
Infineon Technologies
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IRFU024NPBF - Infineon Technologies

उत्पादक भाग संख्या
IRFU024NPBF
उत्पादक
Infineon Technologies
Allelco भाग संख्या
32D-IRFU024NPBF
ईसीएडी मॉडल
भागों का विवरण
MOSFET N-CH 55V 17A IPAK
विस्तृत विवरण
पैकेज
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
विवरण तालिका
IRFU024NPBF.pdf
RoHs स्थिति
तुलना
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मात्रा

विशेष विवरण

IRFU024NPBF तकनीकी विनिर्देश
Infineon Technologies - IRFU024NPBF तकनीकी विनिर्देशों, विशेषताओं, मापदंडों और Infineon Technologies - IRFU024NPBF के समान विनिर्देशों के साथ भागों

उत्पाद विशेषता मान बताइए  
उत्पादक Infineon Technologies  
वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र 4V @ 250µA  
वीजीएस (मैक्स) ±20V  
प्रौद्योगिकी MOSFET (Metal Oxide)  
प्रदायक डिवाइस पैकेज IPAK (TO-251AA)  
शृंखला HEXFET®  
आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस 75mOhm @ 10A, 10V  
शक्ति का अपव्यय (मैक्स) 45W (Tc)  
पैकेज / प्रकरण TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA  
पैकेट Tube  
उत्पाद विशेषता मान बताइए  
परिचालन तापमान -55°C ~ 175°C (TJ)  
माउन्टिंग का प्रकार Through Hole  
इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस 370 pF @ 25 V  
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस 20 nC @ 10 V  
FET प्रकार N-Channel  
FET फ़ीचर -  
ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन) 10V  
स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss) 55 V  
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ ​​25 डिग्री सेल्सियस 17A (Tc)  
आधार उत्पाद संख्या IRFU024  

समान विनिर्देशों के साथ भाग

दाईं ओर के तीन भागों में Infineon Technologies IRFU024NPBF के समान विनिर्देश हैं।

उत्पाद विशेषता IRFU024NPBF IRFU014 IRFU024 IRFU120
भाग संख्या IRFU024NPBF IRFU014 IRFU024 IRFU120
उत्पादक Infineon Technologies Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix
वीजीएस (मैक्स) ±20V ±20V ±20V ±20V
वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA
इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस 370 pF @ 25 V 300 pF @ 25 V 640 pF @ 25 V 360 pF @ 25 V
शृंखला HEXFET® - - -
आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस 75mOhm @ 10A, 10V 200mOhm @ 4.6A, 10V 100mOhm @ 8.4A, 10V 270mOhm @ 4.6A, 10V
FET प्रकार N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
आधार उत्पाद संख्या IRFU024 IRFU IRFU IRFU1
प्रदायक डिवाइस पैकेज IPAK (TO-251AA) TO-251AA TO-251AA TO-251AA
शक्ति का अपव्यय (मैक्स) 45W (Tc) 2.5W (Ta), 25W (Tc) 2.5W (Ta), 42W (Tc) 2.5W (Ta), 42W (Tc)
माउन्टिंग का प्रकार Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
FET फ़ीचर - - - -
प्रौद्योगिकी MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss) 55 V 60 V 60 V 100 V
पैकेज / प्रकरण TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
पैकेट Tube Tube Tube Tube
ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन) 10V 10V 10V 10V
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ ​​25 डिग्री सेल्सियस 17A (Tc) 7.7A (Tc) 14A (Tc) 7.7A (Tc)
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस 20 nC @ 10 V 11 nC @ 10 V 25 nC @ 10 V 16 nC @ 10 V
परिचालन तापमान -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)

IRFU024NPBF डेटशीट पीडीएफ

IRFU024NPBF - Infineon Technologies के लिए IRFU024NPBF PDF DataSheets और Infineon Technologies प्रलेखन डाउनलोड करें।

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