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घरउत्पादअसतत सेमीकंडक्टर उत्पादट्रांजिस्टर - एफईटी, एमओएसएफईटी - सिंगलIRFU120NPBF
Infineon Technologies
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IRFU120NPBF - Infineon Technologies

उत्पादक भाग संख्या
IRFU120NPBF
उत्पादक
Infineon Technologies
Allelco भाग संख्या
32D-IRFU120NPBF
ईसीएडी मॉडल
भागों का विवरण
MOSFET N-CH 100V 9.4A IPAK
विस्तृत विवरण
पैकेज
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
विवरण तालिका
IRFU120NPBF.pdf
RoHs स्थिति
तुलना
स्टॉक में: 72440

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मात्रा

विशेष विवरण

IRFU120NPBF तकनीकी विनिर्देश
Infineon Technologies - IRFU120NPBF तकनीकी विनिर्देशों, विशेषताओं, मापदंडों और Infineon Technologies - IRFU120NPBF के समान विनिर्देशों के साथ भागों

उत्पाद विशेषता मान बताइए  
उत्पादक Infineon Technologies  
वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र 4V @ 250µA  
वीजीएस (मैक्स) ±20V  
प्रौद्योगिकी MOSFET (Metal Oxide)  
प्रदायक डिवाइस पैकेज IPAK (TO-251AA)  
शृंखला HEXFET®  
आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस 210mOhm @ 5.6A, 10V  
शक्ति का अपव्यय (मैक्स) 48W (Tc)  
पैकेज / प्रकरण TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA  
पैकेट Tube  
उत्पाद विशेषता मान बताइए  
परिचालन तापमान -55°C ~ 175°C (TJ)  
माउन्टिंग का प्रकार Through Hole  
इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस 330 pF @ 25 V  
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस 25 nC @ 10 V  
FET प्रकार N-Channel  
FET फ़ीचर -  
ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन) 10V  
स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss) 100 V  
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ ​​25 डिग्री सेल्सियस 9.4A (Tc)  
आधार उत्पाद संख्या IRFU120  

समान विनिर्देशों के साथ भाग

दाईं ओर के तीन भागों में Infineon Technologies IRFU120NPBF के समान विनिर्देश हैं।

उत्पाद विशेषता IRFU120NPBF IRFU120ZPBF IRFU120ATU IRFU1205
भाग संख्या IRFU120NPBF IRFU120ZPBF IRFU120ATU IRFU1205
उत्पादक Infineon Technologies Infineon Technologies Fairchild Semiconductor Infineon Technologies
स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss) 100 V 100 V 100 V 55 V
पैकेट Tube Tube Tube Tube
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ ​​25 डिग्री सेल्सियस 9.4A (Tc) 8.7A (Tc) 8.4A (Tc) 44A (Tc)
प्रौद्योगिकी MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
FET फ़ीचर - - - -
FET प्रकार N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
शक्ति का अपव्यय (मैक्स) 48W (Tc) 35W (Tc) 2.5W (Ta), 32W (Tc) 107W (Tc)
इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस 330 pF @ 25 V 310 pF @ 25 V 480 pF @ 25 V 1300 pF @ 25 V
वीजीएस (मैक्स) ±20V ±20V - ±20V
आधार उत्पाद संख्या IRFU120 - - -
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस 25 nC @ 10 V 10 nC @ 10 V 22 nC @ 10 V 65 nC @ 10 V
आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस 210mOhm @ 5.6A, 10V 190mOhm @ 5.2A, 10V 200mOhm @ 4.2A, 10V 27mOhm @ 26A, 10V
परिचालन तापमान -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA
पैकेज / प्रकरण TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
प्रदायक डिवाइस पैकेज IPAK (TO-251AA) IPAK (TO-251AA) I-PAK IPAK (TO-251AA)
शृंखला HEXFET® HEXFET® - HEXFET®
माउन्टिंग का प्रकार Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन) 10V 10V 10V 10V

IRFU120NPBF डेटशीट पीडीएफ

IRFU120NPBF - Infineon Technologies के लिए IRFU120NPBF PDF DataSheets और Infineon Technologies प्रलेखन डाउनलोड करें।

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2.00 किग्रा -3.00 किग्रा USD $50.00 - USD $100.00
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