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घरउत्पादअसतत सेमीकंडक्टर उत्पादट्रांजिस्टर - एफईटी, एमओएसएफईटी - सिंगलIRFU3303
Infineon Technologies
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उत्पाद विवरण के लिए विनिर्देश देखें।

IRFU3303 - Infineon Technologies

उत्पादक भाग संख्या
IRFU3303
उत्पादक
Infineon Technologies
Allelco भाग संख्या
32D-IRFU3303
ईसीएडी मॉडल
भागों का विवरण
MOSFET N-CH 30V 33A IPAK
विस्तृत विवरण
पैकेज
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
विवरण तालिका
IRFR/U3303.pdf
स्टॉक में: 4750

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मात्रा

विशेष विवरण

IRFU3303 तकनीकी विनिर्देश
Infineon Technologies - IRFU3303 तकनीकी विनिर्देशों, विशेषताओं, मापदंडों और Infineon Technologies - IRFU3303 के समान विनिर्देशों के साथ भागों

उत्पाद विशेषता मान बताइए  
उत्पादक Infineon Technologies  
वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र 4V @ 250µA  
वीजीएस (मैक्स) ±20V  
प्रौद्योगिकी MOSFET (Metal Oxide)  
प्रदायक डिवाइस पैकेज IPAK (TO-251AA)  
शृंखला HEXFET®  
आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस 31mOhm @ 18A, 10V  
शक्ति का अपव्यय (मैक्स) 57W (Tc)  
पैकेज / प्रकरण TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA  
पैकेट Tube  
उत्पाद विशेषता मान बताइए  
परिचालन तापमान -55°C ~ 150°C (TJ)  
माउन्टिंग का प्रकार Through Hole  
इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस 750 pF @ 25 V  
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस 29 nC @ 10 V  
FET प्रकार N-Channel  
FET फ़ीचर -  
ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन) 10V  
स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss) 30 V  
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ ​​25 डिग्री सेल्सियस 33A (Tc)  

समान विनिर्देशों के साथ भाग

दाईं ओर के तीन भागों में Infineon Technologies IRFU3303 के समान विनिर्देश हैं।

उत्पाद विशेषता IRFU3303 IRFU320PBF IRFU3410 IRFU310PBF
भाग संख्या IRFU3303 IRFU320PBF IRFU3410 IRFU310PBF
उत्पादक Infineon Technologies Vishay Siliconix Infineon Technologies Vishay Siliconix
FET प्रकार N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
शृंखला HEXFET® - HEXFET® -
वीजीएस (मैक्स) ±20V ±20V ±20V ±20V
ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन) 10V 10V 10V 10V
प्रदायक डिवाइस पैकेज IPAK (TO-251AA) TO-251AA IPAK (TO-251AA) TO-251AA
माउन्टिंग का प्रकार Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ ​​25 डिग्री सेल्सियस 33A (Tc) 3.1A (Tc) 31A (Tc) 1.7A (Tc)
पैकेज / प्रकरण TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
शक्ति का अपव्यय (मैक्स) 57W (Tc) 2.5W (Ta), 42W (Tc) 3W (Ta), 110W (Tc) 2.5W (Ta), 25W (Tc)
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस 29 nC @ 10 V 20 nC @ 10 V 56 nC @ 10 V 12 nC @ 10 V
प्रौद्योगिकी MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस 750 pF @ 25 V 350 pF @ 25 V 1690 pF @ 25 V 170 pF @ 25 V
स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss) 30 V 400 V 100 V 400 V
FET फ़ीचर - - - -
परिचालन तापमान -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस 31mOhm @ 18A, 10V 1.8Ohm @ 1.9A, 10V 39mOhm @ 18A, 10V 3.6Ohm @ 1A, 10V
पैकेट Tube Tube Tube Tube
वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA

IRFU3303 डेटशीट पीडीएफ

IRFU3303 - Infineon Technologies के लिए IRFU3303 PDF DataSheets और Infineon Technologies प्रलेखन डाउनलोड करें।

डाटा शीट
IRFR/U3303.pdf
अन्य संबंधित दस्तावेज
IR Part Numbering System.pdf
पीसीएन अप्रचलन/ ईओएल
EOL122B 02/Oct/2007.pdf

शिपमेंट

डिलीवरी का समय

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सामान्य देश लॉजिस्टिक टाइम संदर्भ
क्षेत्र देश लॉजिस्टिक टाइम (दिन)
अमेरिका संयुक्त राज्य अमेरिका 5
ब्राज़िल 7
यूरोप जर्मनी 5
यूनाइटेड किंगडम 4
इटली 5
ओशिनिया ऑस्ट्रेलिया 6
न्यूज़ीलैंड 5
एशिया भारत 4
जापान 4
मध्य पूर्व इजराइल 6
डीएचएल और फेडेक्स शिपमेंट चार्ज संदर्भ
शिपमेंट शुल्क संदर्भ डीएचएल (यूएसडी $)
0.00 किग्रा -1.00 किग्रा USD $30.00 - USD $60.00
1.00 किग्रा -2.00 किग्रा USD $40.00 - USD $80.00
2.00 किग्रा -3.00 किग्रा USD $50.00 - USD $100.00
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